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公开(公告)号：CN111180997A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911183732.8
申请日：2019-11-27
申请人： 惠州市金百泽电路科技有限公司 , 深圳市金百泽电子科技股份有限公司 , 西安金百泽电路科技有限公司
摘要： 本发明提供一种大功率半导体激光器驱动保护电路，所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管的S极连接；所述MOS管的D极与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管的G极与第二稳压管的一端连接；所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接；所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接；所述第二电阻、第三电容并联设置于第一稳压管与大功率半导体激光器之间的电路。本发明通过调整MOS管门级电压来实现对大功率器件恒流驱动，使大功率激光器稳定可控的工作。
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公开(公告)号：CN213304584U
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202022105450.0
申请日：2020-09-23
申请人： 惠州市金百泽电路科技有限公司 , 西安金百泽电路科技有限公司 , 深圳市金百泽电子科技股份有限公司
IPC分类号： H01S5/0233 , H01S5/02253
摘要： 本实用新型公开了一种带引导帽的半导体激光器，包括晶圆元件、引导帽，所述晶圆元件套设于所述引导帽内部；所述引导帽包括本体，所述本体包括一体连接的第一连接部、第二连接部，所述第一连接部、第二连接部均为圆柱体，所述第二连接部的直径大于所述第一连接部的直径；所述本体内依次设有第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔。本实用新型通过光斑聚焦，提升激光器有效光效率输出，额定功率达90%以上；通过本实用新型引导帽的设置，降低激光器安装难度，提升激光器安装密度。
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公开(公告)号：CN210721196U
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201922079456.2
申请日：2019-11-27
申请人： 惠州市金百泽电路科技有限公司 , 深圳市金百泽电子科技股份有限公司 , 西安金百泽电路科技有限公司
摘要： 本实用新型提供一种功率驱动器件的电时序电路，包括处理器供电电源、大功率器件电源、二极管、第一电容、第一电阻、第二电容、第二电阻、第三电阻、大功率器件；所述第一电容分别与供电电源、第一电阻的一端连接，所述第二电容的一端与供电电源连接，所述第二电阻的一端与供电电源连接；所述二极管的一端与处理器供电电源连接，所述二极管的另一端与大功率器件连接；所述第三电阻的两端分别连接大功率器件电源、大功率器件。本实用新型利用RC延时电路，使处理器在上电时有足够的初始化时间，并通过拉高UC3705逻辑器件的使能引脚，使大功率器件保持确定的通断状态。本实用新型电路结构简单，成本低廉，能够有效防止大功率器件产生误触发现象。
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公开(公告)号：CN213426554U
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202022108431.3
申请日：2020-09-23
申请人： 惠州市金百泽电路科技有限公司 , 西安金百泽电路科技有限公司 , 深圳市金百泽电子科技股份有限公司
IPC分类号： H05K1/02
摘要： 本实用新型公开了一种具有板边连接结构的PCB板，包括基板，所述的一侧连接有连接板；所述基板与连接板之间对称设有第一铣槽，所述第一铣槽连接有第二铣槽，所述第一铣槽与第二铣槽之间倾斜连接，所述第二铣槽连接有第三铣槽，所述第三铣槽的末端连接有半圆孔，所述半圆孔之间对称设有圆孔。本实用新型中采用新型邮票孔设计的拼板方式，在分板后无残边，二次打磨修剪成本降低，邮票孔边缘无裂损，达到提升产品品质的效果。
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公开(公告)号：CN213426030U
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202022237141.9
申请日：2020-10-10
申请人： 惠州市金百泽电路科技有限公司 , 西安金百泽电路科技有限公司 , 深圳市金百泽电子科技股份有限公司
摘要： 本实用新型属于高压直流输电技术领域，提供一种基于晶闸管保护的高压取能电路，包括依次串联设置的电阻R1、电容C1、二极管V1、电感L1、电阻R2、稳压管V5，所述电阻R2还连接有负载RL；所述电容C1、二极管V1之间并联设置有TVS管V2、晶闸管V3，所述TVS管V2、晶闸管V3之间并联设置有电阻R3、电阻R4。实用新型通过RC阻尼回路耦合进行取能高压交流电源，并使用晶闸管进行过电压保护，通过整流、滤波、稳压后，输出稳定直流电给负载供电。
