公开(公告)号：CN103824812A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201310444504.8

申请日：2013-09-23

申请人： 意法半导体公司 ,  国际商业机器公司

发明人： N·劳贝特 ,  B·普拉纳撒蒂哈兰

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/161 ,  H01L29/6656 ,  H01L27/0928

摘要： 本发明涉及一种用于平面衬底的双外延CMOS集成。本发明公开一种集成电路结构及相关方法。形成与在集成电路中的n型和p型区域二者之上的栅极电极相邻的硅锗区域。通过光刻而图案化的硬掩模然后保护在p型区域之上的结构而甚至在栅极电极上的侧壁间隔物上的硬掩模的剩余物之下从n型区域之上选择性地去除硅锗。外延生长与栅极电极相邻的硅锗碳取代去除的硅锗，并且在去除在p型区域结构之上的剩余硬掩模之前执行源极／漏极延伸注入。

公开(公告)号：CN103824812B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201310444504.8

申请日：2013-09-23

申请人： 意法半导体公司 ,  国际商业机器公司

发明人： N·劳贝特 ,  B·普拉纳撒蒂哈兰

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/161 ,  H01L29/6656

摘要： 本发明涉及一种用于平面衬底的双外延CMOS集成。本发明公开一种集成电路结构及相关方法。形成与在集成电路中的n型和p型区域二者之上的栅极电极相邻的硅锗区域。通过光刻而图案化的硬掩模然后保护在p型区域之上的结构而甚至在栅极电极上的侧壁间隔物上的硬掩模的剩余物之下从n型区域之上选择性地去除硅锗。外延生长与栅极电极相邻的硅锗碳取代去除的硅锗，并且在去除在p型区域结构之上的剩余硬掩模之前执行源极／漏极延伸注入。

公开(公告)号：CN203659863U

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201320593791.4

申请日：2013-09-23

申请人： 意法半导体公司 ,  国际商业机器公司

发明人： N·劳贝特 ,  B·普拉纳撒蒂哈兰

IPC分类号： H01L27/092 ,  H01L29/06 ,  H01L29/161

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L29/161 ,  H01L29/6656

摘要： 本实用新型公开一种集成电路结构，包括：在衬底上的n型区域和p型区域二者之上的栅极电极；以及在通过去除硅锗区域而留下的至少定义空间中与在所述n型区域之上的所述栅极电极相邻的硅锗碳区域。