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公开(公告)号：CN104937493B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201480005361.3
申请日：2014-01-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时阻断不优选的曝光光，例如UV、DUV而仅选择性透射EUV，此外曝光后能够用显影液显影的半导体装置的制造工序中的光刻工艺所使用的抗蚀剂上层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种抗蚀剂上层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的可以被取代的碳原子数8～16的醚化合物，所述聚合物包含：由碳原子数1～10的饱和烷基构成且其氢原子的一部分或全部被氟原子取代的有机基团。
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公开(公告)号：CN105393172A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201480040916.8
申请日：2014-07-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供为了增大抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性，使抗蚀剂下层膜的表面状态改性为疏水性状态的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本课题的解决方法是包含具有由下述式(1)表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和前述添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示单键或二价的连接基团，X表示不具有羟基的、脂肪族烃基、脂环式烃基或杂原子是氧原子的杂环基)。
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公开(公告)号：CN103221888A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055104.7
申请日：2011-11-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/62 , C08G65/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的目的是得到虽然包含苯环等芳香族环，但干蚀刻速度的选择比大、而且对降低在EUV(波长13.5nm)光刻中成为大问题的LER有用的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。另外，本发明的目的是得到使抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂图案形成所期望的形状的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的。
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公开(公告)号：CN105393172B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201480040916.8
申请日：2014-07-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供为了增大抗蚀剂下层膜上形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性，使抗蚀剂下层膜的表面状态改性为疏水性状态的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含其的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本课题的解决方法是包含具有由下述式(1)表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和前述添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示单键或二价的连接基团，X表示不具有羟基的、脂肪族烃基、脂环式烃基或杂原子是氧原子的杂环基。)
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公开(公告)号：CN105431780A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480042668.0
申请日：2014-08-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供能够获得良好抗蚀剂形状的焦点位置具有广范围的抗蚀剂下层膜。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含通过含二环氧基的化合物(A)与含二羧基的化合物(B)的反应而获得的直链状聚合物。该直链状聚合物具有来源于该含二环氧基的化合物(A)或该含二羧基的化合物(B)的由下述(1)、(2)和(3)表示的结构。优选包含通过分别具有式(1)和式(2)的结构的2种含二环氧基的化合物(A)与具有式(3)的结构的含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物、或者包含通过具有式(1)的结构的含二环氧基的化合物(A)与分别具有式(2)和式(3)的结构的2种含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105579909B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201480052938.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供新的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物和有机溶剂，所述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)所表示的结构。(式(1)中，R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烷基、卤代基或羟基，前述R1、R2和R3中至少1个表示前述烷基，Ar表示苯环、萘环或蒽环，2个羰基分别与前述Ar所表示的环的相邻的2个碳原子结合，X表示可以具有碳原子数1～3的烷氧基作为取代基的碳原子数1～6的直链状或支链状的烷基。)。
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公开(公告)号：CN103649835B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201280035179.3
申请日：2012-07-31
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , C08G73/06 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G73/06 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题是提供用于使用了EUV光刻的器件制作工序，降低由EUV带来的不良影响，对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有式(1)：(式中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自表示氢原子、甲基或乙基，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)，Q表示式(5)或式(6))所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂。包含具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、交联性化合物和溶剂的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。
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公开(公告)号：CN105579909A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052938.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供新的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物和有机溶剂，所述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)所表示的结构。(式(1)中，R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烷基、卤代基或羟基，前述R1、R2和R3中至少1个表示前述烷基，Ar表示苯环、萘环或蒽环，2个羰基分别与前述Ar所表示的环的相邻的2个碳原子结合，X表示可以具有碳原子数1～3的烷氧基作为取代基的碳原子数1～6的直链状或支链状的烷基)。
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公开(公告)号：CN103415809A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012762.2
申请日：2012-03-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/09 , C08G59/1455 , C08G59/4223 , G03F7/11 , G03F7/38
Abstract: 本发明的课题是提供即使在形成膜厚20nm以下的薄膜的情况下，也可以形成没有缺陷的均匀的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的手段涉及一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)所示结构的聚合物、交联剂、用于促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R1、R2以及R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烃基、或羟基，上述R1、R2以及R3中的至少1个为上述烃基，m以及n各自独立地表示0或1，在n表示1时上述聚合物的主链与亚甲基结合，在n表示0时上述聚合物的主链与由－O－表示的基团结合。)。
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公开(公告)号：CN105431780B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201480042668.0
申请日：2014-08-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供能够获得良好抗蚀剂形状的焦点位置具有广范围的抗蚀剂下层膜。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含通过含二环氧基的化合物(A)与含二羧基的化合物(B)的反应而获得的直链状聚合物。该直链状聚合物具有来源于该含二环氧基的化合物(A)或该含二羧基的化合物(B)的由下述(1)、(2)和(3)表示的结构。优选包含通过分别具有式(1)和式(2)的结构的2种含二环氧基的化合物(A)与具有式(3)的结构的含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物、或者包含通过具有式(1)的结构的含二环氧基的化合物(A)与分别具有式(2)和式(3)的结构的2种含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物。
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