-
公开(公告)号：CN118957525A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411272267.6
申请日：2024-09-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于磁控溅射领域，具体涉及一种定向溅射靶材及磁控溅射工艺，定向溅射靶材包括：基板材靠经衬底的一侧为正板，另一面为背板，在基板的正板开设有若干的凹槽；靶材位于凹槽内，且低于基板的表面1mm以上，背板连接每个凹槽内的靶材，用于对靶材的通电；靶材在使用时，气缸的设置可以控制靶材进行升降，调节靶材与表面的距离，进而调节金属原子的出射角，向四周扩散的靶材金属原子将会打在靶材凹槽的内壁面上，只有竖直向下或小角度向下的金属原子才能够从凹槽溅射出，减少金属原子堆积在衬底表面的微孔或沟槽顶部处，使得更多的金属原子能够沉积到沟槽的侧壁或底部，提高镀膜的台阶覆盖率。
-
公开(公告)号：CN117364045B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311650328.3
申请日：2023-12-05
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种PVD设备中的磁性模组，包括：第一磁体组件，包括分布于第一磁体组件内圈的若干个第一磁极和分布于第一磁体组件外圈的若干个第二磁极；所述第一磁极和第二磁极极性相反，且均朝向阴极靶材方向；驱动组件，与第一磁体组件偏心连接，用于驱动第一磁体组件以偏心方式旋转；第二磁体组件，围绕第一磁体组件设置，包括分布于第二磁体组件内圈的若干个第三磁极和分布于第二磁体组件外圈的若干个第四磁极；所述第三磁极和第四磁极极性相反，且均朝向阴极靶材方向；所述第二磁极与第三磁极的极性相同。
-
公开(公告)号：CN117230433A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311516800.4
申请日：2023-11-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 本申请公开了一种CVD晶圆承载机构，包括载台、顶针、温控机构和升降机构；载台可升降，不仅更利于控制反应距离、保证气相沉积的可靠性，还能够增加整机的适用性，对不同的晶圆进行镀膜时，调整载台的升降幅度即可调整晶圆的反应位置、满足晶圆的反应需要；设置温控机构调节载台温度，能够更直接、更有效地确保反应温度，从而促进气相沉积反应；载台包括台部、支撑部和固定部，台部和支撑部通过固定部可拆卸地连接，台部和支撑部的可拆设置以便于进行部件的检修、更换等处理，通过更换具备不同规格限位槽的台部，还能够满足不同规格的晶圆的承接需要。
-
公开(公告)号：CN117230431A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311516808.0
申请日：2023-11-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/503 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种CVD晶圆镀膜设备，包括工作室、承载机构、第一作业板、第二作业板、供气装置、供电装置、抽气装置、散热板、风扇和加热棒；通过供气装置、第一作业板、第二作业板和抽气装置，能够调控反应腔内的压力、确保反应气体均匀地作用于晶圆；通过散热板、风扇和加热棒，能够调控反应腔内的温度，确保晶圆在所需温度下进行反应；本申请提供的CVD晶圆镀膜设备高效集成了气控、温控和电场发生等机构，能够有效、可靠地构建晶圆气相沉积镀膜所需的环境，提高镀膜效率、优化镀膜效果。
-
公开(公告)号：CN115181947A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210708151.7
申请日：2022-06-21
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于磁控溅射设备中遮挡件冷却的适配器及磁控溅射设备，其中适配器，包括壳体，沿遮挡件的周向设置，所述壳体包括:延伸部和主体部，所述主体部沿周向设有安装槽，所述延伸部与所述主体部连接，并沿着所述遮挡件的周向设置；冷却件，所述冷却件设置于所述安装槽内，用于冷却所述遮挡件。磁控溅射设备，包括：真空腔体以及从上至下依次设置在真空腔体内的靶材、以及本发明公开的适配器、遮挡件以及衬底。本发明实施例公开的适配器包含冷却件，设置于遮挡件外，可在设备运行时，降低遮挡件温度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119324177A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411858465.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/677 , C23C14/56
