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公开(公告)号：CN117766557A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311802415.6
申请日：2023-12-25
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种高质量结晶的3C‑SiC外延片，属于半导体制备技术领域。该3C‑SiC外延片为异质外延，且3C‑SiC外延片的DPB小于100个/cm2，其结晶质量远高于现有的3C‑SiC外延片，具有更多的可利用面积，提高其使用率，从而降低了使用其制作的半导体器件的成本，利于工业化推广使用。
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公开(公告)号：CN116970446B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311227243.4
申请日：2023-09-22
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 均可进行处理，普适性强。本发明涉及覆铜基板技术领域，具体涉及碳化硅单晶材料AMB覆铜的前处理溶液、产品及应用，前处理溶液包括第一溶液、第二溶液、第三溶液；第一溶液为盐酸、硫酸、硝酸的混合水溶液；第二溶液为氨水、氢氧化钠、双氧水的混合水溶液；第三溶液为氢氟酸、氟盐、盐酸的混合水溶液；活化碳化硅单晶产品的制备方法为使用第一溶液、第二溶液、第三溶液依次洗涤碳化硅单晶；得到的活化碳化硅单晶产品存放于纯乙醇中。本发明在AMB覆铜前使用三种溶液依次对碳化硅单
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公开(公告)号：CN112329687B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202011279607.X
申请日：2020-11-16
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
IPC分类号： G06V20/69 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/08
摘要： 本申请公开了一种碳化硅衬底位错自动识别方法及系统，用以解决现有的位错识别方法无法进行自动拍照记录，进而无法实现自动识别碳化硅衬底位错的技术问题。方法包括：通过显微镜对待测碳化硅衬底进行自动扫描，并对扫描区域进行自动拍照记录；通过计算机设备接收显微镜发送的与待测碳化硅衬底有关的位错图像，并将位错图像输入至碳化硅衬底位错识别神经网络模型中；基于碳化硅衬底位错识别神经网络模型，对待测碳化硅衬底中的位错进行识别；将碳化硅衬底位错识别神经网络模型输出的位错信息在计算机设备上进行显示。本申请通过上述方法实现了对碳化硅衬底位错扫描区域的自动拍照记录，进而实现了自动识别碳化硅衬底位错的过程。
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公开(公告)号：CN114808128A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210257397.7
申请日：2022-03-16
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种碳化硅籽晶及由其制得的碳化硅单晶片、单晶锭。其中，所述碳化硅单晶片包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽均不大于16arcsec；所述第一表面和第二表面的不同位置处的XRD半高宽的差值不大于5arcsec。本申请的碳化硅单晶片质量较高且不同位置处结晶质量均匀，晶型一致性好。
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公开(公告)号：CN111962157B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010724063.7
申请日：2020-07-24
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种碳化硅晶体微管的愈合方法及碳化硅产品和应用。所述方法包括：S1、将含有贯穿微管的碳化硅晶体完全浸入坩埚内的熔液中；所述熔液的温度低于所述碳化硅晶体的熔点；S2、使所述熔液在所述碳化硅晶体的所述贯穿微管中进行液相生长结晶；S3、将所述碳化硅晶体从所述熔液中取出，获得所述贯穿微管数量降低的碳化硅晶体。本发明能在碳化硅晶体生长完成后进行微管愈合，无需在碳化硅晶体生长过程中进行调节，操作简单方便，便于实施，可有效降低碳化硅晶体中的微管数量，提高晶体的质量，还可以提高碳化硅产品应力分布均匀性、提高碳化硅产品导电性能。
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公开(公告)号：CN113638047B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110947961.3
申请日：2021-08-18
