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公开(公告)号：CN118957525A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411272267.6
申请日：2024-09-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于磁控溅射领域，具体涉及一种定向溅射靶材及磁控溅射工艺，定向溅射靶材包括：基板材靠经衬底的一侧为正板，另一面为背板，在基板的正板开设有若干的凹槽；靶材位于凹槽内，且低于基板的表面1mm以上，背板连接每个凹槽内的靶材，用于对靶材的通电；靶材在使用时，气缸的设置可以控制靶材进行升降，调节靶材与表面的距离，进而调节金属原子的出射角，向四周扩散的靶材金属原子将会打在靶材凹槽的内壁面上，只有竖直向下或小角度向下的金属原子才能够从凹槽溅射出，减少金属原子堆积在衬底表面的微孔或沟槽顶部处，使得更多的金属原子能够沉积到沟槽的侧壁或底部，提高镀膜的台阶覆盖率。
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公开(公告)号：CN118422149B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410870816.3
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种初始优化镀膜装置及镀膜方法，初始优化镀膜装置包括作业腔、载台、靶材、遮板和第一遮挡组件，遮板能够隔开靶材和载台；在靶材通电的前30s利用遮板隔开靶材与载台，能够避免晶圆在点火阶段被误镀膜；待反应区域内的反应环境稳定，使得遮板离开作业腔，载台暴露在靶材下方，晶圆即可高效、准确地接受镀膜；初始优化镀膜装置还包括收容腔和遮板驱动组件，遮板驱动组件通过设置两组磁吸件，能够将收容腔外的驱动力传递至收容腔内，如此，既能够实现遮板的往返运动、又能够保护驱动结构；遮板驱动组件还通过设置四组相互配合导轨和滚轮提高了遮板运动的稳定性和准确性。
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公开(公告)号：CN118866645A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411319945.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种层级式静电吸附刻蚀装置，包括工作室、载台、第一静电吸盘和第二静电吸盘，第一静电吸盘和第二静电吸盘设于工作室内、并处于载台上方，静电吸盘能够吸引杂质颗粒附着，从而保证腔内环境清洁、延长腔体维护保养周期、提高设备运行效率；第二静电吸盘上设有第一穿孔，杂质颗粒能够通过第一穿孔朝向第一静电吸盘运动；第一静电吸盘的吸引力大于第二静电吸盘的吸引力；在第一静电吸盘下方增设吸引力较小的第二静电吸盘，既不会影响载台对正离子的吸引、又能够很好地诱导飞溅角度小、飞溅高度低的杂质颗粒向上运动；使得杂质颗粒主要附着到第一静电吸盘上，能够让杂质颗粒远离刻蚀气体气源，从而避免气流扰动已经被吸附杂质颗粒。
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公开(公告)号：CN118441258A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410870818.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/35 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种联动式快接晶圆镀膜装置，包括外筒、内筒、载台、第一盖板、第一驱动件、顶针、顶板和旋转驱动件，旋转驱动件用于驱使载台自转，载台上设有活动孔，顶针受限于活动孔中；第一驱动件能够同时驱使第一盖板和顶板上升，以便于第一进出口开放、顶针接取晶圆；第一驱动件又能够同时驱使第一盖板和顶板下降，以便于第一进出口封闭、晶圆落到载台上；顶板与顶针通过接触而非连接的方式实现联动，载台的旋转与顶板的升降不会相互干扰，采用一个升降驱动件即可实现顶板对顶针的顶升以及第一盖板对第一进出口的封闭，从而实现快速的载台接料和反应区域封闭、进而提高镀膜效率。
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公开(公告)号：CN118422149A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410870816.3
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种初始优化镀膜装置及镀膜方法，初始优化镀膜装置包括作业腔、载台、靶材、遮板和第一遮挡组件，遮板能够隔开靶材和载台；在靶材通电的前30s利用遮板隔开靶材与载台，能够避免晶圆在点火阶段被误镀膜；待反应区域内的反应环境稳定，使得遮板离开作业腔，载台暴露在靶材下方，晶圆即可高效、准确地接受镀膜；初始优化镀膜装置还包括收容腔和遮板驱动组件，遮板驱动组件通过设置两组磁吸件，能够将收容腔外的驱动力传递至收容腔内，如此，既能够实现遮板的往返运动、又能够保护驱动结构；遮板驱动组件还通过设置四组相互配合导轨和滚轮提高了遮板运动的稳定性和准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117364045B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311650328.3
