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    基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法
    1.
    发明授权
    基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN118676239B

    公开(公告)日：2024-11-05

    申请号：CN202411147335.6

    申请日：2024-08-21

    申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 ,  北京信息科技大学

    发明人： 祝连庆 ,  肖惠锦 ,  鹿利单 ,  陈伟强 ,  董明利 ,  何彦霖

    IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。

    基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法
    2.
    发明公开
    基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN118884607A

    公开(公告)日：2024-11-01

    申请号：CN202411390757.6

    申请日：2024-10-08

    申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 ,  北京信息科技大学

    发明人： 祝连庆 ,  尚钰 ,  鹿利单 ,  陈伟强 ,  董明利 ,  何彦霖

    IPC分类号： G02B6/12

    摘要： 本发明公开了一种基于梯度沟槽线结构的片上集成解波复用器件及设计方法，该解波复用器件在SOI平台的波导硅层上沿长度方向顺次刻蚀有第一层沟槽线组和第二层沟槽线组，其中，第一层沟槽线组为聚焦层，复用光波耦入聚焦层内，聚焦层将复用光波中的第一波长光波进行聚焦，将复用光波中的其他波长光波折射到第一波长光波焦点的两侧范围内；第二层沟槽线组为波分层，波分层对不同波长光波产生不同的等效折射率，以使不同波长的光波沿不同路径输出，实现复用光波的解复用。本发明结构设计直观，通过聚焦方法减少光波损耗，解决了传统设计中的复杂性、损耗高和调控性不足的问题，且器件体积小、重量轻，便于集成和部署。

    基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法
    3.
    发明公开
    基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法 有权

    公开(公告)号：CN118676239A

    公开(公告)日：2024-09-20

    申请号：CN202411147335.6

    申请日：2024-08-21

    申请人： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 ,  北京信息科技大学

    发明人： 祝连庆 ,  肖惠锦 ,  鹿利单 ,  陈伟强 ,  董明利 ,  何彦霖

    IPC分类号： H01L31/105 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

    摘要： 本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。

    一种感算一体的光子计算芯片
    9.
    发明公开
    一种感算一体的光子计算芯片 审中-实审

    公开(公告)号：CN117608357A

    公开(公告)日：2024-02-27

    申请号：CN202311801417.3

    申请日：2023-12-26

    申请人： 北京信息科技大学

    发明人： 祝连庆 ,  杜锦翼 ,  鹿利单 ,  陈光 ,  陈伟强 ,  董明利

    IPC分类号： G06E1/02

    摘要： 本发明提供了一种感算一体的光子计算芯片，包括：绝缘体上硅基层，在所述绝缘体上硅基层阵列多个微环谐振器，每个微环谐振包括直波导和微环，其中，在所述微环表面均匀集成二维材料MoTe2。本发明在绝缘体上硅材料设计阵列多个微环谐振器，每个微环谐振器的微环集成二维材料MoTe2，对光信号直接输入进行图像处理，实现提高光子计算芯片的光子计算速度与效率。

    一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面及测试系统
    10.
    发明授权
    一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面及测试系统 有权

    公开(公告)号：CN117784291B

    公开(公告)日：2024-09-24

    申请号：CN202311810095.9

    申请日：2023-12-26

    申请人： 北京信息科技大学

    发明人： 祝连庆 ,  王尚 ,  鹿利单 ,  董明利 ,  何彦霖 ,  陈伟强 ,  陈光

    IPC分类号： G02B1/00 ,  G01N21/3563

    摘要： 本发明提供了一种基于光子晶体的宽谱段多光谱超表面，包括阵列的多个光子晶体单元结构；每一个所述光子晶体单元结构包括3×3组光子晶体阵列，每一组光子晶体具有不同周期的光子晶体；每一组光子晶体阵列的参数如下：光子晶体的厚度为光子晶体的晶格常数的一半，光子晶体的孔穴半径为0.4μm～2.8μm，光子晶体的晶格常数为1μm～3.6μm；光子晶体阵列的相邻两行之间，对应的光子晶体之间的连线与水平线的夹角θ为30°～90°。本发明实现对不同波段光的准确识别和测量，长波红外8‑10μm激光的多光谱兼容和识别。