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公开(公告)号：CN108064411A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201680032642.7
申请日：2016-06-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0234 , H01L21/0214 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02266
摘要： 在一些实施方式中，一种在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括：(a)经由物理气相沉积工艺在基板的第一表面的顶部上沉积介电层至第一厚度；(b)向物理气相沉积工艺腔室的处理区域提供第一等离子体形成气体，其中第一等离子体形成气体包括氢，而不包括碳；(c)向基板支撑件提供第一量的偏压功率以自物理气相沉积工艺腔室的处理区域内的第一等离子体形成气体形成第一等离子体；(d)使介电层暴露于第一等离子体中；以及(e)重复(a)至(d)来沉积介电膜至最终厚度。
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公开(公告)号：CN105190840B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201480024930.9
申请日：2014-05-02
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
摘要： 本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。
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公开(公告)号：CN105190840A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480024930.9
申请日：2014-05-02
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： H01L21/0337 , C23C14/0042 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/351 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02266 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/3105 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要： 本文的实施方式提供的方法用于形成PVD氧化硅或富硅氧化物、或PVDSiN或富硅SiN、或SiC或富硅SiC、或前述的组合，包括化合物中含有受控的氢掺杂的变化，以上被称为SiOxNyCz:Hw，其中w、x、y及z可以在从0％到100％的浓度中变化，SiOxNyCz:Hw被生产作为硬掩模，所述硬掩模在曝光波长下的光学特性与光刻胶实质匹配。因此使所述硬掩模相对于所述光刻胶为光学上平坦化的。这允许在所述硬掩模中进行多个光刻和蚀刻的程序，同时所述光刻胶保持基本上无光学形貌或反射率变化。
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公开(公告)号：CN118854233A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410821344.2
申请日：2013-08-07
申请人： 应用材料公司
摘要： 描述了用于GaN基光电与电子器件的控氧PVD AlN缓冲部。亦描述了以控氧方式形成用于GaN基光电与电子器件的PVD AlN缓冲部的方法。在实例中，形成用于GaN基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法涉及反应性溅射AlN层于基板上，反应性溅射涉及使置于物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应。该方法进一步涉及将氧并入AlN层中。
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公开(公告)号：CN113614275B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202080023276.5
申请日：2020-03-18
申请人： 应用材料公司
摘要： 通过以下步骤来在工件上形成包括金属氮化物层的结构：在将所述工件安置在包括金属靶的腔室中之前，通过将氮气及惰性气体以第一流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来预调节所述腔室；在所述预调节步骤之后将所述腔室排气；在所述预调节步骤之后将所述工件安置在所述腔室中的工件支撑件上；及通过将氮气及所述惰性气体以第二流率比流动到所述腔室中，及在所述腔室中点燃等离子体，来在所述腔室中的所述工件上执行金属氮化物层的物理气相沉积。所述第二流率比小于所述第一流率比。
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公开(公告)号：CN113490997A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202080009819.8
申请日：2020-02-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/311
摘要： 本文提供了用于形成包含硬掩模层的膜堆叠并蚀刻此硬掩模层以在膜堆叠中形成特征的方法。于此所述的方法通过在膜堆叠中形成的适当的轮廓管理方案来促进特征的轮廓和尺寸控制。在一个或多个实施方式中，一种用于蚀刻硬掩模层的方法包括以下步骤：在基板上形成硬掩模层，其中硬掩模层包含含金属材料，所述含金属材料包括具有原子数大于28的金属元素；向基板供应蚀刻气体混合物；和蚀刻由光刻胶层暴露的硬掩模层。
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公开(公告)号：CN113366625A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202080012203.6
申请日：2020-01-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/687 , C23C14/50 , H01L21/683
摘要： 本文提供基板载具的实施方式。在一些实施方式中，一种基板载具包括：底板，其中底板是薄的、实心板而不具有通孔或内嵌的部件；和从底板延伸的多个抬升的部分，其中多个抬升的部分包括第一抬升的部分和第二抬升的部分，第一抬升的部分从第二抬升的部分径向向内设置，其中底板和多个抬升的部分界定凹部，凹部构造成保持多个基板，且其中第二抬升的部分的上部表面具有比第一抬升的部分的上部表面更大的表面积。
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公开(公告)号：CN109964303B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201780071488.9
申请日：2017-11-16
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3205
摘要： 在一些实施方式中，在物理气相沉积工艺腔室中处理设置在基板支撑件的顶部上的基板的方法包括以下步骤：(a)在物理气相沉积腔室的处理区域内由工艺气体形成等离子体，其中工艺气体包含惰性气体和含氢气体，以在物理气相沉积腔室的处理区域内从靶材的表面溅射硅；和(b)在基板上的第一层的顶部上沉积非晶硅层，其中调整含氢气体的流动速率以调节经沉积的非晶硅层的光学性质。
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公开(公告)号：CN114223050A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202080055591.6
申请日：2020-06-02
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , G03F7/115
摘要： 本公开内容的多个实施方式一般涉及用作极紫外(EUV)平板印刷术中的掩模的多层堆叠物和用于形成多层堆叠物的方法。在一个实施方式中，方法包括以下步骤：在膜堆叠物之上形成碳层，通过物理气相沉积(PVD)工艺在碳层上形成富金属氧化物层，在富金属氧化物层上形成金属氧化物光刻胶层，和图案化金属氧化物光刻胶层。金属氧化物光刻胶层不同于富金属氧化物层，且通过与PVD工艺不同的工艺形成金属氧化物光刻胶层。通过PVD工艺形成的富金属氧化物层改善了金属氧化物光刻胶层的黏附力，并在EUV平板印刷期间增加次级电子，从而导致EUV剂量能量减少。
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公开(公告)号：CN113614274A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080023267.6
申请日：2020-03-18
申请人： 应用材料公司
摘要： 一种物理气相沉积系统包括：腔室；三个用于靶的靶支撑件；可动屏蔽物，定位为具有穿过所述可动屏蔽物的开口；工件支撑件，用来将工件固持在所述腔室中；气体供应器，用来向所述腔室输送氮气及惰性气体；电源；及控制器。所述控制器被配置为：移动所述屏蔽物以轮流将所述开口定位成与每个靶相邻，及在每个靶处，使所述电源施加足以在所述腔室中点燃等离子体的电力，以分别造成沉积缓冲层、在所述缓冲层上沉积第一材料的器件层、及沉积覆盖层，所述第一材料是在超过8°K的温度下适合用作超导体的金属氮化物。
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