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公开(公告)号：CN112262228A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201980039055.4
申请日：2019-06-07
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏希尔·安瓦尔 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉
IPC: C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本文中描述的实施方式提供改进被沉积的膜或待蚀刻的膜的均匀性的气体分布组件。所述气体分布组件的一个实施方式包括扩散器，所述扩散器具有顶部扩散板和设置在所述顶部扩散板中的多个第一气体通道区段。各第一气体通道与设置在所述顶部扩散板中的至少一个流体通道邻近。各流体通道与设置在所述顶部扩散板中的供应通道连接，所述供应通道具有被配置成可与热交换器的流体供应导管耦接的供应入口。各流体通道与设置在所述顶部扩散板中的返回通道连接。具有返回出口的返回通道被配置成可与所述热交换器的流体返回导管耦接。底部扩散板与所述顶部扩散板耦接。
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公开(公告)号：CN118366840A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410387986.6
申请日：2020-04-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏希尔·安瓦尔 , 吴玉伦 , J·库德拉 , 卡尔·A·索伦森 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉
IPC: H01J37/32 , C23C16/455 , C23C16/505
Abstract: 本文描述的实施方式提供一种用于独立地控制在腔室的内部容积内的等离子体密度和气体分配的腔室的盖组件。所述盖组件包括等离子体生成系统和气体分配组件。所述等离子体生成系统包括多个介电板，所述介电板具有相对于真空压力取向的底表面和可操作以相对于大气压力取向的顶表面。一个或多个线圈定位在所述多个介电板上或上方。所述气体分配组件包括第一扩散器和第二扩散器。所述第一扩散器包括与所述第二扩散器的多个第二通道相交的多个第一通道。
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公开(公告)号：CN113811978B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202080032706.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏希尔·安瓦尔 , 吴玉伦 , J·库德拉 , 卡尔·A·索伦森 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实施方式提供一种用于独立地控制在腔室的内部容积内的等离子体密度和气体分配的腔室的盖组件。所述盖组件包括等离子体生成系统和气体分配组件。所述等离子体生成系统包括多个介电板，所述介电板具有相对于真空压力取向的底表面和可操作以相对于大气压力取向的顶表面。一个或多个线圈定位在所述多个介电板上或上方。所述气体分配组件包括第一扩散器和第二扩散器。所述第一扩散器包括与所述第二扩散器的多个第二通道相交的多个第一通道。
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公开(公告)号：CN112823406B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980066147.1
申请日：2019-09-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朴范洙 , R·L·迪纳 , 吴桑贞 , 古田学 , 艾伦·K·刘 , 李建恒 , 赵来 , 崔寿永 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉 , 陈威廷 , 杨晓玲 , 徐成航 , 成元镐 , 洪贤英
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114127902A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201980098501.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏希尔·安瓦尔 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉 , 吴玉伦 , J·库德拉 , 卡尔·A·索伦森
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/683 , H01L21/02 , H05H1/46 , G02F1/13 , H01L51/56
Abstract: 本文描述的多个实施方式提供了一种用于在腔室的内部空间内的等离子体密度和气体分配的独立控制的盖板。所述盖组件包括气体分配组件，所述气体分配组件包括多个扩散板，所述扩散板的一部分由介电板分隔，其中所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表面中的槽和形成在所述槽的表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的一个或多个孔口。
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公开(公告)号：CN112823406A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980066147.1
申请日：2019-09-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朴范洙 , R·L·迪纳 , 吴桑贞 , 古田学 , 艾伦·K·刘 , 李建恒 , 赵来 , 崔寿永 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉 , 陈威廷 , 杨晓玲 , 徐成航 , 成元镐 , 洪贤英
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。
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公开(公告)号：CN119998920A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380070601.7
申请日：2023-09-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容涉及一种天线阵列。天线阵列包括多个电介质窗、主框架与多个副框架，多个电介质窗耦合到包括多个气体端口的支撑结构、主框架包括连接到电源的主导管，多个副框架由主框架支撑。副框架包括连接到主导管的副导管。多个感应耦合器，多个感应耦合器设置在多个电介质窗上方并由副框架支撑。多个电感耦合器，多个电感耦合器包括多个天线连接器和多个天线。多个天线连接器将多个天线连接到副导管。
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公开(公告)号：CN113811978A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080032706.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏希尔·安瓦尔 , 吴玉伦 , J·库德拉 , 卡尔·A·索伦森 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实施方式提供一种用于独立地控制在腔室的内部容积内的等离子体密度和气体分配的腔室的盖组件。所述盖组件包括等离子体生成系统和气体分配组件。所述等离子体生成系统包括多个介电板，所述介电板具有相对于真空压力取向的底表面和可操作以相对于大气压力取向的顶表面。一个或多个线圈定位在所述多个介电板上或上方。所述气体分配组件包括第一扩散器和第二扩散器。所述第一扩散器包括与所述第二扩散器的多个第二通道相交的多个第一通道。
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公开(公告)号：CN112352064A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980043559.3
申请日：2019-06-06
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏希尔·安瓦尔 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉
IPC: C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/505 , H01J37/32
Abstract: 本文所述的实施方式提供改善沉积膜层或蚀刻膜层的一致性的基板支撑组件。每个基板支撑组件包括单流向流体与双流向流体中的一者，通过基板支撑件的底板使多余的热量可被移除，和/或将将热量提供至基板支撑件以维持预定的支撑件温度。预定的支撑件温度是基于工艺参数而设置的温度，使得在处理期间，基板的均匀温度分布可独立于等离子体的强度而被维持，导致沉积膜层具有改善的膜层厚度一致性，或是蚀刻膜层具有改善的一致性。
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