公开(公告)号：CN104508082A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380019190.5

申请日：2013-03-04

申请人： 日东电工株式会社 ,  张彬 ,  宫川浩明 ,  中村年孝

发明人： 张彬 ,  宮川浩明 ,  中村年孝

IPC分类号： C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC分类号： C09K11/7769 ,  B32B18/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63488 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/368 ,  C04B2237/565 ,  C04B2237/582 ,  C04B2237/588 ,  C04B2237/702 ,  C04B2237/704 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/50

摘要： 本文公开的一些实施方案包括包含第一区和第二区的陶瓷体。第一区可包含主体材料及有效产生发光的第一浓度的掺杂剂。第二区可包含主体材料及第二浓度的掺杂剂。在一些实施方案中，第一区的平均粒径大于第二区的平均粒径。在一些实施方案中，陶瓷体可呈现优异的内部量子效率(IQE)。本文公开的一些实施方案包括本文公开的陶瓷体的制备方法与使用方法。此外，本文公开的一些实施方案包括照明设备，其包含本文公开的陶瓷体。

公开(公告)号：CN105163847A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201480017897.7

申请日：2014-03-13

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 伊坎巴拉姆·山姆班登 ,  张彬

IPC分类号： B01J23/00 ,  B01J23/72 ,  H01L31/0264

CPC分类号： B01J23/007 ,  B01J23/72

摘要： 本文描述了非均质材料，其包含：p型半导体，其包含处于两种不同氧化态的相同金属的两种金属氧化物化合物；和n型半导体，其具有比p型半导体价带更深的价带，其中半导体型相互离子连通。所述非均质材料增强光催化活性。

公开(公告)号：CN103228762A9

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201180045076.0

申请日：2011-09-16

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 张彬 ,  潘光 ,  宫川浩明 ,  藤井宏中 ,  拉杰什·慕克吉 ,  中村年孝

IPC分类号： C09K11/77 ,  B32B18/00 ,  C01F17/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  H01L33/50

摘要： 一种层压的复合材料，包括波长转换层和不发光阻挡层，其中发光层包括石榴石主体材料和发光客体材料，所述不发光阻挡层包括不发光阻挡材料。当石榴石或石榴石类主体材料表示为A3B5O12时，构成不发光阻挡材料的金属元素的离子半径为A阳离子元素和/或构成发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低，不发光阻挡层基本上没有通过发光层和不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。

公开(公告)号：CN112384574A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980036681.8

申请日：2019-05-31

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 潘光 ,  上野馨 ,  张彬

IPC分类号： C09D5/00 ,  C09D7/40 ,  C09D7/62

摘要： 本文中描述的是基于疏水性聚合物基体和疏水性纳米粒子的涂层，所述涂层提供耐损伤的疏水性、超疏水性和/或疏雪性能力，其中所述纳米粒子可包含改性的层状硅酸盐纳米粘土。描述了复合材料表面的微米粗糙度和纳米粗糙度。还描述了通过采用上述涂层来产生防雪材料的方法。

公开(公告)号：CN112368074A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201980043458.6

申请日：2019-06-24

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 埃卡恩巴拉姆·山姆班丹 ,  张彬

IPC分类号： B01J23/58 ,  B01J23/66 ,  B01J35/00 ,  B01D53/72 ,  B01D53/00 ,  B01J23/04 ,  B01J21/06 ,  B01J37/08 ,  B01J23/00

摘要： 本文描述了包含第一n型半导体和第二n型半导体的混合物的非均相材料。所述第一n型半导体可以是单相或多相TiO2材料。所述第二n型半导体包含金属钛酸盐和/或贵金属。在用紫外光活化后，本文所描述的光催化材料混合物有效地分解挥发性化合物。此外，相对于已知的半导体材料，本文公开的光催化材料显然对通过沉积失活更稳定。

公开(公告)号：CN107427815A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201580049097.8

申请日：2015-09-11

申请人： 日东电工株式会社

发明人： E·萨姆班丹 ,  张彬

IPC分类号： B01J23/72 ,  B01J23/75 ,  B01J23/745 ,  B01J23/34 ,  B01J23/46 ,  C02F1/72 ,  C02F1/50 ,  B01D53/86 ,  B01D53/74 ,  B01D53/72

