公开(公告)号：CN1280961C

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN01811392.3

申请日：2001-06-19

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 小崎德也 ,  清久裕之 ,  蝶蝶一幸 ,  前川仁志

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/323 ,  H01L21/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种氮化物半导体基板，包括：(a)支承基板，(b)具有周期性T字形横剖面的第一氮化物半导体层，其系于支承基板上自周期性设置的条纹状、格栅状或岛状部分成长，及(c)覆盖该支承基板的第二氮化物半导体基板，其系自该第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，其中在第二氮化物半导体层的下方形成空穴。将具有周期性设置的条纹状、格栅状或岛状孔隙的保护层形成于支承基板上。第一氮化物半导体层自基板的暴露部分横向成长。在第一氮化物半导体层覆盖支承基板之前停止成长。因此，第一氮化物半导体层具有周期性的T字形横剖面。然后将保护层移除，及使第二氮化物半导体层自第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，以覆盖基板。

公开(公告)号：CN1441982A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN01811392.3

申请日：2001-06-19

Applicant: 日亚化学工业株式会社

Inventor： 小崎德也 ,  清久裕之 ,  蝶蝶一幸 ,  前川仁志

IPC: H01S5/02 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种氮化物半导体基板，包括：(a)支承基板，(b)具有周期性T字形横剖面的第一氮化物半导体层，其系于支承基板上自周期性设置的条纹状、格栅状或岛状部分成长，及(c)覆盖该支承基板的第二氮化物半导体基板，其系自该第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，其中在第二氮化物半导体层的下方形成空穴。将具有周期性设置的条纹状、格栅状或岛状孔隙的保护层形成于支承基板上。第一氮化物半导体层自基板的暴露部分横向成长。在第一氮化物半导体层覆盖支承基板之前停止成长。因此，第一氮化物半导体层具有周期性的T字形横剖面。然后将保护层移除，及使第二氮化物半导体层自第一氮化物半导体层的上表面及侧面成长，以覆盖基板。