公开(公告)号：CN103996969A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410235281.9

申请日：2014-05-29

Applicant: 山东大学

Inventor： 张怀金 ,  于浩海 ,  王树贤 ,  王继扬 ,  陈延学 ,  梅良模

IPC: H01S3/11

Abstract: 本发明涉及层状VO2激光脉冲调制器件及应用。层状VO2脉冲调制器件包括衬底和沉积在衬底上面的VO2材料，用于对产生近红外的激光进行调Q和锁模，制成全固态激光用脉冲调制激光器；所述的全固态激光用脉冲调制激光器包括泵浦源，前腔镜，激光增益介质，VO2调制器件，输出镜；将所述的VO2调制器件放于全固态激光器的谐振腔内，制成调Q器件或锁模器件的激光器。本发明的脉冲调制器件具有制作简单、有利于产业化生产和集成化等特点。

公开(公告)号：CN103400679A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310308681.3

申请日：2013-07-22

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘国磊 ,  曹强 ,  颜世申 ,  梅良模 ,  陈延学

IPC: H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  H01F41/14 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  C23C14/32 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及一种高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法，所述高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料结构式为Zn1-xCoxO,x=0.2～0.45。本发明采用在低温、超低氧气压条件下的氧分子束外延制备方法，得到具有单晶单相的纤维锌矿晶格结构的Zn1-xCoxO磁性半导体材料，最大Co金属固溶度达到45％。本发明制备的Zn1-xCoxO磁性半导体具备超强的室温铁磁性，最大饱和磁化强度530emu/cm3，最大平均原子磁矩1.68μB/Co、巨大的室温磁光克尔效应。制备的Zn1-xCoxO磁性半导体材料可用于自旋电子学器件。

公开(公告)号：CN102157672A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110030154.1

申请日：2011-01-28

Applicant: 山东大学

Inventor： 王春雷 ,  王洪超 ,  苏文斌 ,  刘剑 ,  梅良模

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  H01L35/08

Abstract: 本发明涉及一种全陶瓷热电发电模块及其制备方法，它首次提出了全陶瓷热电发电模块的思路，实现了自身及使用过程的绿色环保和低成本。全陶瓷热电模块的最基本单元包括一个作为基体的导电陶瓷，在导电陶瓷的两端分别通过锡焊固连P型陶瓷Bi:CCO和N型陶瓷Y:STO，构成型全陶瓷热电发电模块。本发明得到了最大开路电压为37mV，最大输出功率为1.03μW。

公开(公告)号：CN1858849A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200610043854.3

申请日：2006-04-25

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈延学 ,  颜世申 ,  张云鹏 ,  刘国磊 ,  梅良模

IPC: G11B13/04

Abstract: 一种具有极大克尔(Kerr)转角的非匀质Zn－Co－O磁光薄膜及其制备方法，属于信息材料领域。在真空系统中，应用层状交替沉积和退火处理的办法，获得无定型的非晶态或者六角结构的纳米晶薄膜，Co和Zn之间的固溶度可达到40～85％。该非匀质磁光薄膜在可见光波长区内呈现出非常大的克尔转角，并且可通过控制成分方便的改变克尔转角与波长的关系。

公开(公告)号：CN1238874C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN03138995.3

申请日：2003-08-12

Applicant: 山东大学

Inventor： 陈延学 ,  王成建 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  阎景贤 ,  徐荣历

IPC: H01H1/02 ,  H01B1/02 ,  H01B1/16

Abstract: 银基压敏复合陶瓷电接触材料，属于中低压电器中的触头材料技术领域。材料组分(重量百分比)：银80-95%，压敏复合陶瓷1-15%，金属和金属氧化物0.5-5%。本发明的材料具有电阻率低，导热、导电性好，抗电烧蚀和抗熔焊能力强，机械加工性好，无毒等优点，可以制备成丝材、板材、棒材，不需要内氧化，降低了生产成本，该材料的加工性优于Ag/SnO2材料。

