公开(公告)号：CN101496145B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780017771.X

申请日：2007-06-15

申请人： 应用材料公司

发明人： M·巴尔塞努 ,  V·恩古耶 ,  夏立群 ,  D·R·威蒂 ,  H·M'塞德 ,  石美仪 ,  I·罗弗劳克斯

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/3105 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7843

摘要： 可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层之间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。

公开(公告)号：CN101690420B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200880016970.3

申请日：2008-05-13

申请人： 应用材料公司

发明人： J-u·许 ,  M·巴尔塞努 ,  夏立群 ,  V·T·恩古耶 ,  D·R·威蒂 ,  H·M'塞德

IPC分类号： H01L21/318 ,  H05H1/24 ,  C01B21/064

CPC分类号： C23C16/342 ,  C23C16/45523

摘要： 本发明是提供形成含硼薄膜的方法，该方法包括：将含硼前体及含氮前体或含氧前体导入一腔室中；以及在腔室中的一基板上形成氮化硼或氧化硼薄膜。在一实施态样中，该方法包括沉积含硼薄膜，并接着将该含硼薄膜暴露于含氮或含氧前体，以使氮或氧并入薄膜中。含硼薄膜的沉积及将该薄膜暴露于前体的步骤可进行多个循环，以获得具有期望厚度的薄膜。在另一实施态样中，该方法包括使含硼前体与含氮或含氧前体反应，以化学气相沉积氮化硼或氧化硼薄膜。