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公开(公告)号：CN105009296A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480012018.1
申请日：2014-03-06
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0649 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7802
摘要： 本申请公开一种半导体器件(100)，其包括具有在垂直漂移区(110)的相对侧上的垂直降低表面场(RESURF)沟槽(112)的实例的垂直MOS晶体管(106)。垂直RESURF沟槽(112)包含在侧壁上的介电沟槽衬垫(114)、下场板(120)和上场板(122)。介电沟槽衬垫(114)在下场板与垂直漂移区(110)之间比在上场板与垂直漂移区(110)之间更厚。栅极(126)被设置在垂直漂移区(110)上方并且与上场板(122)分开。上场板(122)和下场板(120)被电耦合到垂直MOS晶体管的源极电极。
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公开(公告)号：CN103681827B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201310414134.3
申请日：2013-09-12
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331 , H01L27/082
摘要： 本发明涉及具有嵌入式发射极短路触点的快速切换IGBT及其制作方法。呈现了具有带一体发射极短路的高压IGBT的集成电路，以及制造工艺，该制造工艺采用晶片接合或者生长外延硅，用于受控的漂移区厚度和较快的切换速度。
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公开(公告)号：CN103681827A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310414134.3
申请日：2013-09-12
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/08 , H01L21/331 , H01L27/082
CPC分类号： H01L29/66333 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/32053 , H01L29/0834 , H01L29/7395
摘要： 本发明涉及具有嵌入式发射极短路触点的快速切换IGBT及其制作方法。呈现了具有带一体发射极短路的高压IGBT的集成电路，以及制造工艺，该制造工艺采用晶片接合或者生长外延硅，用于受控的漂移区厚度和较快的切换速度。
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公开(公告)号：CN105009296B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201480012018.1
申请日：2014-03-06
申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本申请公开一种半导体器件(100)，其包括具有在垂直漂移区(110)的相对侧上的垂直降低表面场(RESURF)沟槽(112)的实例的垂直MOS晶体管(106)。垂直RESURF沟槽(112)包含在侧壁上的介电沟槽衬垫(114)、下场板(120)和上场板(122)。介电沟槽衬垫(114)在下场板与垂直漂移区(110)之间比在上场板与垂直漂移区(110)之间更厚。栅极(126)被设置在垂直漂移区(110)上方并且与上场板(122)分开。上场板(122)和下场板(120)被电耦合到垂直MOS晶体管的源极电极。
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