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种阻挡碳化硅晶体边缘位错向内滑移的方法，包括：步骤一、构造热场：将坩埚置于保温罩中，再将坩埚连同保温罩置于长晶炉生长腔中，保温罩包括保温盖，保温盖的底部开设有与保温筒同轴的圆形凹槽，圆形凹槽的直径至少小于碳化硅籽晶直径1mm，且大于等于碳化硅籽晶直径的三分之二；步骤二、利用热场制备碳化硅晶体，以使得获得的碳化硅晶体的靠近边缘处形成与圆形凹槽的槽侧壁位置大致对应的环形形貌，所述环形形貌的宽度为100‑600微米。本申请提供的阻挡碳化硅晶体边缘位错向内滑移的方法，能够获得边缘位置具有一定宽度的环形形貌的碳化硅晶体，该环形形貌能够阻挡形貌外侧的边缘位错向其内侧滑移，提升碳化硅晶体中部区域的晶体质量。
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公开(公告)号：CN113652750A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110950669.7
申请日：2021-08-18
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种具有环形形貌的碳化硅晶体及其制备方法、加工方法和制得的衬底。该碳化硅晶体具有相对的第一主表面和第二主表面，所述碳化硅晶体具有一个靠近所述碳化硅晶体外周侧的环形形貌，所述环形形貌自第一主表面贯穿延伸至第二主表面，所述环形形貌包括刃位错；所述环形形貌内围绕的区域形成目标碳化硅晶体，所述环形形貌外的原子台阶宽度小于所述环形形貌内的原子台阶宽度。本申请发现一种新型环形形貌，并利用该形成的环形形貌的原子台阶宽度的变化规律，准确切割去掉低质量的碳化硅晶体部分，解决了无法准确去边，去边废料率高、资源浪费的问题，并且进一步提高了去边后的碳化硅晶体的质量和直径。
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公开(公告)号：CN112048769B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010725491.1
申请日：2020-07-24
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种碳化硅晶体微管愈合用装置及应用。该装置包括：真空生长室，内设开口朝上的坩埚，坩埚内能够盛放高温熔液；碳化硅晶体装载装置，位于真空生长室内、坩埚的上方，并且能够上下移动；温度调节装置，能够对真空生长室内部进行温度调节；压力调控装置，能够调节真空生长室内部的压力，包括抽气口和进气口，抽气口设于碳化硅晶体装载装置上方，进气口设于碳化硅晶体装载装置下方。本申请装置可以形成由下至上的气体流动方向，更利于排除碳化硅晶体中贯穿微管内部气体，提高贯穿微管中气体排除效率，有利于使坩埚内的高温熔液进入贯穿微管内部进行微管修复。
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公开(公告)号：CN113284941A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110546515.1
申请日：2021-05-19
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种高质量碳化硅衬底及其制备方法，该碳化硅衬底的平整度指标warp＜20μm，bow＜20μm，所述碳化硅衬底在同一径向上的电阻率相差不超过10Ω·cm。本申请的碳化硅衬底，平整度指标warp和bow均控制在20μm以内，所述碳化硅衬底的电阻率分布均匀，所述高质量碳化硅衬底具有较好的面型参数和电阻率分布均匀性；该制备方法在退火处理中，通过碳化硅晶体的上下表面覆盖第一盖板和第二盖板，第一盖板和第二盖板散热，降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的温度，从而降低了碳化硅晶体籽晶面和生长面的应力，从而减少了碳化硅晶体籽晶面和生长面表面与中心区域应力的差值，改善了碳化硅晶体的面型质量。
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公开(公告)号：CN112522788A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011196712.7
申请日：2020-10-30
申请人： 山东天岳先进科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了一种富氮碳化硅粉料及其制备方法与应用，该富氮碳化硅粉料中氮含量为1.0×1018～1.0×1020atoms/cm3，该富氮碳化硅粉料的粒径为10～200μm。该富氮碳化硅粉料中氮含量较高，可作为原料用于N型碳化硅晶体的生长，有效避免了由于外界通入氮气，容易导致晶体氮掺杂均匀性差的问题。该制备方法通过控制一定的压力和温度，将碳化硅粉料进行稳定的氮化处理，使得碳化硅粉料吸附有较多的氮源，得到的N型碳化硅晶体电导率较均匀、导电稳定、缺陷少，晶体质量高，将其用于晶体衬底和电子器件中有效提高了晶体衬底的质量和电子器件的工作性能。
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