公开(公告)号：CN117393600A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310840026.6

申请日：2023-07-10

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·G·萨吉奥 ,  C·M·卡玛勒里 ,  A·瓜尔内拉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开的实施例涉及具有隔离栅极结构的功率MOSFET器件及其制造过程。功率MOSFET器件包括具有第一主表面的半导体主体。半导体主体包括面向第一主表面的有源区域。功率MOSFET器件包括隔离栅极结构以及栅极区域，隔离栅极结构在有源区域之上延伸并且包括由绝缘材料制成并在第一主表面之上延伸的栅极氧化物层，栅极区域被掩埋在栅极氧化物层中，以与半导体主体电绝缘。栅极区域包括多晶硅的栅极层并且至少包括一个第一硅化物电调制区域和一个第二硅化物电调制区域，它们在栅极层中延伸，以面向栅极层的顶表面，并且在第一平面中彼此并排并且彼此间隔地布置。

公开(公告)号：CN114823906A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210107432.7

申请日：2022-01-28

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·G·萨吉奥 ,  E·扎内蒂 ,  A·M·弗拉泽托 ,  A·瓜尔内拉 ,  C·M·卡玛勒里 ,  A·G·格里马尔迪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及碳化硅垂直传导MOSFET器件及其制造工艺。垂直传导MOSFET器件包括碳化硅本体，该碳化硅本体具有第一导电类型和面。第二导电类型的浅本体区具有第一掺杂水平并且延伸到本体中至第一深度，并且具有第一宽度。第一导电类型的源极区延伸到浅本体区中至第二深度，并且具有第二宽度。第二深度小于第一深度并且第二宽度小于第一宽度。第二类导电性的深本体区具有第二掺杂水平并且在与本体的面相距一距离处延伸到本体中，并且与浅本体区直接电接触，并且第二掺杂水平高于第一掺杂水平。

公开(公告)号：CN117637457A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311081391.X

申请日：2023-08-25

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·G·萨吉奥 ,  C·M·卡玛勒里 ,  G·贝洛基 ,  S·拉斯库纳

IPC: H01L21/285 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/40 ,  H01L21/265

Abstract: 本公开的实施例涉及制造具有热预算优化的电子器件的欧姆接触的方法。制造电子器件的方法，包括在半导体主体的注入区域处形成欧姆接触。形成欧姆接触以执行高温热处理以允许金属材料和半导体主体的材料之间的反应而形成金属材料的硅化物的方式提供。形成欧姆接触的步骤在形成一个或多个电结构的步骤之前被执行，该电结构包括可能由于形成硅化物的热处理的高温而被损坏的材料。

公开(公告)号：CN114944428A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210140503.3

申请日：2022-02-16

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·G·萨吉奥 ,  A·瓜尔内拉 ,  C·M·卡玛勒里

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及具有改进的栅极偏置结构的竖直传导碳化硅MOSFET器件及其制造工艺。一种竖直传导MOSFET器件，形成在碳化硅的主体中，该主体具有第一面和第二面以及外围区域。第一导电类型的漏极区在两个面之间的主体中延伸。第二导电类型的主体区从第一面在主体中延伸，并且具有第一导电类型的源极区从主体的第一面延伸到主体区的内部。绝缘栅极区在主体的第一面上延伸并且包括栅极导电区。导电材料的环形连接区在外围区域中、形成在表面边缘结构内，该表面边缘结构在主体的第一面上延伸。栅极导电区和环形连接区由硅层和覆盖在硅层上的金属硅化物层形成。

公开(公告)号：CN117637709A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311072749.2

申请日：2023-08-24

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： L·L·斯卡利亚 ,  C·M·卡玛勒里 ,  E·扎内蒂 ,  A·鲁索

IPC: H01L23/62 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: SiC基MOSFET电子器件，包括：固体本体；栅极端子，其延伸到该固体本体中；导电路径，在该固体本体的第一侧处延伸，被配置为可被电耦合到偏置电压的发生器；固态材料的保护元件，被耦合到该栅极端子和该导电路径，该保护元件在该栅极端子和该导电路径之间形成电连接，并且被配置为响应于通过该保护元件的漏电流大于临界阈值而从该固态变为熔化或者气态而中断该电连接；掩埋腔，在该固体本体中，至少部分地容纳该保护元件。

公开(公告)号：CN220934087U

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202321799280.8

申请日：2023-07-10

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·G·萨吉奥 ,  C·M·卡玛勒里 ,  A·瓜尔内拉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开的实施例涉及功率MOSFET器件。功率MOSFET器件包括具有第一主表面的半导体主体。半导体主体包括面向第一主表面的有源区域。功率MOSFET器件包括隔离栅极结构以及栅极区域，隔离栅极结构在有源区域之上延伸并且包括由绝缘材料制成并在第一主表面之上延伸的栅极氧化物层，栅极区域被掩埋在栅极氧化物层中，以与半导体主体电绝缘。栅极区域包括多晶硅的栅极层并且至少包括一个第一硅化物电调制区域和一个第二硅化物电调制区域，它们在栅极层中延伸，以面向栅极层的顶表面，并且在第一平面中彼此并排并且彼此间隔地布置。

公开(公告)号：CN217847965U

公开(公告)日：2022-11-18

申请号：CN202220309168.0

申请日：2022-02-16

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·G·萨吉奥 ,  A·瓜尔内拉 ,  C·M·卡玛勒里

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及竖直传导MOSFET器件及结构。一种竖直传导MOSFET器件，形成在碳化硅的主体中，该主体具有第一面和第二面以及外围区域。第一导电类型的漏极区在两个面之间的主体中延伸。第二导电类型的主体区从第一面在主体中延伸，并且具有第一导电类型的源极区从主体的第一面延伸到主体区的内部。绝缘栅极区在主体的第一面上延伸并且包括栅极导电区。导电材料的环形连接区在外围区域中、形成在表面边缘结构内，该表面边缘结构在主体的第一面上延伸。栅极导电区和环形连接区由硅层和覆盖在硅层上的金属硅化物层形成。通过使用根据本公开的实施例，能够有效地利用管芯的面积。

公开(公告)号：CN217239469U

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202220238491.3

申请日：2022-01-28

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·G·萨吉奥 ,  E·扎内蒂 ,  A·M·弗拉泽托 ,  A·瓜尔内拉 ,  C·M·卡玛勒里 ,  A·G·格里马尔迪

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及碳化硅垂直传导MOSFET器件。垂直传导MOSFET器件包括碳化硅本体，该碳化硅本体具有第一导电类型和面。第二导电类型的浅本体区具有第一掺杂水平并且延伸到本体中至第一深度，并且具有第一宽度。第一导电类型的源极区延伸到浅本体区中至第二深度，并且具有第二宽度。第二深度小于第一深度并且第二宽度小于第一宽度。第二类导电性的深本体区具有第二掺杂水平并且在与本体的面相距一距离处延伸到本体中，并且与浅本体区直接电接触，并且第二掺杂水平高于第一掺杂水平。