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公开(公告)号：CN119243097A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411233315.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子发生装置及控制方法，等离子发生装置包括：工艺腔体；载台，用于承载基片；所述载台安装在工艺腔体的底部；靶材背板安装在工艺腔体的顶部；直流电源，所述直流电源的负极与靶材背板连接，用于输出并向靶材背板施加第一负高压V负1；可控高压电源，所述可控高压电源的负极与高压电极板连接，用于输出并向高压电极板施加第二负高压V负2；所述第一负高压V负1和第二负高压V负2用于叠加产生靶材表面的高压电场；控制器，用于根据第一负高压V负1的电压变化控制可控高压电源自动调节第二负高压V负2；本发明有助于工艺气体辉光放电，促使等离子体形成；且能够提升原子利用率以及提升填孔工艺的台阶覆盖率。
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公开(公告)号：CN118814123A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411266656.8
申请日：2024-09-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了具有选择溅射功能的靶材及提升膜厚均匀性的方法和应用，包括：基板，基板靠近衬底的一侧为正面，另一面为背面，正面开设有多圈凹槽，每圈包括多个凹槽；绝缘板，基板内部靠近背面处设置绝缘板，绝缘板内部设置有金属导线，金属导线连接靶材；靶材，靶材置于凹槽内，且低于正面的表面1mm以上，每圈靶材连接一根金属导线或者分别连接多根金属导线，金属导线引出连接电源；分别独立连接电源，能够独立控制不同区域靶材的功率；采用本发明具有选择溅射功能的靶材进行溅射，可以使带微孔和沟槽的衬底表面薄膜的台阶覆盖率显著提升；通过对各区域小靶材的选择性地单独通电及磁控溅射工艺，可以实现膜厚均匀性提升。
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公开(公告)号：CN115449763B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202211023769.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请提供了一种磁控溅射用扇形磁铁结构以及磁控溅射设备，扇形磁铁结构包括：扇形底座、设置在扇形底座的第一部分上的第一安装组件、连接在第一安装组件中的第一磁铁组件、设置在扇形底座的第二部分上第二安装组件以及连接在第二安装组件中的第二磁铁组件，本申请可以调节产生的磁场的强度，从而适应不同靶材到衬底间距的磁控溅射，进而保证薄膜沉积的均匀性。
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公开(公告)号：CN117410177A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311352352.9
申请日：2023-10-19
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种Bosch刻蚀工艺后处理工艺，晶圆的正面经Bosch刻蚀工艺刻有孔；包括以下步骤：步骤S1，微刻蚀，将经过Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆放入刻蚀设备中进行电感耦合等离子体刻蚀，以消除侧壁尖部，同时去除所述晶圆表面的污染物及杂气；步骤S2，快速升温，将经步骤S1中刻蚀后的晶圆在真空环境下用加热源加热、并使得晶圆快速升温以趋向溅射镀膜工艺温度；步骤S3，溅射预热，将步骤S2中加热后的晶圆放入磁控溅射腔体内，对所述晶圆加热、并使得所述晶圆缓慢升温至工艺温度；步骤S4，溅射镀膜，对经步骤S3处理后的晶圆进行溅射镀膜。本发明实施例工艺过程简单、易于实施，溅射金属膜能够完全贴合孔侧壁、且连续无空洞，效果显著。
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公开(公告)号：CN116837339A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311117846.9
申请日：2023-09-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/35 , H01L21/687 , H01J37/20 , H01J37/34
Abstract: 本申请公开了一种承盘装置和磁控溅射设备，其中，承盘装置包括承载平台、提降机构、传动机构和抽气装置；提降机构包括波纹管和大气侧连接管，二者连通并形成一腔体；承载平台一面固定有载片平台，另一面连接波纹管；传动机构穿过腔体与承载平台连接，传动机构推动承载平台以带动载片平台往复运动，波纹管随承载平台的往复运动进行拉伸或压缩；抽气装置与腔体连通；当波纹管的外部气压小于预设阈值时，抽气装置抽取腔体内的气体直至腔体内与波纹管的外部的气压差到达预设值时停止抽取操作，当波纹管拉伸或压缩时，需承受腔体与波纹管外部的气压差带来的压力，利用抽气装置抽取腔体内的气体，以减小内外气压差，避免高压差对波纹管带来的损害。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613100B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310901847.6
