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公开(公告)号：CN103500781B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310455429.5
申请日：2013-09-30
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
摘要： 本发明涉及AlGaInP发光二极管，具体是一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法。本发明解决了现有AlGaInP发光二极管的外延片工艺复杂、成本高、以及出光效率较低的问题。一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片，包括n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-AlxGa1-xAs渐变层、复合式DBR、n-InAlP限制层、有源层、p-InAlP限制层、P型超晶格层、p-GaP窗口层；其中，n-GaAs缓冲层生长于n-GaAs衬底的上表面；n-AlxGa1-xAs渐变层生长于n-GaAs缓冲层的上表面。本发明适用于AlGaInP发光二极管的制造。
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公开(公告)号：CN105071223A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510583257.9
申请日：2015-09-14
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明公开了一种半导体激光器外延片及其制备方法。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlxGa1-xAs下限制层，AlxGa1-xAs下波导层，有源层，AlxGa1-xAs上波导层，p-AlxGa1-xAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层,p-GaAs顶层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上至下而上依次外延生长各层。本发明可以减少电子散失，提高有源区内电子与空穴的辐射复合效率。可以生长出高质量的晶体，能提供更深的载流子阱和更大的增益；应变补偿量子阱具有带阶大，波长漂移速度更低和透明载流子浓度更低等优势。
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公开(公告)号：CN104112799A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410300060.5
申请日：2014-06-26
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/325
摘要： 本发明涉及一种晶格匹配的LED外延结构及其制备方法，本发明涉及一种从成核层、未掺杂层、n型层、发光层和p型层都具极化匹配的氮化物发光二极管外延结构及制备方法，属于光电子技术领域。该外延结构由下至上依次设置有衬底、AlxGa1-x-yInyN成核层、未掺杂的AlxGa1-x-yInyN层、n型掺杂的AlxGa1-x-yInyN层、InaGa1-aN阱层和AlxGa1-x-yInyN垒层构成的多量子阱发光层和p型掺杂的AlxGa1-x-yInyN层。与传统结构相比，该外延结构从成核层开始到发光层区间和P型掺杂层均采用与发光层阱材料相匹配的四元AlxGa1-x-yInyN材料，消除了发光层内阱与垒间的压电极化效应，提高了LED的内量子发光效率。
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公开(公告)号：CN103500781A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310455429.5
申请日：2013-09-30
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司 , 太原理工大学
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/0062 , H01L33/10 , H01L33/12
摘要： 本发明涉及AlGaInP发光二极管，具体是一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法。本发明解决了现有AlGaInP发光二极管的外延片工艺复杂、成本高、以及出光效率较低的问题。一种高效率的AlGaInP发光二极管外延片，包括n-GaAs衬底、n-GaAs缓冲层、n-AlxGa1-xAs渐变层、复合式DBR、n-InAlP限制层、有源层、p-InAlP限制层、P型超晶格层、p-GaP窗口层；其中，n-GaAs缓冲层生长于n-GaAs衬底的上表面；n-AlxGa1-xAs渐变层生长于n-GaAs缓冲层的上表面。本发明适用于AlGaInP发光二极管的制造。
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公开(公告)号：CN104112809A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410299452.4
申请日：2014-06-26
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/483 , H01L33/507 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L33/647 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/0075
摘要： 本发明涉及一种倒装LED芯片及其封装方法，本发明涉及LED技术的相关领域，主要涉及倒装芯片、散热底座及基板。所述倒装LED芯片包括，依次叠加的透明衬底、N型GaN层、载流子复合层、P型GaN层。所述芯片的表面制作有N型电极、P型电极及将二者隔开的绝缘层。所述基板有多种材质制作的基板，所述基板含有金属连接点及与外部链接的电路。所述芯片电极可采用多种方式与基板金属连接点相连制成发光二极管，将此发光二极管放至涂有荧光粉的外壳中就得到了发光器件。本发明得到的发光器件具有功率高、散热效果好、优化封装工艺、节省生产成本等特点。
