公开(公告)号：CN110582845B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN201880028696.5

申请日：2018-07-12

申请人： 应用材料公司

发明人： 马伯方 ,  赛沙德利·甘古利 ,  陈世忠 ,  拉杰什·沙西亚那拉亚南 ,  阿达西·巴苏 ,  董琳 ,  吉田尚美 ,  柳尚澔 ,  吴立其

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/02

摘要： 膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。

公开(公告)号：CN112470263A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201980030050.5

申请日：2019-05-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 杰奎琳·阮奇 ,  吴立其 ,  吴湘宁 ,  马伯方 ,  尚浩·于 ,  F·G·瓦西纳诺特 ,  诺布尤基·佐佐木

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01S3/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

摘要： 提供了一种用于增加基板上的铝层的反射率的方法及设备。在一些实施方式中，一种在基板上沉积铝层的方法，包括以下步骤：利用化学气相沉积(CVD)工艺在基板上沉积钴或钴合金层或钛或钛合金层；若损害钴或钴合金层的顶表面，则在约400摄氏度的温度下利用热氢退火预处理钴或钴合金层；和在约120摄氏度的温度下利用CVD工艺在钴或钴合金层或钛或钛合金层上沉积铝层。可实现钴或钴合金层的预处理达约60秒至约120秒的持续时间。

公开(公告)号：CN110709534B

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN201880018717.5

申请日：2018-03-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 张闻宇 ,  唐薇 ,  杨逸雄 ,  林政汉 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  董琳 ,  德鲁·菲利普斯 ,  斯里维迪亚·纳塔拉詹 ,  阿塔什·巴苏 ,  卡利亚潘·穆图库马尔 ,  大卫·汤普森 ,  马伯方

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/56

摘要： 沉积具有受控制量的碳的氮化铝钛膜的方法。所述方法包括将基板表面暴露于钛前驱物、氮反应物和铝前驱物，其中在每次暴露之间进行净化。

公开(公告)号：CN110870048A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880027819.3

申请日：2018-08-20

申请人： 应用材料公司

发明人： 杨逸雄 ,  马伯方 ,  唐薇 ,  张闻宇 ,  陈世忠 ,  林政汉 ,  林志周 ,  徐翼 ,  雷雨 ,  吉田尚美 ,  林东 ,  西达斯·克里希南

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

摘要： 用于形成半导体结构的设备与方法，包括：于高k介电层顶上沉积掺杂堆叠，所述掺杂堆叠具有第一表面，其中所述掺杂堆叠包括至少一个第一金属层、至少一个第二金属层、和至少一个第三金属层，所述第一金属层具有第一表面，所述第二金属层包括第一铝掺杂剂和第一表面，所述第三金属层位于所述第二金属层的所述第一表面顶上，其中所述第二金属层位于所述第一金属层的所述第一表面顶上；在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积退火层；将所述结构退火，而使至少所述第一铝掺杂剂扩散进入所述高k介电层中；移除所述退火层；和在所述掺杂堆叠的所述第一表面顶上沉积至少一个功函数层。

公开(公告)号：CN104221132B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201380019857.1

申请日：2013-04-12

申请人： 应用材料公司

发明人： 汤静 ,  李哲峰 ,  马伯方 ,  戴维·汤普森

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本文描述含锰膜以及用于提供含锰膜的方法。将含锰膜掺杂Co、Mn、Ru、Ta、Al、Mg、Cr、Nb、Ti或V允许含锰膜的铜阻挡性质增强。本文还描述提供具有包括硅酸锰的第一层和包括含锰膜的第二层的膜的方法。

公开(公告)号：CN112470263B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201980030050.5

申请日：2019-05-02

申请人： 应用材料公司

发明人： 杰奎琳·阮奇 ,  吴立其 ,  吴湘宁 ,  马伯方 ,  尚浩·于 ,  F·G·瓦西纳诺特 ,  诺布尤基·佐佐木

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01S3/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

摘要： 提供了一种用于增加基板上的铝层的反射率的方法及设备。在一些实施方式中，一种在基板上沉积铝层的方法，包括以下步骤：利用化学气相沉积(CVD)工艺在基板上沉积钴或钴合金层或钛或钛合金层；若损害钴或钴合金层的顶表面，则在约400摄氏度的温度下利用热氢退火预处理钴或钴合金层；和在约120摄氏度的温度下利用CVD工艺在钴或钴合金层或钛或钛合金层上沉积铝层。可实现钴或钴合金层的预处理达约60秒至约120秒的持续时间。

公开(公告)号：CN111989762A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201980026264.5

申请日：2019-04-11

申请人： 应用材料公司

发明人： 蹇国强 ,  唐薇 ,  林志周 ,  马伯方 ,  杨逸雄 ,  张镁 ,  刘雯伊

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/67 ,  C23C16/455

摘要： 本公开内容涉及一种在基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜的方法，包括：调节基板温度、一或多个时间上分开的气相脉冲的持续时间、钨前驱物与钛前驱物的比率、或反应的压力中的一或多项以将p金属功函数氮化物膜的功函数调谐为期望p功函数；和使基板与钨前驱物、钛前驱物、及反应气体的时间上分开的气相脉冲接触以在所述基板上形成具有期望p功函数的p金属功函数氮化物膜。

公开(公告)号：CN107447203A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710277189.2

申请日：2017-04-25

申请人： 应用材料公司

发明人： 大平·姚 ,  海曼·W·H·拉姆 ,  江·吕 ,  迪-业·吴 ,  参·许 ,  马伯方 ,  梅·常

IPC分类号： C23C16/455

CPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45512 ,  C23C16/45561

摘要： 本文公开了一种气体供应线组件和使用所述气体供应线组件的处理设备。在一些实施方式中，气体供应线组件包括：电介质主体；延伸穿过所述电介质主体的至少一个通道；和设置在所述至少一个通道中的电介质管，其中所述通道的内直径大于所述电介质管的外直径使得在所述电介质管的外壁与所述通道的内壁之间形成间隙。

公开(公告)号：CN104221132A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201380019857.1

申请日：2013-04-12

申请人： 应用材料公司

发明人： 汤静 ,  李哲峰 ,  马伯方 ,  戴维·汤普森

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/76843 ,  C23C16/34 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76867 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本文描述含锰膜以及用于提供含锰膜的方法。将含锰膜掺杂Co、Mn、Ru、Ta、Al、Mg、Cr、Nb、Ti或V允许含锰膜的铜阻挡性质增强。本文还描述提供具有包括硅酸锰的第一层和包括含锰膜的第二层的膜的方法。

公开(公告)号：CN107078036B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201580058667.X

申请日：2015-11-05

申请人： 应用材料公司

发明人： 艾华 ,  吕疆 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  马伯方 ,  柳尚澔 ,  刘风全 ,  付新宇 ,  叶伟锋

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  H01L23/532

摘要： 在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。