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公开(公告)号:CN112702031A
公开(公告)日:2021-04-23
申请号:CN202011097159.1
申请日:2020-10-14
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 赫尔本·威廉·德琼 , 马克·皮耶特·皮耶特·范德海登 , 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特
IPC分类号: H03F3/24
摘要: 本发明描述了一种RF功率放大器,所述RF功率放大器包括并联布置在RF功率放大器输入与RF功率放大器输出之间的第一放大器和第二放大器。相位调整器调整第一放大器信号路径和第二放大器信号路径中的至少一个信号路径上的信号的相位。第一阻抗反相器具有耦合到所述第二放大器的输出的第一阻抗反相器输入和耦合到所述RF功率放大器输出的第一阻抗反相器输出。所述RF功率放大器被配置成取决于操作模式而启用所述第一放大器和所述第二放大器中的至少一个放大器,并且所述第一阻抗反相器被配置成响应于所述操作模式变更而调制所述第二放大器的负载阻抗。
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公开(公告)号:CN105024677A
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201510208606.9
申请日:2015-04-28
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 吉安·霍赫扎德 , 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特
IPC分类号: H03K17/687
CPC分类号: H03K17/687 , H03K17/063 , H03K17/6874 , H03K17/693 , H03K2017/066 , H03K2217/0054
摘要: 描述了一种RF开关装置(400),包括偏置交换电路(30)。偏置交换电路根据RF开关的状态来切换偏置电压。这改善了RF开关的性能而不需要电荷泵电路。
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公开(公告)号:CN107565909B
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN201710450894.8
申请日:2017-06-14
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 马克·皮特·范德海登 , 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特 , 伊万·米特科夫·扎哈里夫
摘要: 一种多尔蒂放大器包括:具有主放大器输出端的主功率放大器;具有峰值放大器输出端的峰值功率放大器;组合节点;在所述主放大器输出端和所述组合节点之间连接的主输出阻抗逆变器;以及在所述峰值放大器输出端和所述组合节点之间连接的变压器。
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公开(公告)号:CN110176909B
公开(公告)日:2023-11-07
申请号:CN201910336881.7
申请日:2019-04-24
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 阿明·哈米迪安 , 马克·皮特·范德海登 , 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特
摘要: 公开了一种功率放大器。所述功率放大器包括多个并联耦合的晶体管。每个晶体管具有控制端和输出端,所述控制端被耦合以接收待放大的信号,并且所述输出端耦合到节点。所述功率放大器还包括匹配网络,所述匹配网络具有输入和输出,所述输入耦合到所述节点,并且所述输出可耦合到负载。所述功率放大器另外包括第一电路支路,所述第一电路支路形成所述功率放大器的扼流圈和谐波陷阱。所述第一电路支路包括第一电感、第二电感和第一电容器。所述第一电感具有第一端和第二端,所述第一端耦合到所述节点,并且所述第二端耦合到所述第二电感的第一端。所述第二电感的第二端耦合到AC接地。所述第一电容器与所述第二电感并联耦合。
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公开(公告)号:CN107565909A
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201710450894.8
申请日:2017-06-14
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 马克·皮特·范德海登 , 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特 , 伊万·米特科夫·扎哈里夫
CPC分类号: H03F1/0288 , H01L23/66 , H01L24/00 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/211 , H03F2200/391 , H03F2200/423 , H03F2200/537 , H03F2200/541
摘要: 一种多尔蒂放大器包括:具有主放大器输出端的主功率放大器;具有峰值放大器输出端的峰值功率放大器;组合节点;在所述主放大器输出端和所述组合节点之间连接的主输出阻抗逆变器;以及在所述峰值放大器输出端和所述组合节点之间连接的变压器。
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公开(公告)号:CN107565908A
公开(公告)日:2018-01-09
申请号:CN201710438464.4
申请日:2017-06-12
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 杰尔博·威廉·德·容 , 马克·皮特·范德海登 , 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特 , 托尼·范胡克 , 吉安·霍赫扎德 , 伊万·米特科夫·扎哈里夫
