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公开(公告)号：CN104508082A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380019190.5
申请日：2013-03-04
CPC分类号： C09K11/7769 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/632 , C04B35/63488 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6587 , C04B2235/663 , C04B2235/763 , C04B2235/786 , C04B2235/9653 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/36 , C04B2237/368 , C04B2237/565 , C04B2237/582 , C04B2237/588 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , C09K11/7774 , H01L33/50
摘要： 本文公开的一些实施方案包括包含第一区和第二区的陶瓷体。第一区可包含主体材料及有效产生发光的第一浓度的掺杂剂。第二区可包含主体材料及第二浓度的掺杂剂。在一些实施方案中，第一区的平均粒径大于第二区的平均粒径。在一些实施方案中，陶瓷体可呈现优异的内部量子效率(IQE)。本文公开的一些实施方案包括本文公开的陶瓷体的制备方法与使用方法。此外，本文公开的一些实施方案包括照明设备，其包含本文公开的陶瓷体。
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公开(公告)号：CN103347982A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180064498.2
申请日：2011-11-29
申请人： 日东电工株式会社
摘要： 本文公开了发射性陶瓷材料，该发射性陶瓷材料具有沿着钇铝石榴石(YAG)区域的厚度的掺杂浓度梯度。掺杂浓度梯度可包括最大掺杂浓度、半最大掺杂浓度以及在半最大掺杂浓度处或附近的斜率。在一些实施方案中，发射性陶瓷可表现出高内量子效率(IQE)。在一些实施方案中，发射性陶瓷可包括多孔区域。本文还公开了通过烧结具有掺杂层和非掺杂层的组件来制造发射性陶瓷的方法。
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公开(公告)号：CN101953230B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980105827.6
申请日：2009-02-19
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： C09K11/7774 , B82Y30/00 , C04B35/44 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/63416 , C04B35/6342 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5454 , C04B2235/656 , C04B2235/6581 , C04B2235/80 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , H01L25/0753 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H05B33/14 , H01L2924/00
摘要： 描述了一种发光装置，其包括：发光元件，其发射具有第一峰值波长的光；以及位于所述发光元件上的至少一个烧结的陶瓷板。至少一个烧结的陶瓷板能够吸收从所述发光元件发射的光的一部分并发射具有第二峰值波长的光，并且所述至少一个烧结的陶瓷板具有大于约40％的在所述第二峰值波长处的总光透射率。还公开了一种用于提高发光装置的发光强度的方法，其包括：提供发光元件；以及将上述至少一个烧结的陶瓷板安置在发光元件上。
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公开(公告)号：CN102449111A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024351.6
申请日：2010-05-26
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09K11/77
CPC分类号： C09K11/7774 , B82Y30/00 , C04B35/44 , C04B35/6268 , C04B35/6342 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6581 , C04B2235/764 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , H01L33/502 , H01L33/505
摘要： 某些实施方案提供了其中掺杂物的量比常规发光陶瓷更低的发光陶瓷。在某些实施方案中，所述发光陶瓷包含含有稀土元素和至少一种稀土掺杂物的主体材料，其中所述稀土掺杂物为所述材料中存在的稀土原子的约0.01％至0.5％。某些实施方案提供了发光陶瓷，其包含由式(A1-xEx)3B5O12表示的多晶发光材料。某些实施方案提供了包含本文公开的发光陶瓷的发光装置。
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公开(公告)号：CN103347982B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180064498.2
申请日：2011-11-29
申请人： 日东电工株式会社
摘要： 本文公开了发射性陶瓷材料，该发射性陶瓷材料具有沿着钇铝石榴石(YAG)区域的厚度的掺杂浓度梯度。掺杂浓度梯度可包括最大掺杂浓度、半最大掺杂浓度以及在半最大掺杂浓度处或附近的斜率。在一些实施方案中，发射性陶瓷可表现出高内量子效率(IQE)。在一些实施方案中，发射性陶瓷可包括多孔区域。本文还公开了通过烧结具有掺杂层和非掺杂层的组件来制造发射性陶瓷的方法。
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公开(公告)号：CN103890138A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280043220.1
申请日：2012-08-14
