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公开(公告)号：CN103247936B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310043724.X
申请日：2013-02-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , H01S5/0268 , H01S5/1014
Abstract: 本申请揭示一种光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法。该光学半导体器件包括：波导单元，形成在具有（100）平面的半导体衬底上并且包括用来传播光的芯层；光斑尺寸转换单元，形成在该半导体衬底上，通过光学方式连接到该波导单元，并且转换传播光的直径；以及一对阶梯部，形成在该半导体衬底上并且在夹设该光斑尺寸转换单元的同时彼此相对。将该光斑尺寸转换单元夹设在该对阶梯部中的同时彼此相对的相对单元之间的间隔是变化的，而且所述相对单元中每一个均包括取向相对于[011]方向朝向[0-11]方向倾斜的部分，以及该光斑尺寸转换单元上端的位置高于该波导单元上端的位置。
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公开(公告)号：CN102694050A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210024972.5
申请日：2012-01-31
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 高林和雅
IPC: H01L31/10 , H04B10/158
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/035281 , H01L31/105 , Y02E10/544
Abstract: 本发明公开一种光接收器，其中提供一种锥形波导，连接于输入波导和光电二极管之间。随着所述锥形波导从连接至所述输入波导的输入端向连接至所述光电二极管的输出端延伸，所述锥形波导的宽度增加。所述锥形波导具有最优半发散角以便当从所述输入波导接收光信号时使高阶模激活。所述光电二极管具有恒定的宽度，或是随着所述光电二极管从所述锥形波导的输出端延伸出去，所述光电二极管的宽度增加，所述光电二极管的半发散角等于或小于所述锥形波导的半发散角。
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公开(公告)号：CN102694055B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210065376.1
申请日：2012-03-09
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 高林和雅
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/12002 , G02B6/2813
Abstract: 本发明提供一种光接收元件、光接收器件以及光接收模块，该光接收元件包括：波导，包括波导核心；多模干涉波导，其具有的宽度大于波导的宽度，多模干涉波导被配置为在第一端处从波导核心接收第一光；以及光电探测部，包括第一半导体层以及置于第一半导体层上的吸收层，第一半导体层至少包括一层且在第二端处从多模干涉波导接收第二光，所述吸收层被置于所述第一半导体层的上方且吸收第二光。从多模干涉波导的第一端到光电探测部的第二端的距离比第一长度的70％长且比第一长度的100％短，第一长度是自成像在多模干涉波导发生之处的长度。
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公开(公告)号：CN103247936A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310043724.X
申请日：2013-02-04
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G02B6/12 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , H01S5/0268 , H01S5/1014
Abstract: 本申请揭示一种光学半导体器件以及光学半导体器件的制造方法。该光学半导体器件包括：波导单元，形成在具有（100）平面的半导体衬底上并且包括用来传播光的芯层；光斑尺寸转换单元，形成在该半导体衬底上，通过光学方式连接到该波导单元，并且转换传播光的直径；以及一对阶梯部，形成在该半导体衬底上并且在夹设该光斑尺寸转换单元的同时彼此相对。将该光斑尺寸转换单元夹设在该对阶梯部中的同时彼此相对的相对单元之间的间隔是变化的，而且所述相对单元中每一个均包括取向相对于[011]方向朝向[0-11]方向倾斜的部分，以及该光斑尺寸转换单元上端的位置高于该波导单元上端的位置。
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公开(公告)号：CN105229523A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201380076823.6
申请日：2013-05-23
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: H01S5/026 , G02B6/122 , G02B6/131 , G02F1/017 , G02F1/025 , G02F2001/212 , H01S5/0265 , H01S5/101 , H01S5/12 , H01S5/2213 , H01S5/2275 , H01S5/40
Abstract: 本发明涉及光半导体集成元件以及其制造方法，消除元件制造困难性，并且降低光的传输损耗。具备由至少层叠第1导电型下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层而成的层叠构造构成的条纹状的波导，并由第2导电型上部包覆层、和在与波导的主要的延伸方向垂直的方向上偏移地具有折曲部的i型上部包覆层来形成上部包覆层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102694055A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210065376.1
申请日：2012-03-09
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 高林和雅
