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公开(公告)号：CN117722957B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311573239.3
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： G01B11/02
摘要： 本发明提供了一种磁栅式光纤光栅大量程位移传感器，包括：第一磁探头、第二磁探头和磁栅尺；第一磁探头包括第一等强度梁、第一光栅光纤和第一永磁体；第一等强度梁的自由端固定第一永磁体；第二磁探头包括第二等强度梁、第二光栅光纤和第二永磁体；第二等强度梁的自由端固定所述第二永磁体；第一永磁体的磁极与第二永磁体的磁极同向布置；磁栅尺包括等间距阵列的多个磁栅永磁体，并且相邻两个磁栅永磁体的磁极反向布置；第一永磁体和第二永磁体之间的间距L满足如下关系：L＝(m±1/4)τ，其中，m为正整数，τ为相邻两个同向布置的所述磁栅永磁体的间距。本发明提高实现了温度解耦控制，实现大量程的位移精确测量。
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公开(公告)号：CN117760472A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311581812.5
申请日：2023-11-23
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
摘要： 本发明提供了一种基于阵列波导光栅的变温解调系统，包括宽谱光源、环形器、FBG阵列、集成有阵列波导光栅的温度控制电路、PD阵列、放大滤波电路、A/D信号处理单元、FPGA和上位机。该系统的核心器件为阵列波导光栅，它用于解复用从FBG反射回来的光；上位机则用于采集经FPGA反馈的阵列波导光栅各个通道的输出光功率，以及控制温度控制电路改变阵列波导光栅的温度。本发明在不降低解调精度的前提下，提升解调的动态范围及波长分辨率。
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公开(公告)号：CN117748299A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311571423.4
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
摘要： 本发明提供了一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层，有源层的一个级联周期包括势垒层、第一GaInAs深势阱层、第二GaInAs深势阱层，以及制备在第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层之间的六个复合阶梯阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和0.4nm厚的AlAs层；第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层为GaInAs深势阱层，六个复合阶梯阱层为复合阶梯阱层。本发明的能带结构具有宽而平坦且具有高增益的增益谱，可应用于制备宽波段可调谐量子级联激光器。
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公开(公告)号：CN117747692A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
摘要： 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN117745555A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311572257.X
申请日：2023-11-23
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
摘要： 本发明提供了一种基于双偏微分方程的多尺度红外和可见光图像的融合方法，包括：S1、采用双偏微分方程分别对红外图像和可见光图像多次迭代进行分解，提取红外图像和可见光图像不同尺度的细节图，红外图像和可见光图像的基础图，红外图像的红外纹理细节图；S2、分别计算红外图像和可见光图像的平方计算显著图；S3、获取红外图像和可见光图像的权重图；S4、对红外图像和可见光图像不同尺度的细节图进行融合，得到第一融合图；对红外图像和可见光图像的基础图进行融合，得到第二融合图；S5、将第一融合图和第二融合图进行融合，完成多尺度红外和可见光图像的融合。本方法不仅充分利用了图像特性，还捕捉到了多层细节，融合结果更符合人类视觉特性。
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公开(公告)号：CN115857099A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211340279.9
申请日：2022-10-28
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
摘要： 本发明提供了一种石墨烯混合硅基Fano共振调制器，包括：绝缘体上硅基层，以及在所述绝缘体上硅基层上形成的微环谐振器结构，其中，所述微环谐振器结构包括直波导和环形波导，在所述直波导的耦合区域开设一个或多个空气洞；在所述绝缘体上硅基层上铺设单层石墨烯，其中，所述单层石墨烯覆盖所述微环谐振器结构。与现有的硅基光学调制器相比，本发明结构简单，占用空间少，易于生产，能够实现更高的开关速率和调制速率。
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公开(公告)号：CN117748299B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311571423.4
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
摘要： 本发明提供了一种复合阶梯阱和嵌套高势垒的量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层，有源层的一个级联周期包括势垒层、第一GaInAs深势阱层、第二GaInAs深势阱层，以及制备在第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层之间的六个复合阶梯阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和0.4nm厚的AlAs层；第一GaInAs深势阱层和第二GaInAs深势阱层为GaInAs深势阱层，六个复合阶梯阱层为复合阶梯阱层。本发明的能带结构具有宽而平坦且具有高增益的增益谱，可应用于制备宽波段可调谐量子级联激光器。
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公开(公告)号：CN117747691B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311563148.1
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种双色势垒型GaSb基InAs/InAsSb异质结光电晶体管，衬底，在衬底上外延生长缓冲层、第一接触层、第一异质结、第二异质结和第二接触层，以及沿第二接触层、第二异质结、第一异质结蚀刻至第一接触层的台阶；第一接触层上形成第一金属电极，第二接触层上形成第二金属电极，并且第二接触层、第二异质结、第一异质结和第一接触层的蚀刻表面沉积钝化层；第一异质结为中波异质结，第二异质结为长波异质结；第一接触层为中波N型接触层，第二接触层为长波N型接触层。本发明具有高响应度、高光电增益、高探测率、低暗电流、低串扰等优点，实现对多个波段的探测。
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公开(公告)号：CN117855304A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311561443.3
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供了一种InAs/GaSb红外探测器，包括GaSb衬底，以及在GaSb衬底上依次生长的GaSb缓冲层、InAs/GaSb超晶格下接触层和InAs/GaSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格上接触层和InAs盖层；其中，在InAs/GaSb超晶格上接触层和InAs/GaSb超晶格吸收层之间插入InAs/GaSb/AlSb/GaSb势垒层。本发明针对InAs/GaSb二类超晶格红外探测器暗电流较高的问题，将“M”结构应用于nBn型中波红外探测器的势垒结构，从能带设计角度实现能带的灵活调节，结合新型钝化工艺，有效实现暗电流水平的降低。
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