CPC分类号： B01J35/004 ,  A61L9/18 ,  B01D53/007 ,  B01D2255/802 ,  B01J21/063 ,  B01J23/02 ,  B01J23/682 ,  B01J23/687 ,  B01J23/72 ,  B01J23/75 ,  B01J27/1817 ,  B01J35/002 ,  B01J37/04 ,  B01J37/086 ,  B01J37/16 ,  C02F1/32 ,  C02F1/725 ,  C02F2101/322 ,  C02F2305/10 ,  B01D53/72 ,  B01D53/74 ,  B01D53/86 ,  B01D53/8668 ,  B01D2257/704 ,  B01D2257/708 ,  B01D2257/91 ,  B01J23/34 ,  B01J23/468 ,  B01J23/745 ,  C02F1/50 ,  C02F2303/04

摘要： 本文记载了非均质材料，其包含：p型半导体，其包含处于两种不同氧化态的同一金属的两种金属氧化物化合物；和n型半导体，其具有比所述p型半导体价带更深的价带，其中半导体类型彼此处于离子电荷连通。所述非均质材料增强光催化活性。

公开(公告)号：CN104245628A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380020894.4

申请日：2013-04-18

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 宫川浩明 ,  潘光 ,  藤井宏中 ,  张彬 ,  望月周 ,  中村年孝

IPC分类号： C04B35/645 ,  C09K11/77

CPC分类号： B28B23/028 ,  B32B18/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/645 ,  C04B38/00 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/606 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/963 ,  C04B2235/9638 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/567 ,  C04B2237/66 ,  C04B2237/704 ,  C09K11/7706 ,  C09K11/7774 ,  C04B38/0655

摘要： 本文公开了一种使用筛网或网格来烧结平坦陶瓷的方法和装置。

公开(公告)号：CN103347982A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180064498.2

申请日：2011-11-29

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 潘光 ,  宮川浩明 ,  藤井宏中 ,  张彬 ,  拉贾什·穆克尔吉 ,  中村年孝 ,  望月周

IPC分类号： C09K11/80 ,  C04B35/44

摘要： 本文公开了发射性陶瓷材料，该发射性陶瓷材料具有沿着钇铝石榴石(YAG)区域的厚度的掺杂浓度梯度。掺杂浓度梯度可包括最大掺杂浓度、半最大掺杂浓度以及在半最大掺杂浓度处或附近的斜率。在一些实施方案中，发射性陶瓷可表现出高内量子效率(IQE)。在一些实施方案中，发射性陶瓷可包括多孔区域。本文还公开了通过烧结具有掺杂层和非掺杂层的组件来制造发射性陶瓷的方法。

公开(公告)号：CN103228762A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180045076.0

申请日：2011-09-16

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 张彬 ,  潘光 ,  宫川浩明 ,  藤井宏中 ,  拉杰什·慕克吉 ,  中村年孝

IPC分类号： C09K11/77 ,  B32B18/00 ,  C01F17/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/44 ,  H01L33/50

摘要： 一种层压的复合材料，包括波长转换层和不发光阻挡层，其中发光层包括石榴石主体材料和发光客体材料，所述不发光阻挡层包括不发光阻挡材料。当石榴石或石榴石类主体材料表示为A3B5O12时，构成不发光阻挡材料的金属元素的离子半径为A阳离子元素和/或构成发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低，不发光阻挡层基本上没有通过发光层和不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。

公开(公告)号：CN101953230B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980105827.6

申请日：2009-02-19

申请人： 日东电工株式会社

发明人： 中村年孝 ,  藤井宏中 ,  宮川浩明 ,  拉贾什·穆克尔吉 ,  张彬 ,  望月周

IPC分类号： H05B33/14 ,  C09K11/80

CPC分类号： C09K11/7774 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/6342 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9661 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/502 ,  H01L2924/0002 ,  H05B33/14 ,  H01L2924/00

摘要： 描述了一种发光装置，其包括：发光元件，其发射具有第一峰值波长的光；以及位于所述发光元件上的至少一个烧结的陶瓷板。至少一个烧结的陶瓷板能够吸收从所述发光元件发射的光的一部分并发射具有第二峰值波长的光，并且所述至少一个烧结的陶瓷板具有大于约40％的在所述第二峰值波长处的总光透射率。还公开了一种用于提高发光装置的发光强度的方法，其包括：提供发光元件；以及将上述至少一个烧结的陶瓷板安置在发光元件上。