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公开(公告)号：CN107710386A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680032137.2
申请日：2016-05-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L29/51 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/28176 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01L21/3105 , H01L29/517
摘要： 本文描述的实施方式大体涉及用于等离子体处理工艺腔室的方法和设备。基板可放置在工艺腔室中，所述基板具有形成于其上的栅极堆叠，且含氢等离子体可用于处理栅极堆叠，以消除栅极堆叠中的缺陷。由于含氢等离子体处理，栅极堆叠具有较低的泄漏和改良的可靠度。为了保护工艺腔室免受含氢等离子体产生的Hx+离子和H*自由基的影响，可在没有基板置放于工艺腔室中的情况下且在含氢等离子体处理之前，用等离子体处理工艺腔室。此外，由介电材料制成的工艺腔室的部件可用陶瓷涂层涂覆，所述陶瓷涂层包括含钇氧化物，以保护这些部件免受等离子体的影响。
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公开(公告)号：CN107710386B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201680032137.2
申请日：2016-05-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L29/51 , H01J37/32
摘要： 本文描述的实施方式大体涉及用于等离子体处理工艺腔室的方法和设备。基板可放置在工艺腔室中，所述基板具有形成于其上的栅极堆叠，且含氢等离子体可用于处理栅极堆叠，以消除栅极堆叠中的缺陷。由于含氢等离子体处理，栅极堆叠具有较低的泄漏和改良的可靠度。为了保护工艺腔室免受含氢等离子体产生的Hx+离子和H*自由基的影响，可在没有基板置放于工艺腔室中的情况下且在含氢等离子体处理之前，用等离子体处理工艺腔室。此外，由介电材料制成的工艺腔室的部件可用陶瓷涂层涂覆，所述陶瓷涂层包括含钇氧化物，以保护这些部件免受等离子体的影响。
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公开(公告)号：CN101874292B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200880117690.1
申请日：2008-12-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/34
CPC分类号： H01L21/68742 , H01J37/321 , H01J37/32623 , H01L21/67069 , H01L21/68735
摘要： 本发明一般地提供在处理过程中控制边缘表现的方法与设备。本发明一个实施例提供的设备包括界定处理空间的腔室主体、设置以将处理气体流入处理空间的气体入口、及配置于处理空间中的支撑底座。支撑底座包括顶部平板，其具有设置以于背侧上接收并支撑基板的基板支撑表面、与设置以沿着基板的外边缘围绕基板的边缘表面，而基板的顶表面与边缘表面间的高度差用来控制基板的边缘区域对处理气体的暴露。
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