公开(公告)号：CN106169415B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201610796315.0

申请日：2014-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  慧雄·戴 ,  曹勇 ,  许廷军 ,  郑伟民 ,  谢鹏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06

Abstract: 一种用于多图案化应用的光调谐硬掩膜。本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。

公开(公告)号：CN106169415A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610796315.0

申请日：2014-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  慧雄·戴 ,  曹勇 ,  许廷军 ,  郑伟民 ,  谢鹏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06

Abstract: 一种用于多图案化应用的光调谐硬掩膜。本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。

公开(公告)号：CN105190840B

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201480024930.9

申请日：2014-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  慧雄·戴 ,  曹勇 ,  许廷军 ,  郑伟民 ,  谢鹏

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。

公开(公告)号：CN105190840A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480024930.9

申请日：2014-05-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 ,  丹尼尔·李·迪尔 ,  慧雄·戴 ,  曹勇 ,  许廷军 ,  郑伟民 ,  谢鹏

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0337 ,  C23C14/0042 ,  C23C14/06 ,  C23C14/14 ,  C23C14/351 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144

Abstract: 本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。