-
公开(公告)号：CN110444604A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910829370.9
申请日：2019-09-03
申请人： 常山弘远电子有限公司
IPC分类号： H01L29/861
摘要： 本发明公开了一种AC-DC低压续流二极管芯片结构，涉及半导体器件技术领域。本发明中：上掺杂层和中间本体层之间设有连续闭环沟槽；沟槽的表面依次覆盖有玻璃层和氧化层；上电极层位于连续闭环沟槽中间的上方；下电极层位于下掺杂层的外侧；氧化层延伸至上掺杂层的外侧芯片分离区域；芯片本体掺杂有金属原子。本发明设立了预留分离单元芯片的切割区域，避免分离单元芯片直接或间接作用在钝化保护区域，从而能够提高产品的可靠性；干法开槽加湿法开槽相结合的方法在保证一定沟深的前提下减小沟宽，从而增大上电极层接触面积，减少芯片的面积与成本；玻璃层加氧化层的钝化保护层在满足低压的应用要求同时降低成本。
-
公开(公告)号：CN110517956B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910828391.9
申请日：2019-09-03
申请人： 常山弘远电子有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/268 , H01L21/329 , H01L29/861 , B23K26/082 , B23K26/0622 , B23K26/364 , B23K26/70 , B23K101/40
摘要： 本发明公开了一种二极管芯片用开槽方法及二极管芯片，要解决的是现有二极管芯片中存在的问题。本发明具体步骤如下：步骤一，将基片的待开槽面及背面涂覆光刻胶，得到具有多个单元的连续闭环形状的待开槽面；步骤二，在基片上采用干法开槽法在待开槽面开凿沟槽，得到具有初始沟槽的半成品；步骤三，在半成品的初始沟槽处采用湿法开槽法再进行开凿沟槽，形成具有最终沟槽的半成品；步骤四，去除半成品表面的光刻胶；步骤五，再对半成品进行清洗和烘干，即得到成品。本发明采用干法开槽和湿法开槽相结合的方法，形成沟槽深度深但沟槽宽度窄的造型，保证一定沟槽深度的前提下减小沟槽宽度的问题，从而增大了上电极层接触面积，减少了芯片的成本。
-
公开(公告)号：CN110620139A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910828390.4
申请日：2019-09-03
申请人： 常山弘远电子有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L23/29 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种AC-DC高压续流二极管芯片结构，本发明中：上掺杂层和中间本体层之间设有连续闭环沟槽；沟槽表面依次覆盖多晶硅薄膜、掺氧多晶硅薄膜、玻璃层及氧化层；多晶硅薄膜、掺氧多晶硅薄膜及氧化层延伸至上掺杂层芯片分离区域和连续闭环沟槽之间的中间上方外侧；芯片本体内掺杂有金属原子。本发明通过预留分离单元芯片的切割区域，避免分离单元芯片直接或间接作用在钝化保护区域，从而能够提高产品的可靠性；干法开槽加湿法开槽相结合的方法在保证一定沟深的前提下减小沟宽，从而增大上电极层接触面积，从而减少芯片的面积与成本；致密的多晶硅和掺氧多晶硅及氧化层，锁定可动离子，从而提高600V以上高压产品的应用可靠性。
-
公开(公告)号：CN110517956A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910828391.9
申请日：2019-09-03
申请人： 常山弘远电子有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/268 , H01L21/329 , H01L29/861 , B23K26/082 , B23K26/0622 , B23K26/364 , B23K26/70 , B23K101/40
摘要： 本发明公开了一种二极管芯片用开槽方法及二极管芯片，要解决的是现有二极管芯片中存在的问题。本发明具体步骤如下：步骤一，将基片的待开槽面及背面涂覆光刻胶，得到具有多个单元的连续闭环形状的待开槽面；步骤二，在基片上采用干法开槽法在待开槽面开凿沟槽，得到具有初始沟槽的半成品；步骤三，在半成品的初始沟槽处采用湿法开槽法再进行开凿沟槽，形成具有最终沟槽的半成品；步骤四，去除半成品表面的光刻胶；步骤五，再对半成品进行清洗和烘干，即得到成品。本发明采用干法开槽和湿法开槽相结合的方法，形成沟槽深度深但沟槽宽度窄的造型，保证一定沟槽深度的前提下减小沟槽宽度的问题，从而增大了上电极层接触面积，减少了芯片的成本。
-
公开(公告)号：CN110444604B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201910829370.9
申请日：2019-09-03
申请人： 常山弘远电子有限公司
IPC分类号： H01L29/861
摘要： 本发明公开了一种AC‑DC低压续流二极管芯片结构，涉及半导体器件技术领域。本发明中：上掺杂层和中间本体层之间设有连续闭环沟槽；沟槽的表面依次覆盖有玻璃层和氧化层；上电极层位于连续闭环沟槽中间的上方；下电极层位于下掺杂层的外侧；氧化层延伸至上掺杂层的外侧芯片分离区域；芯片本体掺杂有金属原子。本发明设立了预留分离单元芯片的切割区域，避免分离单元芯片直接或间接作用在钝化保护区域，从而能够提高产品的可靠性；干法开槽加湿法开槽相结合的方法在保证一定沟深的前提下减小沟宽，从而增大上电极层接触面积，减少芯片的面积与成本；玻璃层加氧化层的钝化保护层在满足低压的应用要求同时降低成本。