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公开(公告)号：CN104112802A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410299834.7
申请日：2014-06-26
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
CPC分类号： H01L33/14 , H01L33/0062 , H01L33/06 , H01L33/30
摘要： 本发明涉及一种AlGaInP发光二极管外延片及其制备方法，在图案化后的n-GaAs衬底上外延生长n-GaAs纳米棒核层，然后在n-GaAs纳米棒侧壁上依次外延生长n-InAlP限制层，(AlxGa1-x)0.5In0.5P/(AlyGa1-y)0.5In0.5P多量子阱有源层，p-InAlP限制层，p-GaP覆盖层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上外延生长各层。核-多壳层结构加强了载流子的限制且可抑制载流子在界面处的复合几率和散射几率。LED有源区层生长在纳米棒圆柱形表面，增加了发光面积，可以大大提高发光效率。半导体纳米棒的非平面的几何形状可增加光提取效率，且根据量子约束效应，通过改变纳米棒直径，可以实现多色发光。
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公开(公告)号：CN104112800A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410299246.3
申请日：2014-06-26
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/10 , H01L33/0062
摘要： 本发明提供一种采用复合DBR提高亮度的发光二极管及其制备方法，涉及发光二极管的外延技术领域。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，复合式布拉格反射器(DBR)，n-InAlP限制层，(AlxGa1-x)0.5In0.5P/(AlyGa1-y)0.5In0.5P有源层，p-InAlP限制层，p-(AlxGa1-x)0.5In0.5P过渡层，p-GaP窗口层。其制备方法是：采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在n-GaAs衬底上至下而上依次外延生长各层。本发明的优点是：采用复合DBR来减少衬底对有源区下面的光的吸收，既能反射小角度入射光又能反射大角度入射光，进而提高发光二极管器件的亮度。该发光二级管的制备工艺简单、易于实施，便于推广应用。
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公开(公告)号：CN104112660A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410300093.X
申请日：2014-06-26
申请人： 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30612
摘要： 本发明涉及半导体器件制造技术，具体是一种提GaAs刻蚀均匀性的方法。本发明通过调节溶液配比解决了GaAs湿法刻蚀时引起的不均匀问题。其工艺步骤为：(1)将wafer进行来料清洗；(2)将清洗后的wafer通过黄光制作图形；(3)配置腐蚀液，所述腐蚀液采用体积比为1:2～6:10之间的磷酸、过氧化氢与去离子水配置；(4)使用上述腐蚀液对wafer进行刻蚀；(5)将刻蚀后的wafer进行去胶，并观察测试刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN103779786A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310680505.2
申请日：2013-12-12
申请人： 太原理工大学 , 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
IPC分类号： H01S5/343
摘要： 本发明涉及一种具有插入层量子阱半导体激光器的外延结构，本发明公开了一种具有特殊结构的半导体激光器的制备方法。该结构从下到上依次包括：GaAs衬底；GaAs缓冲层；AIGaAs下限制层；AIGaAs下波导层；有源层；AIGaAs上波导层；AIGaAs上限制层；GaAs覆盖层。在该结构中，有源层的量子阱和垒之间插入了一层薄的GaAs或InP或In组分含量较低(与量子阱中In组分相比较低)的InGaAs层，这可以有效缓解量子阱和垒之间的品格适配，提高界面质量，减小应力，获得较低的阈值电流密度，提升了半导体激光器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN103715605A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310680552.7
申请日：2013-12-12
申请人： 太原理工大学 , 山西飞虹微纳米光电科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种半导体激光器外延片及其制造方法，本发明公开了一种半导体激光器件及其制备方法。在n-GaAs衬底上由下至上外延生长n-GaAs缓冲层，n-AlxGa1-xAs渐变层，n-AlyGa1-yAs下限制层，AlzGa1-zAs下波导层，多个InGaAs量子阱层及相应的GaAsP势垒层，AlzGa1-zAs上波导层，p-AlyGa1-yAs上限制层，p-AlxGa1-xAs渐变层，p-GaAs顶层。空穴浓度的增加使得量子阱内电子与空穴的复合几率增加，器件效率得到提高。本发明提供了一种既能提高半导体激光器效率又能降低外延片制作成本的较为简单实用的方法。
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