公开(公告)号：CN107810546A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201680023572.9

申请日：2016-03-30

申请人： 应用材料公司

发明人： 刘杰 ,  S·朴 ,  A·王 ,  Z·崔 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

CPC分类号： H01L21/02057 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

摘要： 描述了一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆叠的方法。该方法可涉及包含氟的远程等离子体及包含氟及远程等离子体中未激发的含氮与氢的前驱物的局部等离子体以移除氧化硅。该方法可随后涉及惰性物种的局部等离子体以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)并且处理非晶硅层，以为移除作准备。该方法可随后涉及利用相同基板处理区域内可能的若干选项移除经处理的非晶硅层。通孔的底部可随后具有已暴露的单晶硅，此已暴露的单晶硅有益于外延单晶硅膜生长。本文所呈现的方法可特别适用于三维NAND(例如，VNAND)装置形成。

公开(公告)号：CN107810546B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201680023572.9

申请日：2016-03-30

申请人： 应用材料公司

发明人： 刘杰 ,  S·朴 ,  A·王 ,  Z·崔 ,  N·K·英格尔

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

摘要： 描述了一种自通孔移除非晶硅/氧化硅膜堆叠的方法。该方法可涉及包含氟的远程等离子体及包含氟及远程等离子体中未激发的含氮与氢的前驱物的局部等离子体以移除氧化硅。该方法可随后涉及惰性物种的局部等离子体以潜在地移除任何薄碳层(光阻剂的残留物)并且处理非晶硅层，以为移除作准备。该方法可随后涉及利用相同基板处理区域内可能的若干选项移除经处理的非晶硅层。通孔的底部可随后具有已暴露的单晶硅，此已暴露的单晶硅有益于外延单晶硅膜生长。本文所呈现的方法可特别适用于三维NAND(例如，VNAND)装置形成。