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公开(公告)号:CN108622919A
公开(公告)日:2018-10-09
申请号:CN201710184701.9
申请日:2017-03-24
申请人: 罗杰斯公司
CPC分类号: C04B35/62813 , B01J21/04 , B01J23/005 , B01J23/755 , B01J35/002 , B01J35/023 , B01J37/009 , B01J37/0215 , B01J37/035 , B01J37/088 , C01F7/02 , C01G53/00 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2004/03 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C04B35/111 , C04B35/62886 , C04B35/62897 , C04B35/64 , C04B2235/3279 , C04B2235/763 , C01F7/021 , C01P2004/51 , C01P2004/60 , C01P2004/80
摘要: 本发明公开了一种镍铝尖晶石包覆氧化铝的制备方法,包括通过溶液反应法于水溶液中在氧化铝粉末表面包覆NiO纳米层;以及烧结NiO包覆的氧化铝粉末以提供尖晶石包覆的氧化铝复合材料。
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公开(公告)号:CN106660820A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201580041516.3
申请日:2015-07-30
申请人: 中央硝子株式会社
IPC分类号: C01G23/00 , H01M4/485 , H01M10/0562
CPC分类号: H01M4/485 , C01G23/005 , C01P2002/72 , C01P2004/64 , C04B35/462 , C04B35/6264 , C04B35/62645 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3227 , C04B2235/3234 , C04B2235/656 , C04B2235/763 , C04B2235/768 , H01M10/0562
摘要: 提供通过1000℃以下的焙烧而能够防止焙烧中的质量减少且形成固体电解质和负极活性物质的前体。使用钛酸锂系复合产物的前体,该前体的特征在于,其是用于通过焙烧而形成钛酸锂与钛酸锂镧的复合产物的前体,其由包含Li与Ti的复合盐以及La元素源化合物的固体状物质形成。这种钛酸锂系复合产物的前体通过下述制造方法来获得,所述制造方法的特征在于,其包括:将至少包含Ti元素源、Li元素源和溶剂的混合物通过溶剂热处理法进行加热,从而形成固体状物质的工序。
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公开(公告)号:CN106630967A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201611226569.5
申请日:2016-12-27
申请人: 宁夏东方钽业股份有限公司
IPC分类号: C04B35/01 , C04B35/66 , C04B35/626 , C04B35/63
CPC分类号: C04B35/016 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/6303 , C04B35/66 , C04B2235/3201 , C04B2235/3218 , C04B2235/3234 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3427 , C04B2235/763 , C04B2235/9607
摘要: 本发明提供了一种高温辐射涂层,由红外辐射粉体、粘结剂、悬浮剂与散凝剂制备得到;所述红外辐射粉体包括:FeTiO320~40wt%;Cr2O310~30wt%;SiO25~10wt%;MnO21~5wt%;Co2O310~20wt%;HfO21~5wt%;Nb2O35~10wt%。本申请还提供了上述高温辐射涂层的制备方法。本发明制备的高温辐射涂层耐温高,具有良好的红外辐射性能;与高温炉体结合强度高,热震性能良好,使用的过程中不易开裂和起皮的,使用寿命长。实验结果表明,本发明制备的涂层可耐温1800℃,辐射率≥0.87,抗震性1300℃≥6次,涂料厚度0.3~2mm,使用寿命≥6年。
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公开(公告)号:CN104540976B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201380041837.4
申请日:2013-08-09
申请人: 三菱综合材料株式会社
IPC分类号: C23C14/34 , C04B35/16 , C04B35/453 , G11B7/26
CPC分类号: C23C14/3414 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B2235/3217 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , G11B7/254 , G11B7/266 , G11B2007/25411 , G11B2007/25414 , G11B2007/25417
摘要: 本发明提供一种能够以直流溅射形成透明氧化物膜且不会产生异常放电的氧化锌系透明氧化物膜形成用溅射靶。该透明氧化物膜形成用溅射靶的特征在于,其为如下组成的烧成体,即相对于总金属成分量,含有0.6~8.0at%的Al及Ga中的任意一种或者两种,0.1at%以上的Si,且Al、Ga和Si共计含有33.0at%以下,残余部分由Zn及不可避免杂质构成,在所述烧成体中,存在具有5μm以下的粒径的Zn和Si的复合氧化物。
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公开(公告)号:CN105645945A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201610007667.3
申请日:2016-01-07
申请人: 天通控股股份有限公司
IPC分类号: C04B35/38 , C04B35/622
CPC分类号: C04B35/2616 , C04B35/2633 , C04B35/622 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3275 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/763 , C04B2235/96
摘要: 本发明涉及高频锰锌铁氧体材料,材料主成分以各自氧化物计算分别为Fe2O3:53mol%~62mol%,ZnO:0.5mol%~10.0mol%,其余为MnO;副成分I类和II类,以主成分计,分别以CaCO3、Nb2O5、SiO2、V2O5和Li2CO3计的I类副成分的总含量为0.02 wt%~0.15 wt%,分别以ZrO3、Co2O3、TiO2和SnO2计的II类副成分的总含量为0.10 wt%~0.75 wt%,副成分组合中至少包含一种II类副成分。本发明在0℃到125℃的温度范围内,具有低的功率损耗和高的工作频率范围:在f≤5MHz、B≤30mT条件下的损耗为500kW/m3或者更低;其功率损耗变化率小,性能稳定,用于制作各类电感器、变压器,应用于高频领域。
