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公开(公告)号:CN104685637A
公开(公告)日:2015-06-03
申请号:CN201380043422.0
申请日:2013-06-21
申请人: 挪威科技大学(NTNU)
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/0352
CPC分类号: H01L31/035227 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/1804 , H01L31/1828 , H01L31/184
摘要: 一种物质组合物,特别是光电池,其包括:至少一个核心半导体纳米线,其在石墨衬底上,所述至少一个核心纳米线已经外延生长在所述衬底上,其中所述纳米线包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物或至少一种IV族元素;半导体壳,其围绕所述核心纳米线,所述壳包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物或至少一种IV族元素以使所述核心纳米线和所述壳分别形成n-型半导体和p-型半导体,或反之亦然;和外部导电涂层,其围绕所述壳,所述外部导电涂层形成电极触点。
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公开(公告)号:CN104685637B
公开(公告)日:2017-11-28
申请号:CN201380043422.0
申请日:2013-06-21
申请人: 挪威科技大学(NTNU)
IPC分类号: H01L31/0224 , H01L31/0352
CPC分类号: H01L31/035227 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/1804 , H01L31/1828 , H01L31/184
摘要: 一种物质组合物,特别是光电池,其包括:至少一个核心半导体纳米线,其在石墨衬底上,所述至少一个核心纳米线已经外延生长在所述衬底上,其中所述纳米线包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素;半导体壳,其围绕所述核心纳米线,所述壳包括至少一种III‑V族化合物或至少一种II‑VI族化合物或至少一种IV族元素以使所述核心纳米线和所述壳分别形成n‑型半导体和p‑型半导体,或反之亦然;和外部导电涂层,其围绕所述壳,所述外部导电涂层形成电极触点。
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公开(公告)号:CN111509039A
公开(公告)日:2020-08-07
申请号:CN202010356455.2
申请日:2014-06-23
申请人: 挪威科技大学(NTNU)
IPC分类号: H01L29/15 , H01L21/02 , H01L29/04 , C30B25/18 , C30B29/48 , H01L29/22 , C30B29/40 , C30B23/08 , H01L21/20 , C30B29/02 , H01L29/16 , C30B25/10 , H01L29/20
摘要: 本发明的题目是石墨衬底上的III-V或II-VI化合物半导体膜。包括在石墨衬底上的膜的物质组合物,所述膜在所述衬底上外延生长,其中所述膜包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物。
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公开(公告)号:CN105474360A
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201480046331.7
申请日:2014-06-23
申请人: 挪威科技大学(NTNU)
IPC分类号: H01L21/20
CPC分类号: C30B25/105 , C30B25/183 , C30B29/02 , C30B29/40 , C30B29/48 , H01L21/02376 , H01L21/02455 , H01L21/02466 , H01L21/02469 , H01L21/02485 , H01L21/02538 , H01L21/02551 , H01L21/02631 , H01L29/045 , H01L29/151 , H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/20 , H01L29/22
摘要: 包括在石墨衬底上的膜的物质组合物,所述膜在所述衬底上外延生长,其中所述膜包括至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物。
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