公开(公告)号：CN114212816A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111514371.8

申请日：2021-12-13

申请人： 山东大学 ,  山东大学深圳研究院

发明人： 穆文祥 ,  张洁 ,  贾志泰 ,  陶绪堂

IPC分类号： C01G15/00 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00

摘要： 本发明涉及一种超薄氧化镓薄膜的快速制备方法，特别涉及纳米级厚度、横向尺寸可达厘米级的氧化镓薄膜的制备。解决目前超薄氧化镓薄膜所常用的脉冲激光沉积、分子束外延等制备方式，设备造价昂贵且体型庞大、操作复杂、反应条件苛刻以及传统方法制备氧化镓薄膜时无法兼具超薄的厚度及大的厘米级横向尺寸等问题。采用熔融相表面固体层剥离技术，通过衬底挤压后清洗退火方式对上述问题进行改善。该方式极大地降低了薄膜的制备的成本，使操作更加简便易行，并具有实验条件温和、生长周期短等优点，不仅突破了材料尺寸方面的瓶颈，也极大地推进了后续氧化镓超薄纳米材料的发展，为下一代光电器件发展提供了新思路。

公开(公告)号：CN118441277A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410381836.4

申请日：2024-04-01

申请人： 山东大学

发明人： 穆文祥 ,  董旭阳 ,  贾志泰 ,  陶绪堂

IPC分类号： C23C28/00 ,  C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  C23C4/11 ,  C23C4/134 ,  C23C4/02 ,  C30B29/16 ,  C30B15/10 ,  C30B11/00

摘要： 本发明涉及一种适用于高氧浓度生长气氛下的复合保护层铱金坩埚及其制备方法，本发明的适用于高氧浓度生长气氛的复合保护层铱金坩埚，复合保护层为铂金层‑铂铑合金层‑铑金属层‑致密氧化锆层复合保护层，该复合保护层克服了单氧化锆保护层易脱落、重复利用率低、耐氧含量少等缺点，本发明的复合保护层一致性高，整体致密性好，大幅降低铱金坩埚表面与生长气氛中氧气的接触几率，在减少铱金挥发的同时，可承受较高氧浓度气氛条件，有效抑制原料挥发分解反应，避免坩埚内部贵金属腐蚀。

公开(公告)号：CN116770437B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202310534335.0

申请日：2023-05-12

申请人： 山东大学

发明人： 付秀伟 ,  郝元凯 ,  贾志泰 ,  陶绪堂

IPC分类号： C30B29/28 ,  C30B15/00 ,  C30B28/02 ,  C30B33/02

摘要： 本发明提供一种完整无开裂的铽钪铝石榴石磁光晶体及避免晶体开裂的方法，其分子式为(RExTb1‑x)3Sc2Al3O12，0

公开(公告)号：CN115616800A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210967175.4

申请日：2022-08-12

申请人： 山东大学

发明人： 付秀伟 ,  辛显辉 ,  贾志泰 ,  陶绪堂

IPC分类号： G02F1/09 ,  G02F1/00 ,  C30B29/28 ,  C30B27/02

摘要： 本发明涉及一种基于铽铝镓石榴石磁光晶体的法拉第磁光隔离器，包括：沿光路依次设置的第一偏振片、法拉第转子和第二偏振片，所述的法拉第转子包括磁线圈和设置于磁线圈中的磁光晶体，所述的磁光晶体为铽铝镓石榴石磁光晶体，晶体分子式为Tb3(Al1‑xGax)5O12,0

公开(公告)号：CN114875490A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210491317.4

申请日：2022-05-07

申请人： 山东大学

发明人： 付秀伟 ,  辛显辉 ,  贾志泰 ,  陶绪堂

IPC分类号： C30B29/28 ,  C30B27/02 ,  G02F1/09

摘要： 本发明涉及一种高铝铽铝镓石榴石磁光晶体及其制备方法与应用。该晶体分子通式为Tb3AlxGa5‑xO12,1.75≤x

公开(公告)号：CN110158150B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201910419165.5

