公开(公告)号：CN101595559B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200880003395.3

申请日：2008-01-22

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  金柏涵 ,  德里克·R·维迪 ,  伊沙姆·迈'萨德

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/7682 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76835 ,  H01L2221/1047 ,  Y10S438/931

摘要： 本发明提出形成含空隙的结构的方法。在一实施例中，形成镶嵌结构的方法包含沉积多孔的低介电常数层，包括使有机硅化合物与供应成孔剂的前驱物反应，沉积含成孔剂的材料，以及移除至少一部分的含成孔剂的材料；通过供应成孔剂的前驱物反应在多孔的低介电常数层上沉积有机层；在有机层和多孔的低介电常数层中形成特征界定结构；将导电材料填入特征界定结构；在有机层和特征界定结构内的导电材料上沉积掩模层；在掩模层中形成穿孔以露出有机层；透过穿孔移除部分或全部的有机层；以及在导电材料旁形成空隙。