CPC分类号: H03F1/0288 , H01L23/66 , H01L2223/6655 , H03F1/30 , H03F1/56 , H03F1/565 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/211 , H03F2200/213 , H03F2200/216 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/408 , H03F2200/447 , H03F2200/468 , H03F2200/534 , H03F2200/541 , H04L65/1036 , H04L65/1069 , H04L65/80
摘要: 本发明公开一种多尔蒂(Doherty)放大器电路,所述多尔蒂放大器电路包括:分路器,所述分路器具有用于接收输入信号的分路器输入端、主分路器输出端以及峰值分路器输出端;主功率放大器,所述主功率放大器具有主功率输入端和主功率输出端,其中所述主功率输入端连接到所述主分路器输出端;且所述主功率输出端被配置成提供主功率放大器输出信号;峰值功率放大器,所述峰值功率放大器具有峰值功率输入端和峰值功率输出端,其中所述峰值功率输入端连接到所述峰值分路器输出端;且所述峰值功率输出端被配置成提供峰值功率放大器输出信号。所述分路器、所述主功率放大器及所述峰值功率放大器借助于集成电路被提供。
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公开(公告)号:CN107565908B
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN201710438464.4
申请日:2017-06-12
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 杰尔博·威廉·德·容 , 马克·皮特·范德海登 , 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特 , 托尼·范胡克 , 吉安·霍赫扎德 , 伊万·米特科夫·扎哈里夫
摘要: 本发明公开一种多尔蒂(Doherty)放大器电路,所述多尔蒂放大器电路包括:分路器,所述分路器具有用于接收输入信号的分路器输入端、主分路器输出端以及峰值分路器输出端;主功率放大器,所述主功率放大器具有主功率输入端和主功率输出端,其中所述主功率输入端连接到所述主分路器输出端;且所述主功率输出端被配置成提供主功率放大器输出信号;峰值功率放大器,所述峰值功率放大器具有峰值功率输入端和峰值功率输出端,其中所述峰值功率输入端连接到所述峰值分路器输出端;且所述峰值功率输出端被配置成提供峰值功率放大器输出信号。所述分路器、所述主功率放大器及所述峰值功率放大器借助于集成电路被提供。
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公开(公告)号:CN115276708A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210292214.5
申请日:2022-03-23
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 吉安·霍赫扎德 , 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特 , 亚历山大·西明
摘要: 一种天线开关电路和一种天线电路切换方法。所述电路包括天线端口、终端端口(例如,用于在传输模式下处理从天线反射回来并通过所述天线端口接收的功率)以及接收端口(例如,用于在接收模式下经由所述天线开关电路从所述天线端口接收信号)。所述电路还包括耦合在所述天线端口与所述终端端口之间的第一开关。所述电路另外包括耦合在所述接收端口与位于所述天线端口和所述第一开关之间的节点之间的谐振电感。所述电路还包括耦合在参考电势与位于所述谐振电感和所述接收端口之间的节点之间的第二开关。
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公开(公告)号:CN114725197A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202111454329.1
申请日:2021-12-01
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特 , 阳昕 , 马克·皮特·范德海登 , 卢卡斯·弗雷德里克·蒂梅杰 , 亚历山德罗·巴亚诺
IPC分类号: H01L29/417 , H01L29/423 , H01L23/52 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/28
摘要: 描述一种金属氧化物半导体MOS装置(405),其包括栅极端、至少一个源极端和至少一个漏极端,其中至少一个源极端和至少一个漏极端由金属形成并且连接到数个相应触点通孔。多个局部互连层LIL(470)通过数个相应触点通孔分别连接到至少一个源极端和至少一漏极端,其中分别连接到多个LIL(470)的至少一个源极端和至少一个漏极端被配置成使得:至少一个源极端和至少一个漏极端在第一方向(602)和与第一方向(602)正交的第二方向(604)上不重叠;并且至少一个源极端和至少一个漏极端在第三方向(606)上不重叠或仅一定比例的至少一个源极端和至少一个漏极端重叠,其中第三方向(606)与第一方向(602)和第二方向(604)两者正交。
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公开(公告)号:CN113922804A
公开(公告)日:2022-01-11
申请号:CN202110754313.6
申请日:2021-07-02
申请人: 恩智浦有限公司
发明人: 阳昕 , 马克·皮特·范德海登 , 约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特 , 贾斯珀·皮尔
IPC分类号: H03K17/74
摘要: 一种射频RF开关电路,包括:至少一个第一PiN二极管装置,被配置成吸收或供应第一交流电;以及阻抗变换电路,连接到所述至少一个第一PiN二极管装置且被布置成在所述阻抗变换电路的第一侧与所述阻抗变换电路的第二侧之间提供已变换阻抗。所述RF开关另外包括:第二基于二极管的装置,被配置成供应或吸收第二交流电;以及偏置电路,连接到所述至少一个第一PiN二极管装置和所述第二基于二极管的装置中的至少一个,其中所述至少一个第一PiN二极管装置与所述第二基于二极管的装置协作而作为推挽式电流电路。
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