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公开(公告)号：CN103928363B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201410146800.4
申请日：2014-04-11
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T7/0004 , G01N21/4738 , G01N21/55 , G01N21/84 , G01N21/9501 , G01N2021/8477 , G06K9/4661 , G06T7/10 , G06T2207/10152 , G06T2207/30148 , H01L22/12 , H01L29/045 , H04N5/2256 , H04N5/2258
摘要： 本发明提出一种硅片晶向检测方法及检测装置。根据本发明的一种方法：采取摄像装置（包括光源，一个或多个摄像探头）在不同角方向旋转照射硅片并获得相应的反射强度，依此为感兴趣的晶粒在极坐标系中绘制出反射曲线；通过在反射曲线中标识出像素亮度极值，来确定晶粒 正八面体的三个或更多个面的法向，进而计算出所有正八面体法向量，由此就可计算出感兴趣晶粒的晶向。
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公开(公告)号：CN104538493A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410778058.9
申请日：2014-12-15
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/182
摘要： 本发明公开了一种提升晶体硅光伏电池转换效率的方法，该方法的步骤如下：（a）将待处理的硅片置于暗室内，使其接受闪烁光照射处理；（b）再对硅片施加一电场，并确保该电场的电场方向平行于硅片的法线方向；（c）接着对硅片进行刻蚀处理，刻蚀掉聚集于硅片表面的金属杂质层。本发明能够使硅片体内的金属杂质得到有效地去除，从而显著提升电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN102709181B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210141799.7
申请日：2012-05-08
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种提高硅晶体电池片转换效率的方法：硅片在正式制备电池前进行如下的热处理；在氮气、氩气、氦气的一种或几种惰性混合气体气氛中，将硅片以20~200℃/s的速率快速加热至900℃以上，热处理1s~30min，然后以30℃~80℃/s的速率冷却至室温,将硅晶体中沉淀铁转换为间隙铁；将上述热处理后的硅片制备电池片。本发明的有益效果是：在硅片处理阶段通过快速的热处理工艺，将硅片中10%~80%的沉淀铁转换成间隙铁，沉淀铁的含量得到了大幅度的降低，处理后的硅片制备成电池片后，电池片的效率的绝对值提高了0.5%~2%。
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公开(公告)号：CN102703965A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210141805.9
申请日：2012-05-08
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法，具有如下步骤：a)将一定厚度的单晶硅块紧密排列，作为诱导籽晶铺满坩埚底部；b)将边缘晶向与诱导籽晶晶向相同的单晶硅片填充在诱导籽晶缝隙中；c)然后依次将硅料、掺杂元素原料、硅料置于坩埚中；d)抽真空，通入惰性气体，边抽真空边通入惰性气体；e)加热坩埚，熔化硅料；f)定向凝固时，使坩埚底部为冷端，诱导籽晶的未熔化部分诱导硅熔体的凝固生长，得到具有特定晶向的铸锭单晶硅。本发明的有益效果是：通过单晶硅片填充诱导籽晶之间的缝隙，能使晶体缺陷降低50%以上，大大提高了铸锭单晶硅的晶体质量。
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公开(公告)号：CN102590158A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210041868.7
申请日：2012-02-23
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种快速鉴别太阳能级UMG硅片的方法，包括下列步骤：第一步、选取硅片；第二步、检测：利用具有光致荧光或光致发光测试功能的设备进行测试，要求：曝光时间：1～30s，光注入浓度：5.41E16个/cm2～3.06E17个/cm2；第三步、数据分析；第四步、判定：所测试硅片图样的平均亮度值大于180时为太阳能级UMG硅片，小于180时为普通多晶硅硅片。本发明的有益效果是：通过本发明可快速鉴别太阳能级UMG硅片，从源头上杜绝太阳能级UMG硅片流入普通多晶硅太阳能电池制造工序，防止因电池制造工艺的不匹配而导致的大量低效片的产生。