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公开(公告)号：CN211126439U
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201922079457.7
申请日：2019-11-27
申请人： 惠州市金百泽电路科技有限公司 , 深圳市金百泽电子科技股份有限公司 , 西安金百泽电路科技有限公司
摘要： 本实用新型提供一种大功率半导体激光器驱动保护电路，所述第一电容两端分别与第二电压输入端、第一电阻连接，所述第二电容两端分别与第二电压输入端、第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与MOS管的S极连接；所述MOS管的D极与大功率半导体激光器的一端连接，所述MOS管的G极与第二稳压管的一端连接；所述第一电压输入端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与第二稳压管连接；所述第一稳压器与大功率半导体激光器连接；所述第二电阻、第三电容并联设置于第一稳压管与大功率半导体激光器之间的电路。本实用新型通过调整MOS管门级电压来实现对大功率器件恒流驱动，使大功率激光器稳定可控的工作。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN217425507U
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202123403802.1
申请日：2021-12-31
申请人： 西安金百泽电路科技有限公司 , 惠州市金百泽电路科技有限公司
IPC分类号： G01R15/20
摘要： 本实用新型提供一种双重隔离电流检测电路，包括霍尔传感器、第一运算放大器、线性光耦、第二运算放大器，所述霍尔传感器形成一级隔离区，所述线性光耦分别与第一运算放大器、第二运算放大器连接形成第二隔离区。本实用新型可以快速有效的检测交直流电流，该电路体积小、精度高，适合大规模集成应用。同时电流检测电路失效时不会对已用其它电路及设备造成二次损坏。
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公开(公告)号：CN118393921A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410364628.3
申请日：2024-03-28
IPC分类号： G05B19/04 , H03K17/567
摘要： 本发明提供了一种大容量IGCT器件分级控制电路及控制方法，包括分压电路和n个并联的控制电路，所述分压电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、控制参数电阻和n个基准分压电阻，所述控制电路包括运算放大器和MOS管，所述控制电路的输入端连接分压电路，所述控制电路的输出端连接对应的控制开关；所述第二分压电阻的另一端依次串联n个基准分压电阻，且n个基准分压电阻靠近第二分压电阻的一端分别连接运算放大器的正反馈输入端；所述运算放大器的输出端连接MOS管的栅极。本申请无需软件控制，且控制电路简单，能够通过控制参数电阻的阻值变化，实现对于控制开关的分级控制，提高了控制效率和精准度。
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公开(公告)号：CN117995688A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410099553.0
申请日：2024-01-24
申请人： 惠州市金百泽电路科技有限公司
摘要： 本申请公开了外形不规则晶片的倒装贴装方法及外形不规则晶片，本申请通过在晶片焊点阵列边缘制作至少三个晶片基准点锡球，晶片基准点锡球在过炉后亮度增加，可以增强晶片基准点锡球与晶片本体的色差，来实现贴片机对不规则晶片的基准点锡球的精准识别，而且晶片基准点锡球之间连线可以形成轴对称或中心对称图形，可以快速确定图形的中心点坐标，判断晶片基准点锡球形成图形的中心点坐标与基准点焊盘形成图形的中心点是否重合，重合则可以将晶片与PCB板进行贴装，避免贴装偏差，提升外形不规则晶片的倒装贴装的精度和效率。
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公开(公告)号：CN218603362U
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202223121861.4
申请日：2022-11-24
申请人： 惠州市金百泽电路科技有限公司 , 深圳市金百泽科技有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种脉冲点火系统的耗能电路，涉及脉冲点火领域，包括控制模块、电源模块、检测模块、升压模块、脉冲输出模块与耗能模块，电源模块经耗能模块连接控制模块，耗能模块包括开关模块、负载模块与指示模块，电源模块并联有指示模块，开关模块的阳极连接电源模块，开关模块的阴极连接负载模块，负载模块与控制模块连接，防浪涌模块连接于开关模块的控制端与控制模块的输出端之间。控制模块将控制开关模块使开关模块导通，开关模块与负载模块持续消耗电源模块的电量，最终使电源模块电量过低而无法支撑系统运作，且系统无法再次启动，从而有效避免点火设备延时启动或二次启动，且通过指示模块可以直观观察电源模块的电量是否耗尽。
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