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公开(公告)号：CN118841310B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411323816.8
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种交替式静电吸附刻蚀装置及刻蚀方法，刻蚀装置包括：刻蚀腔、清洁腔、第一静电吸盘、第二静电吸盘、交替驱动组件和清洁机构，清洁腔连通刻蚀腔，交替驱动组件能够驱使第一静电吸盘和第二静电吸盘在刻蚀腔和清洁腔之间交替运动；在刻蚀腔内，静电吸盘能够吸附刻蚀产生的杂质颗粒，从而保证刻蚀环境的清洁、提高晶圆的刻蚀效果；在清洁腔内，清洁机构能够清理静电吸盘上的杂质颗粒，以便于静电吸盘再次使用；通过设置两组静电吸盘、并使得两组静电吸盘能够交换工位，有利于不停机连续工作、从而提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118919392A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411405804.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种多重磁场刻蚀装置，包括工作腔、载台、线圈、第一磁组和至少两层第二磁组，第一磁组和第二磁组均包括多个沿圆周方向间隔设置的永磁铁；线圈用作激发磁场，第一磁组用作约束磁场，第二磁组用作增强磁场；激发磁场促进等离子体生成，约束磁场将电子约束在线圈周围、即便于电子离化气体原子、又能够避免电子被腔壁引走，增强磁场能够提高晶圆附近的等离体子活性、加速晶圆刻蚀；本申请提供的刻蚀装置通过三重磁场配合，能够方便、有效地提高刻蚀效率，并保证刻蚀效果。
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公开(公告)号：CN118441258B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410870818.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/35 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种联动式快接晶圆镀膜装置，包括外筒、内筒、载台、第一盖板、第一驱动件、顶针、顶板和旋转驱动件，旋转驱动件用于驱使载台自转，载台上设有活动孔，顶针受限于活动孔中；第一驱动件能够同时驱使第一盖板和顶板上升，以便于第一进出口开放、顶针接取晶圆；第一驱动件又能够同时驱使第一盖板和顶板下降，以便于第一进出口封闭、晶圆落到载台上；顶板与顶针通过接触而非连接的方式实现联动，载台的旋转与顶板的升降不会相互干扰，采用一个升降驱动件即可实现顶板对顶针的顶升以及第一盖板对第一进出口的封闭，从而实现快速的载台接料和反应区域封闭、进而提高镀膜效率。
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公开(公告)号：CN118687830A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411170161.5
申请日：2024-08-26
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MFC校准方法，涉及半导体生产技术领域，所述方法包括如下步骤：步骤一：通过数据采集装置测量腔体内部实际温度以及压力，并通过测量实际的温度和压力计算出偏差率；步骤二：根据步骤一中计算的偏差率进行判断MFC是否合格；步骤三：若判断MFC不合格，对MFC在UI上的设置量程进行修改；步骤四：根据修改后的量程再次进行校准；步骤五：重复上述步骤，直至偏差率合格，判断该MFC合格通过，本发明能够精准有效检测MFC的达标情况，本申请中，能够自行计算纠正，直接进行后续的使用。
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公开(公告)号：CN118028754B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410426325.X
申请日：2024-04-10
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种磁控溅射晶圆处理装置，包括反应内腔、载台、加热机构、第一升降机构、靶材、下遮件和上遮件，反应内腔包括上腔体、下腔体和第二升降机构，上腔体中设有第一冷却通道，载台中设有第二冷却通道；通过上遮件和下遮件配合，能够全面地阻止金属原子向下沉积，保证腔内清洁；配合可活动的上腔体和下腔体，即使出现腔壁沉积金属原子的情况，也只需要对上腔体进行处理，方便便捷；进一步配合第一冷却通道和第二冷却通道，能够针对性地对易接触金属原子、易升温的部位进行降温，从而对晶圆进行可靠的温控，确保晶圆维持在目标设定温度，进而保证成膜质量、沉积速率和方块电阻均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117867454B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410278561.1
申请日：2024-03-12
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种PVD提高金属膜回流效率的装置，包括溅射腔、升降载台部、副腔、盖件；溅射腔用于晶圆覆膜；升降载台部包括能够沿竖直方向升降的晶圆加热载台、位于晶圆加热载台顶部的静电吸附件、贯穿所述晶圆加热载台和静电吸附件的气路；副腔位于溅射腔的一侧面并连通于溅射腔；盖件运转于溅射腔和副腔之间，所述盖件顶部中心处设置有排气孔；其中，当所述盖件运转至溅射腔内时，所述盖件罩住晶圆并在盖件和静电吸附件之间形成辅热腔室，热气从气路进入辅热腔室内，先后流经晶圆背面、晶圆侧面、晶圆正面，最后从排气孔排出辅热腔室。本申请实现晶圆表面均匀受热受压，减少金属膜回流填孔的时间，提高晶圆镀膜的效率。
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公开(公告)号：CN117995657A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410405126.0
申请日：2024-04-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆预处理方法及晶圆预处理装置，晶圆预处理方法包括升温步骤、降温步骤和自清洁步骤，升温步骤能够加热晶圆、实现对晶圆的去杂或者调温，降温步骤能够冷却晶圆、实现对晶圆的调温，自清洁步骤能够清洁反应腔、清除残余污染物；晶圆预处理装置利用一个反应腔实现了上述晶圆预处理方法，通过单机设备满足多样的晶圆预处理需要，并通过自清洁机构实现自理、避免腔内沉积污染物影响对晶圆的预处理。
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公开(公告)号：CN117724458A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410178410.9
申请日：2024-02-09
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Etch设备自动监控和故障解决方法及系统，属于半导体制造技术领域。方法包括：设备调试监控步骤、工艺调试监控步骤、生产制成监控步骤、故障排除步骤。本发明能够24小时全方位监控每一台刻蚀设备，并与UI系统连接以自动解决Etch设备使用过程中出现的各种问题。与其他自动解决问题的方法不同，本发明无需工程师录入各种问题解决代码后让程序根据Error去搜索及执行命令，当一个Error发生时，本方法会访问UI系统中各个腔体组成模块，逐个获取元件状态，再根据已设定的参数条件，自动完善解决问题，从而避免一些并不影响工艺实际流程和品质的非硬件故障打断工艺流程，减少不必要的时间损耗，提高制造效率。
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公开(公告)号：CN115449763A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211023769.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本申请提供了一种磁控溅射用扇形磁铁结构以及磁控溅射设备，扇形磁铁结构包括：扇形底座、设置在扇形底座的第一部分上的第一安装组件、连接在第一安装组件中的第一磁铁组件、设置在扇形底座的第二部分上第二安装组件以及连接在第二安装组件中的第二磁铁组件，本申请可以调节产生的磁场的强度，从而适应不同靶材到衬底间距的磁控溅射，进而保证薄膜沉积的均匀性。
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公开(公告)号：CN114496777A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210026734.1
申请日：2022-01-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域。胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中；将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。通过本发明，能够提升刻蚀的均匀性。
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