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公开(公告)号:CN103518004B
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201280022417.7
申请日:2012-04-27
申请人: 出光兴产株式会社
IPC分类号: C23C14/34 , C04B35/00 , H01B5/14 , H01L21/363
CPC分类号: C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/62675 , C04B35/6455 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/40 , C04B2235/44 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24
摘要: 一种溅射靶,其含有氧化物A和InGaZnO4,所述氧化物A在2θ=7.0°~8.4°、30.6°~32.0°、33.8°~35.8°、53.5°~56.5°、56.5°~59.5°、14.8°~16.2°、22.3°~24.3°、32.2°~34.2°、43.1°~46.1°、46.2°~49.2°和62.7°~66.7°的区域A~K具有衍射峰。
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公开(公告)号:CN104619674A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201380047358.3
申请日:2013-09-10
申请人: 株式会社钢臂功科研
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/00 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC分类号: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/64 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/658 , C04B2235/66 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要: 一种将氧化锌、氧化铟、氧化镓和氧化锡混合并烧结而得到的氧化物烧结体。所述氧化物烧结体的相对密度为85%以上,在所述氧化物烧结体的表面观察到的晶粒的平均晶粒直径小于10μm。对所述氧化物烧结体进行X射线衍射时,Zn2SnO4相和InGaZnO4相为主相,InGaZn2O5相为3体积%以下。
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公开(公告)号:CN104508082A
公开(公告)日:2015-04-08
申请号:CN201380019190.5
申请日:2013-03-04
CPC分类号: C09K11/7769 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/632 , C04B35/63488 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6587 , C04B2235/663 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/9653 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/368 , C04B2237/565 , C04B2237/582 , C04B2237/588 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , C09K11/7774 , H01L33/50
摘要: 本文公开的一些实施方案包括包含第一区和第二区的陶瓷体。第一区可包含主体材料及有效产生发光的第一浓度的掺杂剂。第二区可包含主体材料及第二浓度的掺杂剂。在一些实施方案中,第一区的平均粒径大于第二区的平均粒径。在一些实施方案中,陶瓷体可呈现优异的内部量子效率(IQE)。本文公开的一些实施方案包括本文公开的陶瓷体的制备方法与使用方法。此外,本文公开的一些实施方案包括照明设备,其包含本文公开的陶瓷体。
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公开(公告)号:CN103732558A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201280039604.6
申请日:2012-11-28
申请人: 京瓷株式会社
发明人: 东登志文
IPC分类号: C04B35/111 , H01L23/08 , H05K1/03
CPC分类号: C04B35/111 , C04B2235/3206 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3265 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/763 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , H01L23/08 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种机械强度高的氧化铝质陶瓷及应用其的配线基板和陶瓷封装件。以三氧化二铝作为主成分,含有以Mn2O3换算为2.0~5.0质量%的锰以及以SiO2换算为3.0~7.5质量%的硅,通过X射线衍射的Rietveld分析求得的以三氧化二铝为主成分的晶相的比例为99.0~99.9质量%,并且晶相的平均粒径为0.8~1.5μm,并且每单位面积的孔隙的面积比例为3.1%以下。
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公开(公告)号:CN103717779A
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201280038069.2
申请日:2012-06-21
申请人: 住友金属矿山株式会社
IPC分类号: C23C14/24 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/34
CPC分类号: C23C14/086 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/5445 , C04B2235/604 , C04B2235/6585 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/787 , C04B2235/96 , C23C14/3414
摘要: 本发明的目的在于提供一种能够作为溅射靶或蒸镀用料片加以利用且在成膜中难以产生裂纹等的Zn-Sn-O系氧化物烧结体及其制造方法。上述氧化物烧结体的特征在于,其含有以Sn/(Zn+Sn)的原子数比计为0.01~0.6的锡,烧结体中的平均结晶粒径为4.5μm以下,且在将基于使用CuKα射线的X射线衍射的Zn2SnO4相的(222)面、(400)面的积分强度分别设为I(222)、I(400)时,以I(222)/[I(222)+I(400)]表示的取向度为0.52以上。由于该氧化物烧结体机械强度得到了改善,所以在加工烧结体时难以引起破损,并且在作为溅射靶或蒸镀用料片使用时,也难以在透明导电膜的成膜中引起烧结体的破损、裂纹的产生。
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