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： C09K11/7774 , C09K11/7721 , F21V9/30 , G21K5/00 , H01L33/502 , H05B33/14
摘要： 本文公开具有少量特定微量元素的发射性陶瓷元件。申请人惊讶地发现，较低内部量子效率(IQE)可能归因于特定微量元素，所述特定微量元素即使在极少量(例如50ppm或以下)的情况下也可对IQE造成显著有害作用。在一些实施方案中，发射性陶瓷元件包括石榴石主体材料以及一定量的Ce掺杂剂。在一些实施方案中，发射性陶瓷元件可以具有：小于约67ppm的组合物中Na的量，小于约23ppm的组合物中Mg的量，或小于约21ppm的组合物中Fe的量。
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公开(公告)号：CN103476903A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280017753.2
申请日：2012-02-22
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09K11/77
CPC分类号： E21B41/00 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/50 , C04B2235/3217 , C04B2235/3218 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/6586 , C04B2235/764 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/343 , C04B2237/582 , C09K11/7774 , E21B43/11852 , E21B47/18 , H01L33/502
摘要： 本文公开了具有高钆浓度的磷光体组合物。一些实施方案包括热稳定的陶瓷体，所述陶瓷体包括发射层，其中所述发射层包括由通式(A1-x-zGdxDz)3B5O12表示的化合物，其中：D为第一掺杂剂，选自Nd、Er、Eu、Mn、Cr、Yb、Sm、Tb、Ce、Pr、Dy、Ho、Lu及其组合；A选自Y、Lu、Ca、La、Tb及其组合；B选自Al、Mg、Si、Ga、In及其组合；x为约0.20至约0.80；以及z为约0.001至约0.10。还公开了热稳定的陶瓷体，其可包括通式I的组合物。还公开了制造陶瓷体的方法及包括所述陶瓷体的发光装置。
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公开(公告)号：CN103476903B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201280017753.2
申请日：2012-02-22
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09K11/77
CPC分类号： E21B41/00 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/50 , C04B2235/3217 , C04B2235/3218 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/6586 , C04B2235/764 , C04B2235/9646 , C04B2235/9653 , C04B2237/343 , C04B2237/582 , C09K11/7774 , E21B43/11852 , E21B47/18 , H01L33/502
摘要： 本文公开了具有高钆浓度的磷光体组合物。一些实施方案包括热稳定的陶瓷体，所述陶瓷体包括发射层，其中所述发射层包括由通式(A1?x?zGdxDz)3B5O12表示的化合物，其中：D为第一掺杂剂，选自Nd、Er、Eu、Mn、Cr、Yb、Sm、Tb、Ce、Pr、Dy、Ho、Lu及其组合；A选自Y、Lu、Ca、La、Tb及其组合；B选自Al、Mg、Si、Ga、In及其组合；x为约0.20至约0.80；以及z为约0.001至约0.10。还公开了热稳定的陶瓷体，其可包括通式I的组合物。还公开了制造陶瓷体的方法及包括所述陶瓷体的发光装置。
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公开(公告)号：CN103890138B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280043220.1
申请日：2012-08-14
申请人： 日东电工株式会社
CPC分类号： C09K11/7774 , C09K11/7721 , F21V9/30 , G21K5/00 , H01L33/502 , H05B33/14
摘要： 本文公开具有少量特定微量元素的发射性陶瓷元件。申请人惊讶地发现，较低内部量子效率(IQE)可能归因于特定微量元素，所述特定微量元素即使在极少量(例如50ppm或以下)的情况下也可对IQE造成显著有害作用。在一些实施方案中，发射性陶瓷元件包括石榴石主体材料以及一定量的Ce掺杂剂。在一些实施方案中，发射性陶瓷元件可以具有：小于约67ppm的组合物中Na的量，小于约23ppm的组合物中Mg的量，或小于约21ppm的组合物中Fe的量。
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公开(公告)号：CN102449111B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201080024351.6
申请日：2010-05-26
申请人： 日东电工株式会社
IPC分类号： C09K11/77
CPC分类号： C09K11/7774 , B82Y30/00 , C04B35/44 , C04B35/6268 , C04B35/6342 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/443 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6581 , C04B2235/764 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , H01L33/502 , H01L33/505
摘要： 某些实施方案提供了其中掺杂物的量比常规发光陶瓷更低的发光陶瓷。在某些实施方案中，所述发光陶瓷包含含有稀土元素和至少一种稀土掺杂物的主体材料，其中所述稀土掺杂物为所述材料中存在的稀土原子的约0.01％至0.5％。某些实施方案提供了发光陶瓷，其包含由式(A1-xEx)3B5O12表示的多晶发光材料。某些实施方案提供了包含本文公开的发光陶瓷的发光装置。
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