Abstract: 本发明涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种基于双传送平台的PVD设备传送系统，该基于双传送平台的PVD设备传送系统包括第一传送平台、第二传送平台、上料结构和传送结构；第一工作腔内设有第一机械抓手；第二传送平台连接在第一传送平台的一侧，第二工作腔内设有第二机械抓手；传送结构包括轨道和储料件。本发明的一种基于双传送平台的PVD设备传送系统通过储料件在第一工作腔和第二工作腔内移动，方便第一机械抓手和第二机械抓手抓取晶圆放置在不同的工作台上，并且通过储料件的移动使得储料件上的晶圆能够按照不同的工艺路线进行加工制作，从而能够针对不同工艺路线的晶圆加工，适应性强，提高生产效率，提高产能。
-
公开(公告)号：CN117248187B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311387940.6
申请日：2023-10-24
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种异型靶材，包括：平面主部，所述平面主部用于与基片相对而设；倾斜辅部，所述倾斜辅部自平面主部的边缘向外延伸，并朝向基片方向倾斜设置，所述倾斜辅部与平面主部之间的夹角为5°～45°；所述平面主部可以是圆形，相应地，所述倾斜辅部为围绕平面主部设置的环形；所述平面主部的宽度大于基片的宽度，但不超过基片宽度的110%，所述平面主部和倾斜辅部的整体宽度为基片宽度的130%～160%。本发明还提出了利用异型靶材的磁控溅射工艺。本发明能够使得磁控溅射镀膜形成的薄膜膜厚均匀性更佳，同时实现更优的微孔内壁薄膜镀制效果。
-
公开(公告)号：CN117248195B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311516813.1
申请日：2023-11-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/503 , C23C16/52 , H01L21/68
Abstract: 本申请公开了一种CVD晶圆水平调节机构，包括调整组件和检测组件，调整组件包括定位板、调节块、连接块和限位机构，限位机构用于限制调节块与定位板的水平相对位置，调节块直线延伸，连接块上设有限位槽，限位槽直线延伸、用于卡设调节块；定位板安装到位后，通过限位机构将调节块水平安装到定位板上，确保调节块处于水平状态，通过限位槽卡接连接块与调节块后，连接块亦具备水平状态，连接块能够使得载台具备预设的水平状态；检测组件包括水平板、检测板和高度计，检测板上设有一个圆心孔和一组圆周孔，高度计的检测端能够通过圆心孔或者圆周孔接触水平板、或者接触载台；通过设置检测组件，能够方便地确认载台是否处于预设的水平状态。
-
公开(公告)号：CN117230433B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311516800.4
申请日：2023-11-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/68
Abstract: 本申请公开了一种CVD晶圆承载机构，包括载台、顶针、温控机构和升降机构；载台可升降，不仅更利于控制反应距离、保证气相沉积的可靠性，还能够增加整机的适用性，对不同的晶圆进行镀膜时，调整载台的升降幅度即可调整晶圆的反应位置、满足晶圆的反应需要；设置温控机构调节载台温度，能够更直接、更有效地确保反应温度，从而促进气相沉积反应；载台包括台部、支撑部和固定部，台部和支撑部通过固定部可拆卸地连接，台部和支撑部的可拆设置以便于进行部件的检修、更换等处理，通过更换具备不同规格限位槽的台部，还能够满足不同规格的晶圆的承接需要。
-
公开(公告)号：CN117230431B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311516808.0
申请日：2023-11-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/503 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种CVD晶圆镀膜设备，包括工作室、承载机构、第一作业板、第二作业板、供气装置、供电装置、抽气装置、散热板、风扇和加热棒；通过供气装置、第一作业板、第二作业板和抽气装置，能够调控反应腔内的压力、确保反应气体均匀地作用于晶圆；通过散热板、风扇和加热棒，能够调控反应腔内的温度，确保晶圆在所需温度下进行反应；本申请提供的CVD晶圆镀膜设备高效集成了气控、温控和电场发生等机构，能够有效、可靠地构建晶圆气相沉积镀膜所需的环境，提高镀膜效率、优化镀膜效果。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.04 seconds)