-
公开(公告)号：CN210223969U
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201921557997.5
申请日：2019-09-18
申请人： 常山弘远电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677
摘要： 本实用新型公开一种芯片自动分类轨道，涉及半导体晶圆加工领域。包括振动片和若干个排向挡台，所述振动片一侧有凸起的芯片挡墙，芯片挡墙外侧设有斜坡，多个所述排向挡台位于芯片挡墙呈隔开间隙分布，所述芯片挡墙高度大于芯片高度的八分之一且小于芯片高度的三分之一，所述的排向挡台的高度加芯片挡墙高度为芯片高度为1.5倍至2倍，所述的振动片上靠近走道一侧还设有第一漏料口和第二漏料口，所述的芯片挡墙内侧的走道终端还设有一块定位挡块，所述振动片的另一侧还有若干个固定孔。本实用新型结构简单，不需要复杂的预先进料轨道排向装置，成本低廉，避免芯片叠加造成的后端测试时吸头损伤芯片，同时避免误判、漏测现象。
-
公开(公告)号：CN219625642U
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202320327964.1
申请日：2023-02-28
申请人： 常山弘远电子有限公司
摘要： 本实用新型提供一种特性检测设备，属于芯片检测技术领域，解决传统的检测设备检测效率低以及缺乏对芯片的保护结构的问题，包括底架、支杆和显示件；所述支杆设有两组，两组支杆的下端通过螺栓安装有两组连接座，连接座通过螺栓安装在在底架上；所述显示件安装在底架上；本实用新型的竖板上安装有直角座，直角座的下端安装有十字板，十字板上安装有四组检测器，检测器与显示器电性连接，在对半导体芯片进行检测时，通过四组检测器对芯片进行检测，与目前的检测设备相比，检测效率更高；通过转动调节杆使滑动块对压板进行挤压，使压板下压在半导体芯片上，实现芯片的固定，橡胶座起缓冲作用，实现对芯片的保护。
-
公开(公告)号：CN217060754U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202123189655.2
申请日：2021-12-18
申请人： 常山弘远电子有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种晶片二次曝光用自动校准装置，涉及晶片加工技术领域，包括：工作台主体、固定部、放置部、防护部和控制部；所述工作台主体上对称焊接有两块支撑板，且工作台主体上还通过螺栓固定连接一个罩体，并且罩体上安装有曝光器。转轴B转动连接在工作台主体上，且转轴B上安装有受力杆，并且工作台主体上还安装有一个用于转轴B回位的弹性件B；转轴B上安装有齿轮C，且齿轮C与齿排啮合，从而当工作人员在放置晶片的时候触碰到受力杆的时候可自动实现挡板的开启，当工作人员放置完毕离开后挡板可自动关闭，解决了需要反复对正，浪费时间；现有装置不具备防护结构，操作人员容易受到辐射问题。
-
公开(公告)号：CN217060399U
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202122700227.5
申请日：2021-11-05
申请人： 常山弘远电子有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本实用新型提供一种半导体芯片电特性自动检测设备，涉及半导体加工技术领域，包括滑杆，滑杆内侧固定连接有导线，导线与控制部相连接，滑杆底端固定连接有限位片，限位片顶端固定连接有复位弹簧，复位弹簧顶端与矩阵管底端相固定，限位片底端固定连接有检测探针，通过左右两组识别摄像头对下方的芯片电路接点进行识别后，将图像信息传输至控制部，可以使控制部控制工作台底部与电路接点相对应位置的检测探针进行通电，通过控制部控制垂直电动推杆运转，使其伸缩部向下延伸带动工作台垂直下移，可以使检测探针由矩阵管底部向下平移接触固定的芯片的电路接点，解决了现有装置通过两个探针对芯片进行检测，检测效率较低的问题。
-
公开(公告)号：CN210847015U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921551672.6
申请日：2019-09-18
申请人： 常山弘远电子有限公司
IPC分类号： B05C13/02
摘要： 本实用新型涉及半导体晶圆加工技术领域，公开了一种涂源吸盘装置，解决了在进行液态源涂覆工艺时，难以使晶圆中心与吸盘中心重合、易导致涂源不均匀的问题，包括吸盘本体、卡座与安装在吸盘本体、卡座之间的橡胶气密圈，吸盘本体的吸附面上设有不等距同心环形凹气槽和汇集于吸盘中心的直线凹气槽，且吸盘本体的外壁上还设置有定位爪，定位爪位于吸盘本体吸附面上直线凹气槽的延伸处，吸盘本体中心吸附面至背面开有贯通的通孔，且吸盘本体底面中心还设有与之一体的固定圆卡环，固定圆卡环末端两侧均开设有快拆销孔，通过在吸盘本体吸附面上的外侧设有定位爪，使晶圆中心与吸盘中心重合，吸盘带动晶圆旋转时是同心旋转，使涂源均匀。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
22 条记录 (耗时 0.039 秒)