申请日：2019-05-20

申请人： 山东大学

发明人： 贾志泰 ,  陶绪堂 ,  张娜 ,  张健

IPC分类号： C30B29/22 ,  C30B15/00 ,  H01S3/067 ,  H01S3/16

摘要： 本发明涉及激活离子掺杂的ABAlO4单晶光纤及其制备方法与应用，该光纤的化学组成为掺杂激活离子的CaGdAlO4，所述的激活离子为Yb3+、或者Er3+和Yb3+双掺。本发明采用激光加热基座法生长的CGA单晶光纤，属于四方晶系，熔点1840℃，透过光谱宽，在可见光波段无自吸收；最大声子能量为618cm‑1，低于部分氧化物晶体。结合CGA晶体优异的热学性能和单晶光纤独特的大长径比，ABAlO4类晶体在超快激光输出和中红外波段具有卓越的应用价值。

公开(公告)号：CN108977882B

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201811013008.6

申请日：2018-08-31

申请人： 山东大学

发明人： 贾志泰 ,  陶绪堂 ,  张娜 ,  张健

IPC分类号： C30B29/16 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  G01K11/32

摘要： 本发明涉及倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用，该光纤的化学组成为掺杂荧光离子的氧化镥单晶，所述的荧光离子为Tm3+、Yb3+或Ho3+。直径范围:0.7‑2.0mm，长度>10cm。本发明采用激光加热基座法生长氧化镥单晶光纤，其熔点高达2510℃。本发明掺杂Tm3+、Yb3+、Ho3+氧化镥单晶光纤结合了单晶光纤高热导率、高硬度、高强度、高韧性、及稳定的化学性能等优良的物化性能，和Tm3+、Yb3+、Ho3+荧光掺杂离子灵敏度高和频带宽等优点，可用作制备新型的高温荧光探测材料。

公开(公告)号：CN110158150A

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201910419165.5

申请日：2019-05-20

申请人： 山东大学

发明人： 贾志泰 ,  陶绪堂 ,  张娜 ,  张健

IPC分类号： C30B29/22 ,  C30B15/00 ,  H01S3/067 ,  H01S3/16

摘要： 本发明涉及激活离子掺杂的ABAlO4单晶光纤及其制备方法与应用，该光纤的化学组成为掺杂激活离子的CaGdAlO4，所述的激活离子为Yb3+、或者Er3+和Yb3+双掺。本发明采用激光加热基座法生长的CGA单晶光纤，属于四方晶系，熔点1840℃，透过光谱宽，在可见光波段无自吸收；最大声子能量为618cm-1，低于部分氧化物晶体。结合CGA晶体优异的热学性能和单晶光纤独特的大长径比，ABAlO4类晶体在超快激光输出和中红外波段具有卓越的应用价值。

公开(公告)号：CN106521625B

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201611153445.9

申请日：2016-12-14

申请人： 山东大学

发明人： 贾志泰 ,  穆文祥 ,  陶绪堂 ,  尹延如 ,  胡强强

IPC分类号： C30B29/16 ,  C30B15/34 ,  C30B28/02

摘要： 本发明涉及掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用，该晶体分子式为β‑(Ga1‑x‑yCrxAy)2O3，0.001

公开(公告)号：CN108977882A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201811013008.6

申请日：2018-08-31

申请人： 山东大学

发明人： 贾志泰 ,  陶绪堂 ,  张娜 ,  张健

IPC分类号： C30B29/16 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  G01K11/32

摘要： 本发明涉及倍半氧化物单晶光纤及其制备方法与应用，该光纤的化学组成为掺杂荧光离子的氧化镥单晶，所述的荧光离子为Tm3+、Yb3+或Ho3+。直径范围:0.7-2.0mm，长度>10cm。本发明采用激光加热基座法生长氧化镥单晶光纤，其熔点高达2510℃。本发明掺杂Tm3+、Yb3+、Ho3+氧化镥单晶光纤结合了单晶光纤高热导率、高硬度、高强度、高韧性、及稳定的化学性能等优良的物化性能，和Tm3+、Yb3+、Ho3+荧光掺杂离子灵敏度高和频带宽等优点，可用作制备新型的高温荧光探测材料。