公开(公告)号：CN102893376A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180007351.X

申请日：2011-05-11

申请人： 应用材料公司

发明人： Y·王 ,  W-C·图 ,  F·Q·刘 ,  L·卡鲁比亚 ,  W·H·麦克林托克 ,  B·L·钦

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/04 ,  H01L21/7684

摘要： 本文所述实施例关于自基板移除材料。更明确地，本文所述实施例关于经由化学机械研磨处理研磨或平坦化基板。一实施例中，提供基板的化学机械研磨(CMP)方法。方法包括将基板暴露于研磨液，基板上形成有导电材料层，且研磨液包括磷酸、一或更多螯合剂、一或更多腐蚀抑制剂与一或更多氧化剂；在导电材料层上形成钝化层；在基板与研磨垫之间提供相对移动，并移除至少一部分的钝化层以暴露一部分的下方导电材料层；及移除一部分的暴露导电材料层。

公开(公告)号：CN106415792B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201580029870.4

申请日：2015-06-18

申请人： 应用材料公司

发明人： W·陆 ,  Z·王 ,  W-C·图 ,  Z·王 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  B·A·斯伟德克 ,  F·C·雷德克 ,  W·H·麦克林托克

IPC分类号： H01L21/30

摘要： 一种用于集成电路的制造的基板具有带有多个导电互连件的层。所述基板包括：半导体主体；设置在所述半导体主体上方的电介质层；导电材料的多个导电线，设置在所述电介质层中的第一沟槽中以提供导电互连件；以及所述导电材料的封闭的导电环路结构，设置在所述电介质层中的第二沟槽中。所述封闭的导电环路不电性连接至导电线中的任一导电线。

公开(公告)号：CN109715342A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780057451.0

申请日：2017-08-25

申请人： 应用材料公司

发明人： J·张 ,  Z·王 ,  H·Q·李 ,  B·J·布朗 ,  W-C·图 ,  W·H·麦克林托克 ,  W·陆

IPC分类号： B24B37/005 ,  B24B49/10 ,  B24B49/12

CPC分类号： B24B37/005 ,  B24B53/017 ,  G01B7/10

摘要： 一种用于化学机械抛光的装置包括：压板，所述压板具有表面以支撑抛光垫；承载头，所述承载头用以保持基板抵靠抛光垫的抛光表面；垫调节器所述垫调节器包括要抵靠抛光表面上被按压的导电体；原位抛光垫厚度监测系统，所述原位抛光垫厚度监测系统包括传感器，所述传感器设置在压板中用以产生通过抛光垫的磁场；以及控制器，所述控制器经配置以从监测系统接收信号并基于对应于传感器在垫调节器的导电体下方的时间的信号的一部分来生成抛光垫厚度的测量。

公开(公告)号：CN106415792A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580029870.4

申请日：2015-06-18

申请人： 应用材料公司

发明人： W·陆 ,  Z·王 ,  W-C·图 ,  Z·王 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  B·A·斯伟德克 ,  F·C·雷德克 ,  W·H·麦克林托克

IPC分类号： H01L21/30

摘要： 一种用于集成电路的制造的基板具有带有多个导电互连件的层。所述基板包括：半导体主体；设置在所述半导体主体上方的电介质层；导电材料的多个导电线，设置在所述电介质层中的第一沟槽中以提供导电互连件；以及所述导电材料的封闭的导电环路结构，设置在所述电介质层中的第二沟槽中。所述封闭的导电环路不电性连接至导电线中的任一导电线。

公开(公告)号：CN103229281A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180055940.5

申请日：2011-11-07

申请人： 应用材料公司

发明人： A·克内奇 ,  J·J·刘 ,  D·帕德希 ,  金秉宪 ,  W·H·麦克林托克

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： H01L21/31144 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

摘要： 本发明提供一种用于在基板上形成非晶形碳层的方法与设备。具有高应力水平的该非晶形碳层的第一部分由具有高稀释比的碳氢化合物前驱物形成，且纳入任选的胺前驱物以添加提升应力的氮。透过减少碳氢化合物前驱物的稀释比以及降低或消除胺气体，而将具有低应力水平的该非晶形碳层的第二部分形成在第一部分上。作为调整前驱物流速的替代或补充，可调整压力、温度、与RF功率输入，并且可使用不同的前驱物以用于不同的应力水平。