申请日：2023-07-21
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/683 , C23C14/50 , C23C14/34
Abstract: 本申请公开了一种载台及晶圆镀膜装置，载台包括第一治具和第二治具，第一治具上设有载片腔，载片腔的底部设有第一进气孔、侧壁设有第一出气孔，第二治具设于载片腔的开口处，第二治具上设有作业通道；作业时，第一进气孔进气，气体能够吹起晶圆，第二治具能够阻止晶圆离开载片腔，第二治具既能够对晶圆进行限位、又不会遮挡晶圆的正面，高能粒子能够通过作业通道在晶圆表面聚集成膜；镀膜过程中，晶圆会受到气体的吹拂而远离载片腔的底部，因此，晶圆能够保持背面悬空的状态接受镀膜；吹入载片腔的气体能够通过第一出气孔离开，气体自然流通，既有利于保持晶圆的浮起状态，又不会因为气体的流量变动而使得载片腔内的气压不稳定。
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公开(公告)号：CN116402751A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310200087.6
申请日：2023-03-03
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种基于图像识别的晶圆及衬底的加工位置调节方法、装置、磁控溅射设备、计算机设备以及存储介质，通过获取当前待处理产品的实时图像，将实时图像与预先存储的样本图像进行匹配，从样本图像中确定出与实时图像相匹配的目标样本图像，获取目标样本图像对应的位置调节信息，根据位置调节信息调节待处理产品的位置。一方面通过预先存储的样本图像，可以自动识别并匹配样片信息，使得磁控溅射设备采用同一套调整器(Aligner)即能够兼容不同尺寸和形状的晶圆和衬底，另一方面，采用图像识别技术进行图像匹配以获取位置调节信息，比传统调整器(A1igner)需要旋转一周才能得到数据的方式要快很多，大大提高了识别效率。
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公开(公告)号：CN115621146A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211353472.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于图像识别的衬底片的识别方法、装置、磁控溅射设备、计算机设备以及存储介质，方法包括：接收当前待处理产品的预设图像信息，获取所述当前待处理产品的当前表面的当前图像信息，将所述预设图像信息与所述当前图像信息进行比较，获取比较结，根据所述比较结果确定是否中断当前工艺流程，本发明通过利用图像识别技术对待处理产品进行自动识别，一方面可以避免人工识别带来的误差，提高识别精准度，避免产品损失，另一方面，本发明提供的方法可以在线实时进行，提高识别的效率，避免延长产品的加工时间。
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公开(公告)号：CN115148433A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210683758.4
申请日：2022-06-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种提升F基氧化钒刻蚀形貌的方法，包括如下步骤：将待刻蚀产品置于预设腔体中，待刻蚀产品包括衬底、覆盖在衬底表面的氧化钒薄膜以及覆盖在氧化钒薄膜表面的掩蔽层；将预设腔体的温度调节至预设温度，并向预设腔体中充入刻蚀气体，刻蚀气体包括四氟化碳和含氢的碳氟气体；利用第一预设射频波使刻蚀气体形成等离子体；利用第二预设射频波使等离子体沿预设方向轰击所述掩蔽层未遮挡部分的氧化钒薄膜，形成刻蚀槽。本申请提供的提升F基氧化钒刻蚀形貌的方法通过在刻蚀工艺中加入含氢的碳氟气体来提升氧化钒刻蚀形貌，使得侧壁的刻蚀大幅度降低，加工产生的刻蚀侧壁能形成86度～90度的夹角，上述方法可以提高加工良品率。
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公开(公告)号：CN113948400A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111205628.1
申请日：2021-10-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/4757
Abstract: 本发明公开了一种提升氧化钒刻蚀形貌的工艺方法，针对F基在与氧化钒反应中形成化合物并且产生聚集现象，使深入到氧化钒内部的F基与周围的氧化钒产生反应而导致产生形状为圆弧形的刻蚀沟，导致良品率的下降的问题，提供了以下技术方案，包括刻气体增压装置、蚀反应腔室、衬底、沉降在衬底上的氧化钒薄膜，还包括分子泵，热交换器、射频电源和交射频发生器，刻蚀反应腔室中通入CL气并维持一定压力（一般为5~20mt），刻蚀工艺方法有步骤，首先对CL气进行电离，然后使电离后的带电离子体在交射频发生器的作用下形成双螺旋涡流并且向氧化钒薄膜的指定范围移动，经刻蚀使氧化钒薄膜形成的侧壁与衬底的夹角在85°～90°之间。
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