公开(公告)号：CN114097069B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202080050133.3

申请日：2020-07-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·舒浩勒 ,  C·T·卡尔森 ,  L·布恩卡特 ,  D·伯拉尼克 ,  K·穆图卡马奇 ,  J·胡金斯 ,  B·莱尔顿

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/68 ,  H01L21/687

Abstract: 示例性基板处理系统可以包括限定传送区域的传送区域壳体，并包括基板支撑件与传送设备。传送设备可包括中心毂，所述中心毂具有壳体，并且包括第一轴与第二轴。壳体可与第二轴耦接，并且可以限定内部壳体容积。传送设备可以包括多个臂，所述多个臂等于多个基板支撑件中的基板支撑件的数量。多个臂中的每个臂可以围绕壳体的外部耦接。传送设备可包括设置在内部壳体容积内的多个臂毂。多个臂毂中的每个臂毂可以通过壳体与多个臂中的臂耦接。臂毂可与中心毂的第一轴耦接。

公开(公告)号：CN111937133B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN201980023657.0

申请日：2019-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·舒浩勒 ,  M·罗勒 ,  T·A·恩古耶

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本文描述的实施例涉及用于在处理内重复定位基座的精确动态调平机构。精密动态调平机构包括轴承组件。具有抵靠基座组件支架的内座圈和抵靠导向配接器的外座圈的轴承组件在内座圈与外座圈之间提供标称间隙，以允许内座圈和外座圈在最小或没有径向运动的情况下彼此滑动。

公开(公告)号：CN112639164A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980057060.8

申请日：2019-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·舒浩勒 ,  J·C·伯拉尼克 ,  A·K·班塞尔

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/505 ,  H01L21/687

Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及具有同轴升降装置的工艺腔室。在一些实施例中，装置包括底部碗升降器和底座升降器两者。底部碗升降器支撑底部碗，并且被配置成将底部碗移动到减小工艺容积的位置。底部碗升降器与底座升降器同轴，并且底部碗升降器和底座升降器被附接以用于真空操作。底座升降器包括多个致动器以创建动态升降机构。两种系统完成了嵌套系统(nested system)，使得底部碗升降器是可调节的，并且可以关闭底部碗，从而创建对称且小的工艺容积。底座升降器可独立地移动到底座升降器的工艺位置，并且沿所期望的方向倾斜，而不受底部碗升降器的干扰，从而增加了经处理的基板上的膜均匀性。

公开(公告)号：CN107735857A

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201680031819.1

申请日：2016-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·T·威弗尔 ,  R·B·沃派特 ,  J·尤多夫斯基 ,  J·M·舒浩勒

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68764 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 描述了用于在批处理腔室中对准大型基座的设备及方法。还描述了用于控制基座相对于气体分配组件的平行的设备及方法。

公开(公告)号：CN117305815A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202311253211.1

申请日：2019-08-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·舒浩勒 ,  J·C·伯拉尼克 ,  A·K·班塞尔

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/687 ,  C23C16/505

Abstract: 本文描述的实施例总体上涉及具有同轴升降装置的工艺腔室。在一些实施例中，装置包括底部碗升降器和底座升降器两者。底部碗升降器支撑底部碗，并且被配置成将底部碗移动到减小工艺容积的位置。底部碗升降器与底座升降器同轴，并且底部碗升降器和底座升降器被附接以用于真空操作。底座升降器包括多个致动器以创建动态升降机构。两种系统完成了嵌套系统(nested system)，使得底部碗升降器是可调节的，并且可以关闭底部碗，从而创建对称且小的工艺容积。底座升降器可独立地移动到底座升降器的工艺位置，并且沿所期望的方向倾斜，而不受底部碗升降器的干扰，从而增加了经处理的基板上的膜均匀性。

公开(公告)号：CN107735857B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201680031819.1

申请日：2016-05-25

Applicant: 应用材料公司

Inventor： W·T·威弗尔 ,  R·B·沃派特 ,  J·尤多夫斯基 ,  J·M·舒浩勒

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

Abstract: 描述了用于在批处理腔室中对准大型基座的设备及方法。还描述了用于控制基座相对于气体分配组件的平行的设备及方法。

公开(公告)号：CN111937133A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980023657.0

申请日：2019-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·舒浩勒 ,  M·罗勒 ,  T·A·恩古耶

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本文描述的实施例涉及用于在处理内重复定位基座的精确动态调平机构。精密动态调平机构包括轴承组件。具有抵靠基座组件支架的内座圈和抵靠导向配接器的外座圈的轴承组件在内座圈与外座圈之间提供标称间隙，以允许内座圈和外座圈在最小或没有径向运动的情况下彼此滑动。

公开(公告)号：CN105826226A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610039843.1

申请日：2016-01-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： J·M·舒浩勒 ,  R·B·沃派特 ,  P·E·波尔甘德 ,  B·B·莱尔顿 ,  D·伯拉尼克 ,  W·T·韦弗

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了对多个晶片提供加热和冷却以减少在处理腔室中的晶片切换之间的时间的晶片和使用方法。晶片被支撑在能够使所有晶片一起移动的晶片升降装置上，或者被支撑在能够移动多个单独的晶片以进行加热和冷却的独立的升降杆上。

公开(公告)号：CN119082711A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411193850.8

申请日：2019-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·A·恩古耶 ,  J·M·舒浩勒 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  D·伯拉尼克 ,  T·乌拉维 ,  A·K·班塞尔 ,  S·巴录佳 ,  马骏 ,  J·C·罗查

IPC: C23C16/509 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  H01R4/66

Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。

公开(公告)号：CN112088426B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201980030846.0

申请日：2019-05-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： T·A·恩古耶 ,  J·M·舒浩勒 ,  爱德华四世·P·哈蒙德 ,  D·伯拉尼克 ,  T·乌拉维 ,  A·K·班塞尔 ,  S·巴录佳 ,  马骏 ,  J·C·罗查

IPC: H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  H05H1/46

Abstract: 此处所述的实施例关于提供较短且对称的路径的接地路径系统，用于将射频(RF)能量传播至接地以减少寄生等离子体的产生。接地路径系统将腔室的处理容积分叉以形成内部容积，内部容积隔绝处理容积的外部容积。