公开(公告)号：CN1062611C

公开(公告)日：2001-02-28

申请号：CN98110340.5

申请日：1998-07-15

Applicant: 山东大学

Inventor： 梅良模 ,  陈晨 ,  郭慧群 ,  刘宜华 ,  栾开政

IPC: C22C38/14 ,  C21D8/12

Abstract: 本发明属于功能材料技术领域。本发明的主要内容是采用新的掺杂铁锆硼材料体系，其组分为Fe100-x-y-zZryBzMx，通过熔炼、快淬形成非晶薄带，然后进行退火处理，最终得到铁锆硼掺杂的纳米晶巨磁阻抗(GMI)薄带材料。本发明解决了现有材料存在的温度稳定性差，时效老化严重，生产工艺复杂等缺点。采用本发明制得的纳米晶巨磁阻抗(GMI)薄带材料具有良好的热稳定性，同时该发明还简化了工艺，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN1259500A

公开(公告)日：2000-07-12

申请号：CN00110845.X

申请日：2000-01-21

Applicant: 山东大学

Inventor： 胡季帆 ,  秦宏伟 ,  赵文瑾 ,  梅良模

IPC: C04B35/64 ,  C04B35/622 ,  C04B35/01 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于传感、磁存储技术领域。本发明的主要内容就是将La2O3、MnO2、Ni2O3、CaCO3按La1－xCaxMn1－yNiyO3分子式的原子配比称量,混合均匀,粉碎、研磨,通过烧结最后制成是有低温下低磁场大磁电阻效应的氧化物材料。它解决了现有技术必须在高磁场条件下工作的问题。本发明具有低温低磁场大磁电阻ΔR/R0变化特点,还有工艺简单,生产成本低等优点。

公开(公告)号：CN1061299A

公开(公告)日：1992-05-20

申请号：CN91106523.7

申请日：1991-08-20

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘宜华 ,  梅良模 ,  栾开政 ,  张连生

IPC: H01F41/20 ,  H01F10/10

Abstract: 一种钴铁镍铌硅硼非晶薄膜的制备处理方法，属于高导磁非晶薄膜制备领域。该薄膜除材料成分有别于其他非晶薄膜外，其制备态非晶薄膜又经综合退火热处理工艺，故该薄膜具有很高的饱和磁化强度(可达9000高斯)和高导磁率(10MHz达4300)，且高频特性好，耐腐蚀性好。

公开(公告)号：CN105552213A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510902153.X

申请日：2015-12-08

Applicant: 山东大学

Inventor： 颜世申 ,  田玉峰 ,  梅良模 ,  李欢欢 ,  张昆 ,  黄启坤

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种调控磁电阻比值的方法，包括：1)在具有整流磁电阻器件的两端施加一个固定幅值的交流电流；2)同时，在所述交流电流的基础上耦合上一个直流电流I1，此时输出的交流电流信号存在I1的平移：i＝I0sin(wt)+I1；3)检测所述器件随外磁场变化所产生的整流电压VH：，其中H代表外磁场的强度，T代表所述交流电流的周期；4)调节施加在所述器件上电流的直流分量I1的大小，从而调节整流电压VH的大小，最终调节磁电阻比值MR＝(VH-V0)/V0。本发明是利用所述于器件既具有整流磁电阻，又具有直流磁电阻，进而实现调节整流电压VH的大小，最终达到调节磁电阻比值的技术效果。

公开(公告)号：CN103400679B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201310308681.3

申请日：2013-07-22

Applicant: 山东大学

Inventor： 刘国磊 ,  曹强 ,  颜世申 ,  梅良模 ,  陈延学

IPC: H01F1/40 ,  H01F10/193 ,  H01F41/14 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  C23C14/32 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及一种高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法，所述高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料结构式为Zn1-xCoxO,x=0.2～0.45。本发明采用在低温、超低氧气压条件下的氧分子束外延制备方法，得到具有单晶单相的纤维锌矿晶格结构的Zn1-xCoxO磁性半导体材料，最大Co金属固溶度达到45％。本发明制备的Zn1-xCoxO磁性半导体具备超强的室温铁磁性，最大饱和磁化强度530emu/cm3，最大平均原子磁矩1.68μB/Co、巨大的室温磁光克尔效应。制备的Zn1-xCoxO磁性半导体材料可用于自旋电子学器件。