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公开(公告)号：CN119234291A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380037143.7
申请日：2023-02-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , C23C16/24 , C23C16/515
Abstract: 描述了制造具有低氢含量的含硅层的示例性方法。该方法包括使沉积气体流入处理腔室的基板处理区域，其中沉积气体包括含硅气体和氢气。由基板处理区域中的沉积气体产生沉积等离子体。该方法进一步包括由沉积等离子体在基板上沉积含硅层，其中该含硅层的特征在于小于或约6mol.％的氢的氢含量。该方法还包括在含硅层上形成非晶硅层，其中非晶硅层包括小于或约1wt.％的微晶硅。
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公开(公告)号：CN103014677B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210496884.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/244
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32935
Abstract: 本发明基本上涉及一种电容耦合的等离子体(CCP)处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量在所述处理腔内的等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大，杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外，RF接地带可能断裂。通过增大腔背板和腔壁之间的间隔，可以将杂散电容最小化。此外，可以通过在背板而不是在匹配网络测量等离子体的状态来监控等离子体。在这样的测量中，可以分析等离子体的谐波数据以展示腔中的等离子体处理状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112823406B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980066147.1
申请日：2019-09-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朴范洙 , R·L·迪纳 , 吴桑贞 , 古田学 , 艾伦·K·刘 , 李建恒 , 赵来 , 崔寿永 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉 , 陈威廷 , 杨晓玲 , 徐成航 , 成元镐 , 洪贤英
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。
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公开(公告)号：CN103014677A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210496884.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/244
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32091 , H01J37/32183 , H01J37/32935
Abstract: 本发明基本上涉及一种电容耦合的等离子体(CCP)处理腔、一种用于减小或防止杂散电容的方法和一种用于测量在所述处理腔内的等离子体状态的方法。由于CCP处理腔尺寸上的增大，杂散电容有会对工艺产生负面影响的趋势。此外，RF接地带可能断裂。通过增大腔背板和腔壁之间的间隔，可以将杂散电容最小化。此外，可以通过在背板而不是在匹配网络测量等离子体的状态来监控等离子体。在这样的测量中，可以分析等离子体的谐波数据以展示腔中的等离子体处理状态。
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公开(公告)号：CN115428117A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080098883.8
申请日：2020-04-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容的某些方面提供了用于通过等离子体频谱在动态等离子体提升条件下进行过程控制和监控的技术、系统和方法。在一些情况下，在给定腔室的等离子体提升条件期间收集多轮改变的等离子体强度数据，并且求出代表该改变的等离子体强度数据的统计值。根据该数据，求出统计过程控制(SPC)轨迹。获取来自随后的等离子体提升条件的改变的等离子体强度数据，并将该数据与SPC轨迹比较，以确定何时出现异常(例如外部气体、颗粒物或其他污染物)。
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公开(公告)号：CN112823406A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201980066147.1
申请日：2019-09-04
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朴范洙 , R·L·迪纳 , 吴桑贞 , 古田学 , 艾伦·K·刘 , 李建恒 , 赵来 , 崔寿永 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉 , 陈威廷 , 杨晓玲 , 徐成航 , 成元镐 , 洪贤英
IPC: H01J37/32
Abstract: 本公开内容的方面涉及用于在等离子体处理腔室的盖组件内使用的导热间隔件。在一个实施方式中，等离子体处理腔室包括腔室主体和盖组件，所述盖组件耦接至所述腔室主体，从而限定处理空间。所述盖组件包括耦接至所述腔室主体的背板，以及具有从中穿过而形成的多个气体开口的扩散器。所述盖组件还包括设置在所述背板与所述扩散器之间的导热间隔件，以将热从所述扩散器传递至所述背板。所述等离子体处理腔室包括设置在所述处理空间内的基板支撑件。
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公开(公告)号：CN117355920A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202180097882.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种处理套件，包括：基座，基座具有矩形主体，矩形主体包括周边，周边包括与第二长边相对的第一长边，以及与第二短边相对的第一短边，其中短边中的每个短边邻接第一长边和第二长边并延伸在第一长边和第二长边之间且与第一长边和第二长边在相应角部处界接；和多个接地装置，多个接地装置在矩形主体的相应角部之外耦接至矩形主体的周边，其中多个接地装置包含耦接至第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个的四个或更多个侧部接地装置和在第一长边、第二长边、第一短边和第二短边中的每一个上的八个或更多个底部接地装置。
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