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公开(公告)号：CN107017320B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201611234664.X
申请日：2012-08-29
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/38 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。
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公开(公告)号：CN1883058A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480034097.2
申请日：2004-11-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2224/48463 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明涉及半导体元件及其制造方法，该半导体元件具有：具有相对置的一对主面的基板(11)；层叠在基板(11)的一方主面上的第一传导型半导体层；层叠在第一传导型半导体层上的第二传导型半导体层；形成于第一传导型半导体层与第二传导型半导体层之间的活性层(14)；以及形成于第二传导型半导体层上，反射从活性层(14)朝向第二传导型半导体层的光的反射层(16)。该氮化物半导体发光元件将上述基板11的另一方的主面作为主光取出面可以安装在布线基板上。再者，在反射层(16)与第二传导型半导体层之间形成有透光性导电层(17)，在透光性导电层(17)与反射层(16)的界面形成有凹凸面(22)。
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公开(公告)号：CN1672271A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818534.2
申请日：2003-08-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。
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公开(公告)号：CN118693203A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410187990.8
申请日：2024-02-20
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/46 , H01S5/02315 , H01S5/02326
Abstract: 本发明提供一种能够减少射出的光的亮斑的发光装置。发光装置(1)具备：具有凹部(22)的封装(2)；在远离凹部(22)的内侧面(221)的位置载置于凹部(22)的底面(220)的发光元件(3)；在远离发光元件(3)的位置以包围发光元件(3)的方式配置在发光元件(3)与内侧面(221)之间，并具有反射从发光元件(3)射出的光的光反射面(53)的光反射性部件(5)。光反射面(53)在从内侧面(221)朝向发光元件(3)的方向上相对于底面(220)形成为倾斜状，在从底面(221)到光反射面(53)的高度不同的位置，具有不同的光反射特性。
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公开(公告)号：CN100595938C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200710166948.4
申请日：2003-08-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101165930A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710166949.9
申请日：2003-08-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。
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公开(公告)号：CN1866560A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610082714.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L23/482
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有导电性氧化物膜的高可靠性氮化物半导体元件。是一种具有氮化物半导体层的氮化物半导体元件，其中在氮化物半导体层上依次具有导电性氧化物膜、焊盘电极，而且，焊盘电极具有相接于导电性氧化物膜的包括第一金属的接合层和包括第二金属的焊盘层。
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公开(公告)号：CN119156712A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202380035979.3
申请日：2023-01-26
Applicant: 日亚化学工业株式会社
Abstract: 目的在于提供一种能够更高效地取出光的发光元件以及发光装置。一种发光元件，其包括：基板；半导体结构体，其配置在所述基板上，从所述基板侧依次包括n侧半导体层、有源层和p侧半导体层；p电极，其配置在所述p侧半导体层上，与所述p侧半导体层电连接；n电极，其配置在所述n侧半导体层上，与所述n侧半导体层电连接；所述n电极包括基部和从所述基部延伸的多个延伸部，所述基板包括从所述半导体结构体露出的露出部，在俯视观察下，所述露出部包括：第一露出部，其位于相邻的两个所述延伸部之间；第二露出部，其配置在所述基板的外周部，与所述第一露出部相连；在俯视观察下，所述p电极配置在所述延伸部与所述第一露出部之间。
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公开(公告)号：CN100595937C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200710166947.X
申请日：2003-08-01
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45169 , H01L2224/48091 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/48472 , H01L2224/49113 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01021 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01066 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光元件，在基板上具有由n型半导体层、活性层及p型半导体层层叠而成的叠层部，由该叠层部进行发光，其中，叠层部的侧面是包含n型半导体层的表面的倾斜面，在该n型半导体层的表面形成有n电极。根据这样的元件结构，能够提高发光效率与光的射出效率。
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公开(公告)号：CN100555683C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200610082714.7
申请日：2006-05-18
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L23/482
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有导电性氧化物膜的高可靠性氮化物半导体元件。是一种具有氮化物半导体层的氮化物半导体元件，其中在氮化物半导体层上依次具有导电性氧化物膜、焊盘电极，而且，焊盘电极具有相接于导电性氧化物膜的包括第一金属的接合层和包括第二金属的焊盘层。
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