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公开(公告)号：CN114122674B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202111342961.7
申请日：2021-11-12
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明提出一种基于扇出封装工艺的毫米波封装天线，包括芯片封装层、天线辐射结构、外接衬底焊盘、反射金属层、第一钝化层；外接衬底焊盘设置在芯片封装层下方，反射金属层设置在芯片封装层上方；第一钝化层设置在反射金属层上方，天线辐射结构设置在第一钝化层上方；天线辐射结构通过导体与芯片封装层进行信号传输；芯片封装层通过导体与外接衬底焊盘进行信号传输。本发明中的天线结构通过导体与芯片封装层直接进行信号传输，芯片封装层与外接衬底的焊盘纵向电连接，使得天线与芯片信号传输距离大大缩短，有效地减少了信号在传输过程中的衰减和损耗，提高了天线的传输性能。
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公开(公告)号：CN113410181B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110681179.1
申请日：2021-06-18
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/66
摘要： 本申请公开了一种半导体封装结构，包括均基于玻璃基板制备的芯片模块以及天线模块构建。其中，天线模块与芯片模块呈上下堆叠设计，并通过均基于玻璃通孔技术形成的第一垂直互连结构与第二垂直互连结构实现三维方向的电气连接。通过这一结构设计，不仅能够缩短天线模块与芯片模块的连线长度，减小因互连线太长而带来较大的寄生参数，进而减少因寄生参数导致的电磁损耗；还能够提升纵向方向的封装密度，节约封装面积，提升集成度，进而满足更高集成度要求。再者，芯片模块以及天线模块均基于玻璃基板制备，方便基于玻璃通孔技术的垂直互连结构的形成，进而降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN113871882A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111016956.7
申请日：2021-08-31
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明涉及一种多模宽带滤波微基站天线，包括第一基板、第二基板、挖槽贴片、寄生环、微带线馈电结构、地板；第一基板的上表面设置有挖槽贴片；第二基板设置于第一基板的下方，且与第一基板平行，地板设置于第二基板的下表面；第二基板的上表面设置有寄生环和微带线馈电结构，寄生环对微带线馈电结构呈半包围，挖槽贴片和寄生环形成辐射体，能被微带线馈电结构同时激励，在频带内产生三个辐射模式和两个辐射零点。通过挖槽贴片和寄生环的设置，使天线通过挖槽贴片和寄生环时得到同时激励，产生三种辐射模式和两个辐射零点，保证天线在5G毫米波中的24.25GHz‑27.5GHz频段保持低驻波比，在频段内具有良好带外噪声抑制的特点，实现稳定的辐射方向图特性和滤波性能。
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公开(公告)号：CN113871882B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202111016956.7
申请日：2021-08-31
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明涉及一种多模宽带滤波微基站天线，包括第一基板、第二基板、挖槽贴片、寄生环、微带线馈电结构、地板；第一基板的上表面设置有挖槽贴片；第二基板设置于第一基板的下方，且与第一基板平行，地板设置于第二基板的下表面；第二基板的上表面设置有寄生环和微带线馈电结构，寄生环对微带线馈电结构呈半包围，挖槽贴片和寄生环形成辐射体，能被微带线馈电结构同时激励，在频带内产生三个辐射模式和两个辐射零点。通过挖槽贴片和寄生环的设置，使天线通过挖槽贴片和寄生环时得到同时激励，产生三种辐射模式和两个辐射零点，保证天线在5G毫米波中的24.25GHz‑27.5GHz频段保持低驻波比，在频段内具有良好带外噪声抑制的特点，实现稳定的辐射方向图特性和滤波性能。
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公开(公告)号：CN114122674A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111342961.7
申请日：2021-11-12
申请人： 广东工业大学