CPC classification number: G02B6/12004 , G02B6/12002 , G02B6/2813
Abstract: 本发明提供一种光接收元件、光接收器件以及光接收模块，该光接收元件包括：波导，包括波导核心；多模干涉波导，其具有的宽度大于波导的宽度，多模干涉波导被配置为在第一端处从波导核心接收第一光；以及光电探测部，包括第一半导体层以及置于第一半导体层上的吸收层，第一半导体层至少包括一层且在第二端处从多模干涉波导接收第二光，所述吸收层被置于所述第一半导体层的上方且吸收第二光。从多模干涉波导的第一端到光电探测部的第二端的距离比第一长度的70％长且比第一长度的100％短，第一长度是自成像在多模干涉波导发生之处的长度。
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公开(公告)号：CN104937791A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201380070494.4
申请日：2013-01-28
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 高林和雅
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/5045 , G02B6/124 , H01S3/06716 , H01S3/0675 , H01S3/06791 , H01S3/08004 , H01S3/106 , H01S5/0287 , H01S5/0687 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/146 , H01S5/5081
Abstract: 本发明涉及激光装置、光调制装置以及光半导体元件。具有由化合物半导体材料形成的光半导体元件和包括光导波路的波长选择反射元件的激光装置的特征在于，上述光半导体元件具有：第一增益导波路；第二增益导波路；DBR导波路，其形成于上述第一增益导波路与上述第二增益导波路之间；第一电极，其使电流流过上述第一增益导波路；以及第二电极，其使电流流过上述第二增益导波路，并且，在连接有上述第二增益导波路的元件端面形成有防反射膜，上述波长选择反射元件中的上述光导波路反射入射的光中规定波长的光，具有激光谐振器，其中，上述第一增益导波路和上述波长选择反射元件光学耦合，将上述第一增益导波路作为增益介质，由上述DBR导波路和上述波长选择反射元件形成。
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公开(公告)号：CN102694054B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201210065346.0
申请日：2012-03-09
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 高林和雅
IPC: H01L31/12
CPC classification number: H01L31/02325 , H01L27/1443 , H01L27/146 , H01L31/105 , H01L31/1123
Abstract: 本发明公开了一种光接收元件、光接收装置以及光接收模块，其中所述光接收元件，包括：核心，被配置为传播信号光；第一半导体层，具有第一导电类型，所述第一半导体层被配置为沿所述核心延伸的第一方向从所述核心接收所述信号光；吸收层，被配置为吸收由所述第一半导体层接收的所述信号光；以及第二半导体层，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
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公开(公告)号：CN102694054A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201210065346.0
申请日：2012-03-09
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 高林和雅
IPC: H01L31/12
CPC classification number: H01L31/02325 , H01L27/1443 , H01L27/146 , H01L31/105 , H01L31/1123
Abstract: 本发明公开了一种光接收元件、光接收装置以及光接收模块，其中所述光接收元件，包括：核心，被配置为传播信号光；第一半导体层，具有第一导电类型，所述第一半导体层被配置为沿所述核心延伸的第一方向从所述核心接收所述信号光；吸收层，被配置为吸收由所述第一半导体层接收的所述信号光；以及第二半导体层，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
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公开(公告)号：CN104937791B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380070494.4
申请日：2013-01-28
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 高林和雅
IPC: H01S5/14
CPC classification number: H01S5/5045 , G02B6/124 , H01S3/06716 , H01S3/0675 , H01S3/06791 , H01S3/08004 , H01S3/106 , H01S5/0287 , H01S5/0687 , H01S5/1032 , H01S5/125 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/146 , H01S5/5081
Abstract: 本发明涉及激光装置、光调制装置以及光半导体元件。具有由化合物半导体材料形成的光半导体元件和包括光导波路的波长选择反射元件的激光装置的特征在于，上述光半导体元件具有：第一增益导波路；第二增益导波路；DBR导波路，其形成于上述第一增益导波路与上述第二增益导波路之间；第一电极，其使电流流过上述第一增益导波路；以及第二电极，其使电流流过上述第二增益导波路，并且，在连接有上述第二增益导波路的元件端面形成有防反射膜，上述波长选择反射元件中的上述光导波路反射入射的光中规定波长的光，具有激光谐振器，其中，上述第一增益导波路和上述波长选择反射元件光学耦合，将上述第一增益导波路作为增益介质，由上述DBR导波路和上述波长选择反射元件形成。
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