公开(公告)号：CN102668381A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080059060.0

申请日：2010-12-22

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： S·徐 ,  J·科瑞克 ,  O·J·洛佩斯

IPC分类号： H03K17/687 ,  H03K17/06

CPC分类号： H03K17/165 ,  H03K17/687

摘要： 下拉MOSFET （110）耦合在开关类型DC-DC功率转换器中的MOSFET主开关晶体管（102）的漏极和栅极之间。下拉MOSFET （110）的栅极通过电容器（118）耦合到主开关晶体管（102）的漏极，并通过电阻器（120）连接到主开关晶体管（102）的源极。下拉MOSFET（110）由对主开关晶体管（102）的电压降的电容耦合来操作且可以用于将主开关晶体管（102）的栅极保持在其源极电位或接近其源极电位，从而避免或降低主开关晶体管（102）由于密勒效应而造成的无意开启。

公开(公告)号：CN103681827B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201310414134.3

申请日：2013-09-12

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·科瑞克 ,  J·M·S·奈尔松 ,  S·彭哈卡

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  H01L27/082

摘要： 本发明涉及具有嵌入式发射极短路触点的快速切换IGBT及其制作方法。呈现了具有带一体发射极短路的高压IGBT的集成电路，以及制造工艺，该制造工艺采用晶片接合或者生长外延硅，用于受控的漂移区厚度和较快的切换速度。

公开(公告)号：CN103681827A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310414134.3

申请日：2013-09-12

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·科瑞克 ,  J·M·S·奈尔松 ,  S·彭哈卡

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L21/331 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L29/66333 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/32053 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/7395

摘要： 本发明涉及具有嵌入式发射极短路触点的快速切换IGBT及其制作方法。呈现了具有带一体发射极短路的高压IGBT的集成电路，以及制造工艺，该制造工艺采用晶片接合或者生长外延硅，用于受控的漂移区厚度和较快的切换速度。

公开(公告)号：CN103782386B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201280043093.5

申请日：2012-07-05

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·王 ,  S·徐 ,  J·科瑞克

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/861

摘要： 功率MOSFET（202）是在半导体器件（200）中由半导体器件的栅极输入节点（204）与功率MOSFET的栅极（206）之间的分流电阻器（208）和二极管接法MOSFET（210）的并联组合形成的。二极管接法MOSFET的栅极（212）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过二极管（220）连接到功率MOSFET的源极节点（218）。二极管接法MOSFET的漏极节点被连接到半导体器件的栅极输入节点（204）。二极管接法MOSFET的源极节点（216）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。功率MOSFET和二极管接法MOSFET被集成到半导体器件的衬底中，以使得二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过pn结与功率MOSFET的源极节点（218）电隔离。

公开(公告)号：CN103782386A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201280043093.5

申请日：2012-07-05

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： J·王 ,  S·徐 ,  J·科瑞克

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/861

摘要： 功率MOSFET（202）是在半导体器件（200）中由半导体器件的栅极输入节点（204）与功率MOSFET的栅极（206）之间的分流电阻器（208）和二极管接法MOSFET（210）的并联组合形成的。二极管接法MOSFET的栅极（212）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过二极管（220）连接到功率MOSFET的源极节点（218）。二极管接法MOSFET的漏极节点被连接到半导体器件的栅极输入节点（204）。二极管接法MOSFET的源极节点（216）被连接到功率MOSFET的栅极（206）。功率MOSFET和二极管接法MOSFET被集成到半导体器件的衬底中，以使得二极管接法MOSFET的源极节点和漏极节点（216,214）通过pn结与功率MOSFET的源极节点（218）电隔离。