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公开(公告)号：CN102586034A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110458003.6
申请日：2011-12-30
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种晶棒粘棒用清洗液及使用该清洗液的粘棒工艺。清洗液的配比为：羟乙基纤维素∶丙二胺四乙酸∶去离子水＝(0.1％-1.6％)∶(1％-6％)∶(92.4％-98.9％)。一种晶棒粘棒工艺，包括下列步骤：第一步、晶棒前处理；第二步、使用清洗液在超声机中超声清洗晶棒：第三步、漂洗；第四步、使用清洗液在超声机中超声清洗玻璃板；第五步、漂洗；第六步、粘棒。通过该清洗液清洗的晶棒和玻璃板能确保去除黏附在晶棒和玻璃板表面的油污和微小硅粉等杂质颗粒，同时确保清洗后晶棒表面具有良好的润湿性能，降低空气中粉尘等杂质颗粒在晶棒表面的黏附力，改善晶棒和玻璃板表面的洁净度以及附着力，从而降低硅片切割过程中的脱胶掉棒现象，提高切片收益率。
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公开(公告)号：CN102565659A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110459786.X
申请日：2011-12-31
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及太阳能级铸锭多晶硅片表征方法，具有如下步骤：使用荧光光致发光成像仪获得的多晶硅片图像；作多晶硅片图像的亮度频数直方图；以亮度频数直方图的峰值作为阈值，对多晶硅片图像进行对象识别，将其转换为二值矩阵；对得到的二值矩阵进行求和，得到亮区像素点数，其与总像素点数的比值即为洁净晶粒区面积比例ε，用硅片的洁净晶粒区面积比例ε表征最终多晶硅片太阳电池的效率。本发明基于阈值截取图像识别方法的量化处理方法，通过量化缺陷面积来预测电池片的效率，通过实验可以发现硅片的洁净晶粒区面积比例ε与对应的电池效率存在正相关，利用这种正相关性可对硅片进行快速筛选，提高最终产品的质量。
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公开(公告)号：CN102364699A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201110183085.8
申请日：2011-06-30
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种铸锭多晶硅硅片头尾排序的标识方法，包括以下步骤：1)检测：将开方后的铸锭多晶硅晶棒进行红外和少子寿命检测；2)截断：综合红外和少子寿命检测结果确定截断位置，进行截断加工；3)标识：利用激光在截断后晶棒的表面上进行画线标识；4)磨面：将标识后的晶棒进行磨面抛光；5)倒角：将磨面后的晶棒进行倒角；6)粘棒：将倒角后的晶棒通过固化胶粘贴在晶托上；7)切片：将上述晶棒固化一段时间后送入机台进行切片。将铸锭多晶硅晶棒经过本发明标识后进行切片，最终根据线痕在硅片边缘的位置对硅片进行头尾排序，结果可清晰辨别硅片在晶棒中所处的位置，且碎片率没有增加。
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公开(公告)号：CN105316758A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510762162.3
申请日：2015-11-11
申请人： 常州天合光能有限公司
摘要： 本发明涉及一种籽晶的铺设方法，包含以下步骤：A：制作截面为正六边形的单晶硅柱状体籽晶，单晶硅柱状体籽晶的截面法线方向为 晶向，侧面法线方向晶向不做固定要求；B：将籽晶侧面紧密配合地铺满坩埚底面，以籽晶侧面达到紧密配合为标准。本发明通过截面为正六边形的单晶硅柱状体籽晶，相对于传统的四边形籽晶，具有顶角线缝由四条减少至三条，降低了25%，从而大大降低了顶角处缺陷产生的几率。另外正六边形籽晶拼接出的均是正三叉晶界（夹角均为120o），能够承受更大的热应力，从而能够抑制生长过程中热应力导致的缺陷形成及增殖，增强硅片的体少子寿命，提升硅片制备成电池片的转换效率。本发明的另一方面，还提供了一种铸锭单晶生长方法。
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公开(公告)号：CN103151283B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310059668.9
申请日：2013-02-26
申请人： 常州天合光能有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明提出一种多晶硅片晶向的检测方法及检测装置。根据本发明的一种方法：对于多晶硅片表面上的晶粒，通过在不同角方向照射晶粒，获得多个反射强度，并依此在极坐标系中绘制出反射图谱；通过将实际得到的反射图谱和参考反射图谱加以比对，即可确定所照射的晶粒的晶向。本发明还公开了用于实施上述方法的相应检测装置。
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