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公开(公告)号：CN103620740A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280025601.7
申请日：2012-05-11
申请人： 应用材料公司
发明人： 大平·姚
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02118 , H01L21/02274 , H01L21/31155
摘要： 一种在硅基板上选择性沉积的方法，硅基板上形成有裸露硅区与氧化物区。该方法包括将基板置于处理腔室内的晶片支撑件上、引导含碳气体进入反应器、施加偏压至基板、由含碳气体产生等离子体、通过等离子体掺杂工艺将碳离子注入基板上的氧化物区中，及沉积含碳膜于裸露硅区上。
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公开(公告)号：CN108138336A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680057628.2
申请日：2016-09-20
申请人： 应用材料公司
CPC分类号： H01L21/02068 , B08B3/00 , B08B3/106 , B08B5/00 , B08B7/0035 , B08B9/00 , B08B9/027 , C23G1/24 , F01D5/005 , F05D2230/90 , H01L21/02063 , H01L21/76814
摘要： 本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。
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公开(公告)号：CN103620740B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280025601.7
申请日：2012-05-11
申请人： 应用材料公司
发明人： 大平·姚
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02118 , H01L21/02274 , H01L21/31155
摘要： 一种在硅基板上选择性沉积的方法，硅基板上形成有裸露硅区与氧化物区。该方法包括将基板置于处理腔室内的晶片支撑件上、引导含碳气体进入反应器、施加偏压至基板、由含碳气体产生等离子体、通过等离子体掺杂工艺将碳离子注入基板上的氧化物区中，及沉积含碳膜于裸露硅区上。
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公开(公告)号：CN108138336B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN201680057628.2
申请日：2016-09-20
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文提供用于处理基板的方法。在一些实施方式中，一种处理基板的方法，包括以下步骤：将设置于基板处理腔室的处理容积内的基板加热到达约400摄氏度的温度，其中基板包括暴露的导电材料；和将基板暴露于处理气体，以还原导电材料的受污染表面，处理气体包括约80重量％至约100重量％的醇类蒸气。在一些实施方式中，基板进一步包括第一表面，所述第一表面具有形成于第一表面中的开口，其中暴露的导电材料系为设置于基板中并与开口对准的导电材料的一部分，以使得设置于基板中的导电材料的一部分经由开口而暴露。
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公开(公告)号：CN109791866B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201780042531.9
申请日：2017-07-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/505
摘要： 本发明提供一种用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备的实施方式。在一些实施方式中，用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备包括：传导气体管线、第一凸缘、第二凸缘和铁氧体材料块，所述传导气体管线具有第一端和第二端；所述第一凸缘耦接至所述第一端；所述第二凸缘耦接至所述第二端，其中所述传导气体管线延伸穿过所述第一凸缘和第二凸缘，且所述传导气体管线在所述第一凸缘和所述第二凸缘之间延伸；和所述铁氧体材料块围绕所述第一凸缘和所述第二凸缘之间的所述传导气体管线。
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公开(公告)号：CN109791866A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780042531.9
申请日：2017-07-07
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/505
摘要： 本发明提供一种用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备的实施方式。在一些实施方式中，用于射频(RF)处理设备中的气体输送设备包括：传导气体管线、第一凸缘、第二凸缘和铁氧体材料块，所述传导气体管线具有第一端和第二端；所述第一凸缘耦接至所述第一端；所述第二凸缘耦接至所述第二端，其中所述传导气体管线延伸穿过所述第一凸缘和第二凸缘，且所述传导气体管线在所述第一凸缘和所述第二凸缘之间延伸；和所述铁氧体材料块围绕所述第一凸缘和所述第二凸缘之间的所述传导气体管线。
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公开(公告)号：CN107447203A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710277189.2
申请日：2017-04-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/458 , C23C16/4404 , C23C16/455 , C23C16/45512 , C23C16/45561
摘要： 本文公开了一种气体供应线组件和使用所述气体供应线组件的处理设备。在一些实施方式中，气体供应线组件包括：电介质主体；延伸穿过所述电介质主体的至少一个通道；和设置在所述至少一个通道中的电介质管，其中所述通道的内直径大于所述电介质管的外直径使得在所述电介质管的外壁与所述通道的内壁之间形成间隙。
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