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公开(公告)号：CN101663101B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200880012921.2
申请日：2008-05-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: B05C13/00
CPC classification number: H01L21/6838 , H01L21/67115
Abstract: 本发明提供支撑、定位及旋转基板的设备与方法。一实施例中，支撑基板的支撑组件包括上底板与下底板。基板浮动于上底板上方的气体薄层上。定位组件包括多个空气轴承边缘辊或气流气穴，用于以要求的方向在上底板上方内定位基板。多个斜向穿孔或气流气穴设于上底板中以让气体流过好旋转基板以确保处理过程的均匀加热。
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公开(公告)号：CN103177990A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310055788.1
申请日：2009-09-09
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: F27B17/0025 , F27D5/0037 , F27D21/0014 , H01L21/67109 , H01L21/67115
Abstract: 本发明公开一种冷却改进的快速热处理灯头。一种用于热处理中的灯头，包括：整体件，具有多个冷却剂通道和多个灯通道及多个反射腔，其中各个灯通道设置以容纳灯，并且各个反射腔经构形以作为反射器或用以接收所述灯的可替换式反射器，且其中所述多个冷却剂通道是配置邻近所述多个灯通道；及至少一个热传送件，自所述整体件延伸进入各个冷却剂通道，其中所述至少一个热传送件延伸进入各个冷却剂通道高达各个冷却剂通道的整个高度。一些实施例中，灯头可配置在设备中，所述设备包括具有基材支撑件的处理腔室，其中灯头经配置以提供能量至基材支撑件。
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公开(公告)号：CN103151290B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310043222.7
申请日：2008-05-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6838 , H01L21/67115
Abstract: 提供支撑、定位及旋转基板的设备与方法。一实施例中，支撑基板的支撑组件包括上底板与下底板。基板浮动于上底板上方的气体薄层上。定位组件包括多个空气轴承边缘辊或气流气穴，用于以要求的方向在上底板上方内定位基板。多个斜向穿孔或气流气穴设于上底板中以让气体流过好旋转基板以确保处理过程的均匀加热。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102132381B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN200980132544.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/00 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3141 , C23C16/405 , C23C16/45544 , C23C16/45582 , H01L21/31645 , Y10T117/10 , Y10T137/87249
Abstract: 在此提供了用于气体输送组件的方法和装置。在一些实施方式中，所述气体输送组件包括气体入口漏斗，所述气体入口漏斗具有第一容积；以及气体导管，所述气体导管具有入口和出口，所述入口接收气体，所述出口促使所述气体流出所述气体导管并进入所述第一容积，其中所述气体导管具有第二容积，所述第二容积小于所述第一容积，以及一截面，所述截面从最接近所述入口的第一截面向最接近所述出口的第二截面增大，其中所述第二截面是非圆形的。在一些实施方式中，各导管具有一纵轴，所述纵轴与所述气体入口漏斗的中心轴交叉。
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公开(公告)号：CN102017068B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN200980116146.X
申请日：2009-05-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 强德拉塞卡·巴拉苏布拉曼亚姆 , 海尔德·李 , 米里亚姆·施瓦兹 , 伊莉莎白·吴 , 凯达尔纳什·桑格姆
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: F16K15/147 , C23C16/4401 , C23C16/45519 , F16K51/02 , H01L21/67772
Abstract: 本发明提出用以增加流动均匀度的方法与设备。在某些具体实施例中，提出了具有增加的流动均匀度的狭缝阀，上述狭缝阀可包含：外壳，所述外壳具有开口，所述开口经设置而贯穿所述外壳，上述开口配置成允许基板穿过；气体入口，所述气体入口形成于上述外壳中；外气室，所述外气室设置于所述外壳中并且所述外气室耦接至所述气体入口；内气室，所述内气室设置于所述外壳中并且所述内气室经由多个孔而耦接至所述外气室；以及多个气体出口，所述多个气体出口设置于所述外壳中，并且所述多个气体出口以流体的方式将所述开口耦接至所述内气室。
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公开(公告)号：CN103151290A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310043222.7
申请日：2008-05-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6838 , H01L21/67115
Abstract: 提供支撑、定位及旋转基板的设备与方法。一实施例中，支撑基板的支撑组件包括上底板与下底板。基板浮动于上底板上方的气体薄层上。定位组件包括多个空气轴承边缘辊或气流气穴，用于以要求的方向在上底板上方内定位基板。多个斜向穿孔或气流气穴设于上底板中以让气体流过好旋转基板以确保处理过程的均匀加热。
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公开(公告)号：CN101911281B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200980102395.3
申请日：2009-01-14
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/687 , H01L21/205 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/6838 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/68792
Abstract: 本发明的实施例涵盖处理期间用来支撑、定位及旋转基板的方法、设备和系统。本发明的实施例还包括控制处理腔室内基板与基板支撑件间的传热的方法。在一或多个处理步骤，例如快速热处理(RTP)工艺、化学汽相沉积(CVD)工艺、物理汽相沉积(PVD)工艺、原子层沉积(ALD)工艺、干法蚀刻工艺、湿式清洁工艺及/或激光退火处理期间，所述设备和方法不需复杂、昂贵又常不可靠的组件来正确定位及旋转基板。
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公开(公告)号：CN101896995B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880120627.3
申请日：2008-12-18
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 曾明贵(迈克尔) , 诺曼·塔姆 , 横田义孝 , 阿古斯·查德拉 , 罗伯特·纳瓦斯卡 , 梅德赫拉恩·贝赫贾特 , 森德·拉马默蒂 , 凯达尔纳什·桑格姆 , 亚历山大·N·勒纳
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67115 , F27D7/06 , H01L21/67017 , H01L21/67098
Abstract: 本发明的实施例提供用于改善热处理期间的气体分布的设备及方法。本发明的一个实施例提供一种用于处理基板的设备，该设备包括：腔室主体，该腔室主体界定一处理容积；基板支撑件，该基板支撑件设置于该处理容积中，其中该基板支撑件配置以支撑并旋转该基板；气体入口组件，该气体入口组件耦接至该腔室主体的入口，并配置以提供第一气流至该处理容积；以及排气组件，该排气组件耦接至该腔室主体的出口，其中该气体入口组件及该排气组件设置在该腔室主体的相对侧，且该排气组件界定配置以延伸该处理容积的排气容积。
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