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公开(公告)号：CN107017320B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201611234664.X
申请日：2012-08-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107017320A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611234664.X
申请日：2012-08-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。
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公开(公告)号：CN102969414A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210313485.0
申请日：2012-08-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。
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公开(公告)号：CN102969414B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210313485.0
申请日：2012-08-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射
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公开(公告)号：CN102738348B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210080588.7
申请日：2012-03-23
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：第一半导体层；具有与第一半导体层不同的导电性的第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的活性区域；设置在第一半导体层上的透光性导电层(13)；设置在透光性导电层(13)上的反射构造(20)；和设置在反射构造(20)上，且与第一半导体层电连接的第一电极，反射构造(20)至少具有反射层(16)，在透光性导电层(13)和反射构造(20)之间存在中间层(17)，中间层(17)由有含离子化倾向大于反射层(16)的元素的材料构成。由此可获得以下优点：能利用介于透光性导电层(13)和反射构造(20)之间的中间层(17)抑制随着半导体发光元件的连续使用而使正向电压上升的情形，能提高可靠性及耐久性。
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公开(公告)号：CN102738348A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210080588.7
申请日：2012-03-23
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L27/15 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体发光元件，包括：第一半导体层；具有与第一半导体层不同的导电性的第二半导体层；设置在第一半导体层和第二半导体层之间的活性区域；设置在第一半导体层上的透光性导电层(13)；设置在透光性导电层(13)上的反射构造(20)；和设置在反射构造(20)上，且与第一半导体层电连接的第一电极，反射构造(20)至少具有反射层(16)，在透光性导电层(13)和反射构造(20)之间存在中间层(17)，中间层(17)由有含离子化倾向大于反射层(16)的元素的材料构成。由此可获得以下优点：能利用介于透光性导电层(13)和反射构造(20)之间的中间层(17)抑制随着半导体发光元件的连续使用而使正向电压上升的情形，能提高可靠性及耐久性。
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