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公开(公告)号：CN103280446A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310136257.5
申请日：2009-10-21
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/3185 , H01L21/28282 , H01L21/3105 , H01L21/3115 , H01L21/31155 , H01L29/42332 , H01L29/7881 , H01L29/792
摘要： 本发明提供一种闪存装置及形成所述闪存装置的方法，本发明尤其涉及一种具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存。在一个版本中，所述闪存装置包括掺杂氮化硅层，所述掺杂氮化硅层具有包含碳、硼或氧的掺杂剂。所述掺杂氮化硅层在所述层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。
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公开(公告)号：CN115697631A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180040203.1
申请日：2021-12-17
申请人： 应用材料公司
摘要： 本文中提供了先进的基板抛光方法，其使用机器学习人工智能(AI)算法或使用AI来产生的软件应用来控制抛光处理的一个或多个方面。使用从抛光系统获取的基板处理数据来将AI算法训练为仿真抛光处理并且对抛光处理作出预测并且处理根据该预测所预期的结果。
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公开(公告)号：CN103098174A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201180043422.1
申请日：2011-09-28
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45574 , C23C16/463 , C23C16/5096 , H01L21/02274
摘要： 一种基板处理系统包含邻近处理腔室的热处理器或等离子体发生器。第一处理气体进入所述热处理器或等离子体发生器。所述第一处理气体随后直接流动穿过喷头进入所述处理腔室。第二处理气体流动穿过第二流径，所述第二流径经过所述喷头。所述第一处理气体及所述第二处理气体在所述喷头下方混合且在所述喷头下方的基板上沉积材料层。
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公开(公告)号：CN102915925A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210396144.4
申请日：2007-06-22
申请人： 应用材料公司
发明人： D·帕德希 , H-C·哈 , S·拉蒂 , D·R·威蒂 , C·陈 , S·帕克 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·杰纳基拉曼 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , H·姆塞德
IPC分类号： H01L21/314 , H01L21/311 , C23C16/26
CPC分类号： H01L21/3146 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/5096 , C23C16/56 , H01L21/31144
摘要： 一种在基板上沉积无定形碳层的方法包括下列步骤：将基板放置在处理室中；将烃源导入处理室；将重稀有气体导入处理室；以及在处理室中产生等离子体。重稀有气体选自由氩、氪、氙、及其混合物所组成的群组，并且稀有气体的摩尔流速大于烃源的摩尔流速。该方法可包括后沉积终止步骤，其中烃源及稀有气体的流动并终止，并且将等离子体维持在处理室中一段时间以自处理室中移除粒子。
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公开(公告)号：CN102906859A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180024727.8
申请日：2011-05-20
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/30 , C23C16/45523 , H01L21/02112 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/31144 , H01L21/3212 , H01L21/32139
摘要： 提供用于以富含硼的膜处理基板的方法。将富含硼的材料的经图案化层沉积在基板上，且所述富含硼的材料的经图案化层可用来作为蚀刻终止物。通过改变化学成分，可针对不同的蚀刻化学物质来最优化富含硼的材料的选择性及蚀刻速率。可将富含硼的材料以多层沉积在层堆叠基板上，并以一图案进行蚀刻。可接着以多重蚀刻化学物质蚀刻暴露的层堆叠。各个富含硼的层可具有对于多重蚀刻化学物质为最优化的不同化学成分。
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公开(公告)号：CN102460679A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080027470.7
申请日：2010-06-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： C23C16/0272 , C23C16/342 , C23C16/4404 , H01L21/76224 , H01L21/76237
摘要： 一种沉积含硼衬里层于基材上的方法，涉及双层的形成，该双层包括起始层，该起始层包括阻障物材料以抑制硼从该双层到下方基材内的扩散。
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公开(公告)号：CN117943972A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202310359795.4
申请日：2023-04-06
申请人： 应用材料公司
摘要： 一种化学机械抛光装置具有：压板，所述压板支撑抛光垫；载体头，所述载体头包括刚性外壳并被配置为将基板的表面固持抵靠所述抛光垫；电动机，所述电动机用于产生在所述压板与所述载体头之间的相对运动，以便抛光所述基板；原位载体头监测系统，所述原位载体头监测系统包括传感器，所述传感器被定位成与所述外壳相互作用并且检测所述外壳的振动运动并基于检测到的振动运动来生成信号；以及控制器。所述控制器被配置为基于从所述原位载体头监测系统接收的信号来生成载体头状态参数的值，以及基于所述载体头状态参数来改变抛光参数或生成警报。
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公开(公告)号：CN101523357B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200780037481.1
申请日：2007-10-04
申请人： 应用材料公司
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩 , A·班塞尔 , E·Y·朱科 , M·阿优伯 , H-J·金 , K·杰纳基拉曼 , S·拉蒂 , D·帕德希 , M·J·西蒙斯 , V·斯瓦拉马克瑞希楠 , B·H·金 , A·阿巴亚缇 , D·R·威蒂 , H·姆塞德 , A·巴利施尼科夫 , C·陈 , S·刘
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/6831 , C23C16/52 , H01J37/32431 , H01L21/67069 , H01L21/67253
摘要： 本发明提供用以监测与维持等离子反应器中基板的平坦度的方法与设备。本发明的特定实施例提供一种用以处理基板的方法，所述方法至少包含：将基板定位在静电夹具上；施加RF功率于静电夹具中的电极以及反向电极之间，其中反向电极设置成平行于静电夹具；施加DC偏压至静电夹具中的电极，以夹持静电夹具上的基板；以及测量静电夹具的虚拟阻抗。
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公开(公告)号：CN101496145B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780017771.X
申请日：2007-06-15
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/3105 , C23C16/345 , C23C16/56 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/3185 , H01L21/823807 , H01L29/66583 , H01L29/7843
摘要： 可藉由在较高的温度下沉积而提高氮化硅层的应力。采用一种能使基板实际加热至高于400℃的设备(例如，一种陶制而非铝制的加热器)，则初镀的氮化硅膜可展现出增强的应力，使位于其下的MOS晶体管器件的性能得以提升。根据其它实施例，氮化硅沉积膜在高温下暴露于紫外光(UV)下以进行硬化，从而有助于自膜中移除氢并增进膜应力。根据另外的实施例，氮化硅膜利用一种采用多个沉积/硬化循环的集成处理形成，以维护下方凸起特征尖角处的膜层的完整。而相继膜层之间的附着力，则可藉由在每一循环中纳入紫外光硬化后的等离子体处理而获得提升。
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公开(公告)号：CN103503120A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021915.X
申请日：2012-04-27
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02074 , H01L21/76883
摘要： 在此提供一种用于从半导体晶片的含铜与介电质的结构移除氧化铜的方法。所述含铜与介电质的结构可通过化学机械平坦化处理（CMP）平坦化，并且通过所述方法处理所述结构而移除氧化铜与CMP残余物。在氢气（H2）与紫外线（UV）环境中的退火移除氧化铜，而脉冲式氨等离子体移除CMP残余物。
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