摘要： 本发明提出一种基于扇出封装工艺的毫米波封装天线，包括芯片封装层、天线辐射结构、外接衬底焊盘、反射金属层、第一钝化层；外接衬底焊盘设置在芯片封装层下方，反射金属层设置在芯片封装层上方；第一钝化层设置在反射金属层上方，天线辐射结构设置在第一钝化层上方；天线辐射结构通过导体与芯片封装层进行信号传输；芯片封装层通过导体与外接衬底焊盘进行信号传输。本发明中的天线结构通过导体与芯片封装层直接进行信号传输，芯片封装层与外接衬底的焊盘纵向电连接，使得天线与芯片信号传输距离大大缩短，有效地减少了信号在传输过程中的衰减和损耗，提高了天线的传输性能。
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公开(公告)号：CN113410181A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110681179.1
申请日：2021-06-18
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H01L23/15 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/66
摘要： 本申请公开了一种半导体封装结构，包括均基于玻璃基板制备的芯片模块以及天线模块构建。其中，天线模块与芯片模块呈上下堆叠设计，并通过均基于玻璃通孔技术形成的第一垂直互连结构与第二垂直互连结构实现三维方向的电气连接。通过这一结构设计，不仅能够缩短天线模块与芯片模块的连线长度，减小因互连线太长而带来较大的寄生参数，进而减少因寄生参数导致的电磁损耗；还能够提升纵向方向的封装密度，节约封装面积，提升集成度，进而满足更高集成度要求。再者，芯片模块以及天线模块均基于玻璃基板制备，方便基于玻璃通孔技术的垂直互连结构的形成，进而降低工艺成本。
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公开(公告)号：CN118740123A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410891686.1
申请日：2024-07-04
申请人： 广东工业大学
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/687
摘要： 本申请涉及一种多路径的高速高线性度栅压自举开关电路，包括：包括MOS管MS、MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、电容C1、电容C2以及反相器I 1，其中，MOS管MS的栅极与MOS管M2的栅极、MOS管M5、MOS管M9的漏级相连；MOS管MS的漏级与MOS管M14的漏级、电容C2的上级板、输出信号VOUT相连；MOS管MS的源极与MOS管M1的漏级、MOS管M14的源极以及输入信号VI N相连；MOS管MS的衬底与MOS管M1的源极、MOS管M2、MOS管M3的源极、MOS管M7的漏级、MOS管M14的衬底、电容C1的下级板相连。本申请能够显著加快栅压自举的速度以及栅压自举开关电路采样的速度。
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公开(公告)号：CN117543226A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202410017562.0
申请日：2024-01-05
申请人： 广东工业大学
摘要： 本公开的实施例提供一种相控阵封装天线及其制作方法。该相控阵封装天线包括：天线阵列、射频芯片、第一玻璃介质层、第二玻璃介质层、基底。第一玻璃介质层被布置在天线阵列与射频芯片之间以隔离天线阵列与射频芯片。天线阵列经由贯穿第一玻璃介质层的一个或多个第一玻璃通孔与射频芯片的相应焊盘电连接。第二玻璃介质层中设置有从第二玻璃介质层的第一表面向内的空腔。空腔的开口朝向第一玻璃介质层。射频芯片被布置在空腔中。射频芯片的焊盘位于射频芯片的第二表面上。射频芯片的第二表面与第二玻璃介质层的第一表面齐平。第二玻璃介质层的第三表面与基底的第四表面相向布置。第二玻璃介质层的第三表面是与第二玻璃介质层的第一表面相对的表面。
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公开(公告)号：CN117543226B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410017562.0
申请日：2024-01-05
申请人： 广东工业大学
摘要： 本公开的实施例提供一种相控阵封装天线及其制作方法。该相控阵封装天线包括：天线阵列、射频芯片、第一玻璃介质层、第二玻璃介质层、基底。第一玻璃介质层被布置在天线阵列与射频芯片之间以隔离天线阵列与射频芯片。天线阵列经由贯穿第一玻璃介质层的一个或多个第一玻璃通孔与射频芯片的相应焊盘电连接。第二玻璃介质层中设置有从第二玻璃介质层的第一表面向内的空腔。空腔的开口朝向第一玻璃介质层。射频芯片被布置在空腔中。射频芯片的焊盘位于射频芯片的第二表面上。射频芯片的第二表面与第二玻璃介质层的第一表面齐平。第二玻璃介质层的第三表面与基底的第四表面相向布置。第二玻璃介质层的第三表面是与第二玻璃介质层的第一表面相对的表面。
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