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公开(公告)号：CN118936531A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411056549.2
申请日：2024-08-02
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
摘要： 本发明公开了一种铰链互补的宽频段光纤光栅传感器及其制备方法，光纤光栅传感器包括相互连接的第一传感单元和第二传感单元，第一传感单元和第二传感单元分别包括基座、铰链和质量块，质量块的第一端通过铰链与基座连接，质量块的第二端与基座之间连接有刻写有光栅的光纤，其中，第二传感单元的质量块的质量小于第一传感单元的质量块的质量，以使第二传感单元谐振峰处于第一传感单元的谐振平坦区，且第一传感单元谐振峰处于第二传感单元的谐振平坦区。本发明第二传感单元谐振峰处于第一传感单元的谐振平坦区，且第一传感单元谐振峰处于第二传感单元的谐振平坦区，使得两个传感单元的工作区互补，增大了光纤光栅传感器的测量频段。
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公开(公告)号：CN118676239B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN118884607A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411390757.6
申请日：2024-10-08
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： G02B6/12
摘要： 本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。
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公开(公告)号：CN118676239A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202411147335.6
申请日：2024-08-21
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
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公开(公告)号：CN115939236B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202211315089.1
申请日：2022-10-26
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/101
摘要： 本发明提供了一种中长波双色红外探测器，包括：GaSb衬底；在GaSb衬底生长的GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层生长的长波通道下接触层，其中，长波通道下接触层为100nm厚的14InAs/7GaSb超晶格，并进行Si掺杂；在长波通道下接触层生长的长波通道吸收层，其中，长波通道吸收层为1600nm厚的14InAs/7GaSb超晶格；在长波通道的吸收层生长的公共势垒层，其中，公共势垒层为100nm厚的AlGaSb；在公共势垒层生长的中波通道吸收层，其中，中波通道吸收层为2000nm厚的InAs/InAsSb超晶格；在中波通道吸收层生长的中波通道上接触层，其中，中波通道上接触层为100nm厚的InAs/InAsSb超晶格，并进行Si掺杂；在中波通道上接触层生长的顶电极层，在GaSb缓冲层生长的底电极层。本发明降低器件暗电流，提高器件探测性能，具有良好的探测效果。
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公开(公告)号：CN117748297B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311568948.2
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
摘要： 本发明提供了一种长波红外大功率量子级联激光器的有源层，量子级联激光器包括InP衬底，以及在InP衬底上制备的有源层；有源层包含多个级联周期，单个级联周期包括势垒层、第一深阱层、三个晶格匹配的浅阱层、三个复合阱层和第二深阱层；势垒层包括第一Al0.63In0.37As层和AlAs高势垒层；三个晶格匹配的浅阱层包括第一浅阱层、第二浅阱层和第三浅阱层；三个复合阱层包括第一复合阱层、第二复合阱层和第三复合阱层。本发明引用单周期有源区设计中引入特定复合比的复合阶梯阱来实现不同波长激射的设计思想，结合晶格匹配和应变平衡体系的优点，在势垒嵌套AlAs高势垒，设计出较了高增益的能带结构，在能带方面提升长波红外量子级联激光器输出功率。
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公开(公告)号：CN117747687B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311568685.5
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/09 , H01L31/18 , H01L21/67
摘要： 本发明提供了一种应变平衡的红外探测器吸收区及制备方法，红外探测器吸收区采用多量子阱或超晶格结构，每个周期至少包括第一Ge层，以及在第一Ge层外延生长的Ge1‑xSnx外延层，GeSn外延层上生长的第二Ge层，以及在第二Ge层外延生长的Si1‑yGey薄膜层。本发明在Ge1‑xSnx中插入Si1‑yGey薄膜层，采用周期交替生长外延方法，利用外延中断特点释放应力，形成Ge1‑xSnx/Si1‑yGey应变平衡多量子阱结构或超晶格，调控高锡组分锗锡材料中的应变，实现较厚高质量晶体材料和抑制锡分凝目的，并有效提升高锡组分材料的外延厚度，进而有助于提升器件量子效率，实现高锡组分的高性能、高量子效率和长探测截止波长的红外探测。
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公开(公告)号：CN117747692B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
摘要： 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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公开(公告)号：CN115732594B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211308872.5
申请日：2022-10-25
申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/10
摘要： 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，InAs/GaSb超晶格生长过程按照如下方法控制炉源开关时间：打开Sb炉源的快门6s；同时打开In和Sb炉源的快门0.9s，进行InSb层的生长；关闭Sb炉源快门，同时打开In和As炉源的快门24.2s，进行InAs层的生长；关闭In炉源快门，仅打开As炉源快门6s；同时打开In和Sb炉源快门进行InSb界面层的生长；同时打开Ga和Sb炉源快门，进行GaSb层的外延生长。本发明可有效降低As背景压强扰动对于超晶格生长的影响，精确控制InAs五三比，提高超晶格晶体质量，提高红外探测器件性能。
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公开(公告)号：CN116542128A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310308209.3
申请日：2023-03-28
申请人： 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
IPC分类号： G06F30/27 , A61B90/00 , G01L5/00 , G01L25/00 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06F119/14
摘要： 本发明提供了一种基于BP神经网络的压力传感器测量精度优化方法，包括：S1、获取样本数据，包括：柔性阵列式压力传感器的标定压力值、柔性阵列式压力传感器不同温度下的输出电压值，以及不同温度下温度传感器的输出电压值；S2、将获取的样本数据进行归一化处理：S3、将归一化处理后的柔性阵列式压力传感器不同温度下的输出电压值，以及归一化处理后的不同温度下温度传感器的输出电压值，作为BP神经网络的输入，对BP神经网络进行训练；S4、将柔性阵列式压力传感器不同温度下的输出电压值，以及不同温度下温度传感器的输出电压值，输入BP神经网络，输出柔性阵列式压力传感器的测量压力值。本发明有效提高传感器输出的测量压力值的精度。
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