申请日：2023-12-05
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种PVD设备中的磁性模组，包括：第一磁体组件，包括分布于第一磁体组件内圈的若干个第一磁极和分布于第一磁体组件外圈的若干个第二磁极；所述第一磁极和第二磁极极性相反，且均朝向阴极靶材方向；驱动组件，与第一磁体组件偏心连接，用于驱动第一磁体组件以偏心方式旋转；第二磁体组件，围绕第一磁体组件设置，包括分布于第二磁体组件内圈的若干个第三磁极和分布于第二磁体组件外圈的若干个第四磁极；所述第三磁极和第四磁极极性相反，且均朝向阴极靶材方向；所述第二磁极与第三磁极的极性相同。
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公开(公告)号：CN117497461B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311846883.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种晶圆镀膜前处理装置，包括干燥腔、加热腔和加热装置，加热装置能够加热加热腔和干燥腔；还包括气循环装置、第一吹气装置和第二吹气装置，加热装置还能够加热气循环装置输送的气体，加热过的气体能够通过第一吹气装置吹向晶圆的正面、并能够通过第二吹气装置吹向晶圆的背面；晶圆进入干燥腔后处于高温环境下，热气从两侧吹向晶圆，能够很好地吹扫晶圆、促进晶圆干燥，并能够吹除晶圆表面的杂质、确保晶圆的洁净，晶圆内部的杂气被烘出后，热气还能够吹散杂气、避免杂气重新附着到晶圆上；本申请提供的晶圆镀膜前处理装置集合了高温烘干和热气吹扫，晶圆通过前处理装置实现了高效的干燥和清洁，有利于晶圆后续镀膜。
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公开(公告)号：CN119243097A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411233315.0
申请日：2024-09-04
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种等离子发生装置及控制方法，等离子发生装置包括：工艺腔体；载台，用于承载基片；所述载台安装在工艺腔体的底部；靶材背板安装在工艺腔体的顶部；直流电源，所述直流电源的负极与靶材背板连接，用于输出并向靶材背板施加第一负高压V负1；可控高压电源，所述可控高压电源的负极与高压电极板连接，用于输出并向高压电极板施加第二负高压V负2；所述第一负高压V负1和第二负高压V负2用于叠加产生靶材表面的高压电场；控制器，用于根据第一负高压V负1的电压变化控制可控高压电源自动调节第二负高压V负2；本发明有助于工艺气体辉光放电，促使等离子体形成；且能够提升原子利用率以及提升填孔工艺的台阶覆盖率。
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公开(公告)号：CN118814123A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411266656.8
申请日：2024-09-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体公开了具有选择溅射功能的靶材及提升膜厚均匀性的方法和应用，包括：基板，基板靠近衬底的一侧为正面，另一面为背面，正面开设有多圈凹槽，每圈包括多个凹槽；绝缘板，基板内部靠近背面处设置绝缘板，绝缘板内部设置有金属导线，金属导线连接靶材；靶材，靶材置于凹槽内，且低于正面的表面1mm以上，每圈靶材连接一根金属导线或者分别连接多根金属导线，金属导线引出连接电源；分别独立连接电源，能够独立控制不同区域靶材的功率；采用本发明具有选择溅射功能的靶材进行溅射，可以使带微孔和沟槽的衬底表面薄膜的台阶覆盖率显著提升；通过对各区域小靶材的选择性地单独通电及磁控溅射工艺，可以实现膜厚均匀性提升。
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公开(公告)号：CN117385331A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311524553.2
申请日：2023-11-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种提升二氧化钒薄膜均匀性的装置，包括：内胆，所述内胆内包括工作空间，所述内胆上设有若干连接孔，若干所述连接孔沿周向间隔设置；第一壳体，套设在所述内胆的外壁上，所述第一壳体内部设有气路；气体分流器，包括若干气管，任一气管穿过一所述连接孔，所述气管包括连接端和出气端，所述连接端与所述气路连通，所述出气端设于所述工作空间中；所述气管的所述出气端的角度可调；所述气管的长度可调。本发明实施例通过选用不同规格的气管或在气管上设置波纹管，改进氧气的输入位置，通过在气管的出气端设置不同规格的弯头，调节气体的输入角度，从而提高气体输入的均匀性。
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