薄膜晶体管、显示基板和薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN114883343B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN202210423517.6

    申请日:2022-04-21

    IPC分类号: H01L27/12 H01L21/77

    摘要: 本申请公开了一种薄膜晶体管、显示基板和薄膜晶体管的制备方法,薄膜晶体管包括依次设置的缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、源极金属层、漏极金属层以及钝化层,栅极金属层、源极金属层和漏极金属层间隔设置,有源层包括至少两个导体部和一个第一半导体部,两个导体部分别设置在第一半导体部的两端,并与第一半导体部电连接;栅极金属层的投影覆盖第一半导体部,源极金属层和漏极金属层分别通过栅极绝缘层的第一过孔和第二过孔与对应的两个导体部连接。本申请将设置导体部和半导体部以形成有源层,不需要对半导体层进行离子轰击以得到导体化的半导体层,避免导体化的半导体层的电阻大,导致开态电流不够,引起显示不均。

    金属导电薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管

    公开(公告)号:CN115621307A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202110253492.5

    申请日:2021-03-02

    摘要: 本发明公开一种金属导电薄膜及其制备方法、以及薄膜晶体管,所述金属导电薄膜包括铜层和共溅合金层,所述共溅合金层通过共溅射工艺成型于所述铜层的一侧,所述共溅合金层的材质包括铜和第一金属,所述第一金属包括钛、铝或钼。本发明提供的金属导电薄膜,通过在铜层的一侧设置附着性佳的共溅合金层,改善了金属导电薄膜的附着性;同时,共溅合金层的设置,能够阻止铜离子向半导体材料的扩散,有助于提高半导体产品的良品率;此外,由于共溅合金层是由铜和第一金属共溅射制得,相较传统的合金工艺,共溅合金层在蚀刻时,只需要一种铜蚀刻液即可完成整个金属导电薄膜的图案化蚀刻,且相较溅镀合金靶,共溅合金层的制备效率更高。

    显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置

    公开(公告)号:CN115527948A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202211374379.3

    申请日:2022-11-04

    摘要: 本申请提供的一种显示面板的制作方法、显示面板以及显示装置,所述制作方法包括:在衬底一侧表面上的非显示区域形成多个未晶化的半导体块;于一结晶温度下,在所述衬底一侧表面上的显示区域形成多个发光元件;在每个半导体块远离所述衬底的一侧表面上形成开关结构,且在每个发光元件远离所述衬底的一侧表面上形成像素介质,本申请借助于发光元件形成过程中的结晶温度,使得半导体块结晶化,从而制备形成显示面板,本申请相较于现有技术避免了巨量转移的过程,结晶化的TFT迁移率高,稳定性好,搭配像素介质,可以实现色域更高的显示效果。

    阵列基板、制作方法以及显示面板

    公开(公告)号:CN115312543A

    公开(公告)日:2022-11-08

    申请号:CN202211053664.5

    申请日:2022-08-31

    摘要: 本申请提供一种阵列基板、制作方法以及显示面板,所述阵列基板包括显示区域和非显示区域,所述非显示区域包括像素驱动电路,所述阵列基板包括:基板;多个氧化物薄膜晶体管,形成在所述基板一侧,并对应所述显示区域;以及多个非晶硅薄膜晶体管,与所述氧化物薄膜晶体管同侧设置,并对应所述非显示区域,所述多个非晶硅薄膜晶体管用于构成所述像素驱动电路,本申请充分利用了非晶硅在受到光/电/热等引起电特性变化后不易恢复的特性,契合像素驱动的TFT的使用特点,结合氧化物晶体管稳定性较差,但是易恢复、迁移率高,漏电低,可高阶显示等特性,契合面板显示,并且其成本较低,单个技术较为成熟,可以用于11代产线。

    阵列基板及其制造方法和显示面板

    公开(公告)号:CN114300485A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111636849.4

    申请日:2021-12-29

    摘要: 本申请适用于显示技术领域,提出了一种阵列基板,包括衬底基板、设于衬底基板上的扫描线和信号线,以及设于扫描线和信号线交叉处的薄膜晶体管,扫描线和信号线中的至少一者包括第一金属层和叠设于第一金属层上的第一上氮化钼层。本申请同时提出一种阵列基板的制造方法以及一种显示面板。上述阵列基板中的扫描线和信号线中的至少一者包括第一金属层和设于第一金属层上的第一上氮化钼层,可以增大第一金属层的厚度,降低扫描线和/或信号线的线电阻,以满足高阶产品的需求。

    阵列基板、制作方法和显示面板
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114220824A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111561639.3

    申请日:2021-12-20

    摘要: 本申请适用于显示技术领域,提供了一种阵列基板、制作方法和显示面板,该阵列基板包括衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、设于所述栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上有源层以及设于所述有源层上源极和漏极,栅极绝缘层包括平坦部分和第一部分,所述第一部分与所述平坦部分的厚度不同;有源层覆盖所述第一部分,源极覆盖所述第一部分;在保证源极与栅极之间小的正对面积的基础上,使得源极与有源层之间有大的接触面积,在保证源极与栅极之间小的寄生电容的基础上提高对像素电容的充电率,改善对像素电容的充电效果,减小TFT的面积,提高开口率。具有该阵列基板的显示面板,其源极与栅极之间的寄生电容小,对像素电容的充电率高。

    一种显示面板的制备方法和显示面板

    公开(公告)号:CN113644086A

    公开(公告)日:2021-11-12

    申请号:CN202111197242.0

    申请日:2021-10-14

    摘要: 本申请公开了一种显示面板的制备方法和显示面板,所述制备方法包括步骤:透明衬底上外延生长形成发光阵列;在发光阵列远离透明衬底的一侧上形成薄膜晶体管;以及在薄膜晶体管远离发光阵列的一侧加装第一衬底,并使用封装胶进行封装;在透明衬底远离发光阵列的一侧形成发光介质层;其中,所述薄膜晶体管控制所述发光阵列进行发光,所述发光介质层接收发光阵列发出的光并生成不同颜色的光进行显示。本申请通过在透明衬底上依次形成发光阵列和驱动阵列,发光阵列无需进行转移,节省显示面板的制备时间,提高生产效率。

    配向膜制作方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113467131A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110723369.5

    申请日:2021-06-28

    IPC分类号: G02F1/1337 G02F1/1333

    摘要: 本申请涉及显示技术领域,提供了一种配向膜制作方法,包括:提供基板,基板包括至少一个显示区域;在显示区域的边缘处形成可光解的光解层;在基板上涂布配向膜,配向膜至少覆盖显示区域和光解层,并在配向膜上沿光解层与显示区域的相交处形成切割线;光照光解层,以去除光解层;沿切割线切割配向膜,以形成平整的配向膜边界。根据本申请提供的配向膜制作方法,能够提高产品的信赖性和合格率。