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公开(公告)号：CN110651375A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201880032660.4
申请日：2018-04-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L51/56 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L51/00
Abstract: 本公开内容的实施方式大体上描述一种用于利用高密度等离子体化学气相沉积工艺沉积氮化硅(SiN)的阻挡层，特别是通过在沉积工艺期间施加偏压于基板来控制沉积的氮化硅层的膜应力的方法。在一个实施方式中，一种形成膜层的方法包括：加热基板至低于约100℃的基板温度，所述基板设置于处理腔室中的基板支撑件上；使硅前驱物气体和氮前驱物气体流入处理腔室中；施加偏压于电极，所述电极耦接至基板支撑件；形成氮前驱物气体和硅前驱物气体的高密度等离子体；和沉积氮化硅层于基板上。
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公开(公告)号：CN104319221A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410374298.2
申请日：2006-08-29
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32082 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供适于将来自射频(RF)发生器的射频能量输出匹配到可变阻抗负载的射频匹配网络。本发明亦提供用于所述射频匹配网络的系统和方法。本发明包括提供适于共同使电力负载的阻抗与电信号发生器的阻抗匹配的多个电子元件。所述电子元件相对于一个轴对称且同心排列。另外，本发明还可以包括适于使电信号发生器与电子元件电连接的第一连接器。另外，本发明还可以包括适于使负载与电子元件电连接的第二连接器。本发明提供很多其它方案。
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公开(公告)号：CN114127902A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201980098501.9
申请日：2019-07-15
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏希尔·安瓦尔 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉 , 吴玉伦 , J·库德拉 , 卡尔·A·索伦森
IPC: H01L21/67 , C23C16/455 , H01L21/683 , H01L21/02 , H05H1/46 , G02F1/13 , H01L51/56
Abstract: 本文描述的多个实施方式提供了一种用于在腔室的内部空间内的等离子体密度和气体分配的独立控制的盖板。所述盖组件包括气体分配组件，所述气体分配组件包括多个扩散板，所述扩散板的一部分由介电板分隔，其中所述多个扩散板中的每个扩散板包括形成在第一表面中的槽和形成在所述槽的表面和与所述第一表面相对的第二表面之间的一个或多个孔口。
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公开(公告)号：CN113166942A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980082054.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地，并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加器设置于喷头内，其中多个等离子体施加器中的一个等离子体施加器对应于多个穿孔气体扩散构件中的一个穿孔气体扩散构件。进一步地，直流偏压电源耦接至基板支撑组件。
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公开(公告)号：CN104319221B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201410374298.2
申请日：2006-08-29
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32082 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供适于将来自射频(RF)发生器的射频能量输出匹配到可变阻抗负载的射频匹配网络。本发明亦提供用于所述射频匹配网络的系统和方法。本发明包括提供适于共同使电力负载的阻抗与电信号发生器的阻抗匹配的多个电子元件。所述电子元件相对于一个轴对称且同心排列。另外，本发明还可以包括适于使电信号发生器与电子元件电连接的第一连接器。另外，本发明还可以包括适于使负载与电子元件电连接的第二连接器。本发明提供很多其它方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102737949A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210206264.3
申请日：2008-06-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
CPC classification number: H01F17/06 , C23C16/455 , C23C16/505 , H01F27/08 , H01F2017/065 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J2237/0206 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
Abstract: 在大面积等离子体工艺系统中，工艺气体经由喷气头组件而导入腔室中，而喷气头组件可作为RF电极驱动。接地的气体供应管与喷气头为电性隔离。气体供应管不但提供工艺气体，还提供来自远程等离子体源的清洁气体至工艺室。气体供应管的内侧可以维持在低RF场或是零RF场，以避免早期气体在气体供应管中分解，而早期气体在气体供应管中分解可能导致在气体源及喷气头之间形成寄生等离子体。将气体供应通过RF扼流器，则RF场及工艺气体可经过共同位置而导入工艺室中，并因而简化腔室设计。
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公开(公告)号：CN102365906A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080014186.6
申请日：2010-02-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H05H1/36 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J37/32091
Abstract: 为了将RF功率从等离子体腔室的RF输入(40)耦合至等离子体腔室的内部(11)，将RF总线导体(43、44)连接在所述RF输入与等离子体腔室电极(20至26)之间。在一实施例中，RF回流总线导体(53、54)连接至所述腔室的电接地壁(14至18)，且所述RF总线导体与所述RF回流总线导体具有各自的表面，所述各自的表面平行且面对彼此。在另一实施例中，所述RF总线导体具有横剖面，所述横截面具有定向为垂直于所述等离子体腔室电极的表面的最长尺度，所述表面是所述等离子体腔室电极的最接近所述RF总线导体的表面。
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公开(公告)号：CN113166942B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201980082054.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/505 , C23C16/455 , C23C16/458 , H01J37/32
Abstract: 本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地，并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加器设置于喷头内，其中多个等离子体施加器中的一个等离子体施加器对应于多个穿孔气体扩散构件中的一个穿孔气体扩散构件。进一步地，直流偏压电源耦接至基板支撑组件。
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公开(公告)号：CN113811978A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202080032706.X
申请日：2020-04-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 苏希尔·安瓦尔 , 吴玉伦 , J·库德拉 , 卡尔·A·索伦森 , 吉万·普拉卡什·塞奎拉
IPC: H01J37/32
Abstract: 本文描述的实施方式提供一种用于独立地控制在腔室的内部容积内的等离子体密度和气体分配的腔室的盖组件。所述盖组件包括等离子体生成系统和气体分配组件。所述等离子体生成系统包括多个介电板，所述介电板具有相对于真空压力取向的底表面和可操作以相对于大气压力取向的顶表面。一个或多个线圈定位在所述多个介电板上或上方。所述气体分配组件包括第一扩散器和第二扩散器。所述第一扩散器包括与所述第二扩散器的多个第二通道相交的多个第一通道。
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公开(公告)号：CN1925322B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200610112258.6
申请日：2006-08-29
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01J37/32183 , H01J37/32082 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供适于使电力负载的阻抗与电信号发生器的阻抗匹配的设备和方法。本发明包括提供适于共同使电力负载的阻抗与电信号发生器的阻抗匹配的多个电子元件。所述电子元件相对于一个轴对称且同心排列。另外，本发明还可以包括适于使电信号发生器与电子元件电连接的第一连接器。另外，本发明还可以包括适于使负载与电子元件电连接的第二连接器。本发明提供很多其它方案。
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