铜晶圆研磨的化学平坦化

    公开(公告)号:CN102893376A

    公开(公告)日:2013-01-23

    申请号:CN201180007351.X

    申请日:2011-05-11

    IPC分类号: H01L21/304

    摘要: 本文所述实施例关于自基板移除材料。更明确地,本文所述实施例关于经由化学机械研磨处理研磨或平坦化基板。一实施例中,提供基板的化学机械研磨(CMP)方法。方法包括将基板暴露于研磨液,基板上形成有导电材料层,且研磨液包括磷酸、一或更多螯合剂、一或更多腐蚀抑制剂与一或更多氧化剂;在导电材料层上形成钝化层;在基板与研磨垫之间提供相对移动,并移除至少一部分的钝化层以暴露一部分的下方导电材料层;及移除一部分的暴露导电材料层。