-
公开(公告)号：CN108351593B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201680062692.X
申请日：2016-11-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F220/24 , C08F220/26 , C08F220/36 , C08F220/38
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂、和包含该添加剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决手段是包含具有下述式(1)～式(3)所示的结构单元的共聚物的抗蚀剂下层膜形成用组合物用添加剂。一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：上述添加剂、与上述共聚物不同的树脂、有机酸、交联剂和溶剂，上述共聚物的含量相对于上述树脂100质量份为3质量份～40质量份。(式中，R1各自独立地表示氢原子或甲基，R2表示碳原子数1～3的亚烷基，A表示保护基，R3表示具有4元环～7元环的内酯骨架、金刚烷骨架、三环癸烷骨架或降冰片烷骨架的有机基团，R4表示至少1个氢原子被氟基取代、且进一步可以具有至少1个羟基作为取代基的碳原子数1～12的直链状、支链状或环状的有机基团。)
-
公开(公告)号：CN106233206B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580020531.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该抗蚀剂下层膜在从上层转印图案、基板加工时能够干蚀刻，在基板加工后能够用碱性水溶液除去。解决手段为一种包含具有丙烯酰胺结构或丙烯酸酯结构的聚合物(A)、具有封端异氰酸酯结构的聚合物(B)以及溶剂(C)的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。聚合物(A)为包含下述式(1)的结构单元的聚合物。聚合物(B)为包含下述式(2)的结构单元的聚合物。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对无机硬掩模层进行蚀刻的工序；通过图案化的无机硬掩模层对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；以及通过图案化的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
-
公开(公告)号：CN106164774B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201580018433.2
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成在从上层进行图案转印、基板加工时能够进行干蚀刻，在基板加工后能够利用碱性水溶液除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有聚合物(A)、交联性化合物(B)和溶剂(C)，所述聚合物(A)含有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元，所述交联性化合物(B)具有至少2个选自封闭异氰酸酯基、羟甲基或碳原子数为1～5的烷氧基甲基中的基团，该聚合物(A)是该式(1)所示的单元结构与该式(2)所示的单元结构以摩尔百分比计为式(1)所示的单元结构:式(2)所示的单元结构＝(25～60):(75～40)的比例进行共聚而得到的聚合物。
-
公开(公告)号：CN105579909B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201480052938.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供新的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物和有机溶剂，所述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)所表示的结构。(式(1)中，R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烷基、卤代基或羟基，前述R1、R2和R3中至少1个表示前述烷基，Ar表示苯环、萘环或蒽环，2个羰基分别与前述Ar所表示的环的相邻的2个碳原子结合，X表示可以具有碳原子数1～3的烷氧基作为取代基的碳原子数1～6的直链状或支链状的烷基。)。
-
公开(公告)号：CN103975038B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201280059789.7
申请日：2012-11-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09K3/16 , C07C209/10 , C07C211/54 , G03F7/11 , C07B61/00
CPC classification number: C07C211/54 , C08G73/0266 , C08L79/02 , C09D179/02 , G03F1/00 , G03F7/093 , G03F7/11 , H01B1/128
Abstract: 本发明的课题是提供一种对抗蚀剂表面的涂布性优异，用于形成可以防止抗蚀剂膜带电的抗静电膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成抗静电膜的组合物，其含有下述式(1A)所示的低聚物化合物和水。(1)(式中，R1表示氢原子或下述式(2)所示的基团，R2和R3各自独立地表示氢原子或者下述式(3)或式(4)所示的基团，多个R中的至少一个表示磺基，a和b表示满足2≤(a+b)≤6的正整数，多个x各自独立地表示0～4的整数。)(2)(3)(4)(式中，n表示满足1≤n＜(a+b+4)的整数，a、b、R和x与上述式(1A)中的含义相同，多个y各自独立地表示0～5的整数。)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105579909A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052938.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供新的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物和有机溶剂，所述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)所表示的结构。(式(1)中，R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烷基、卤代基或羟基，前述R1、R2和R3中至少1个表示前述烷基，Ar表示苯环、萘环或蒽环，2个羰基分别与前述Ar所表示的环的相邻的2个碳原子结合，X表示可以具有碳原子数1～3的烷氧基作为取代基的碳原子数1～6的直链状或支链状的烷基)。
-
公开(公告)号：CN107111234B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201580053983.8
申请日：2015-10-16
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/22 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，其能够形成表示抗蚀剂图案的线宽的不均匀度的LWR比以往小的抗蚀剂图案。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物、具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基和未被保护的羧基的化合物或该化合物的水合物、以及溶剂，所述化合物或该化合物的水合物相对于该聚合物100质量份为0.1质量份～30质量份。
-
公开(公告)号：CN106233207A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580021424.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明提供可以形成密合性优异的所期望的抗蚀剂图案、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构的聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基、苯基、吡啶基、卤代基或羟基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、羟基、卤代基或-C(＝O)O-X所示的酯基，X表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基，R3表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或卤代基，R4表示直接结合、或碳原子数1～8的二价有机基团，R5表示碳原子数1～8的二价有机基团，A表示芳香族环或芳香族杂环，t表示0或1，u表示1或2。)。
-
公开(公告)号：CN106233206A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201580020531.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该抗蚀剂下层膜在从上层转印图案、基板加工时能够干蚀刻，在基板加工后能够用碱性水溶液除去。解决手段为一种包含具有丙烯酰胺结构或丙烯酸酯结构的聚合物(A)、具有封端异氰酸酯结构的聚合物(B)以及溶剂(C)的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。聚合物(A)为包含下述式(1)的结构单元的聚合物。聚合物(B)为包含下述式(2)的结构单元的聚合物。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对无机硬掩模层进行蚀刻的工序；通过图案化的无机硬掩模层对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；以及通过图案化的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
-
公开(公告)号：CN105431780A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201480042668.0
申请日：2014-08-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供能够获得良好抗蚀剂形状的焦点位置具有广范围的抗蚀剂下层膜。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含通过含二环氧基的化合物(A)与含二羧基的化合物(B)的反应而获得的直链状聚合物。该直链状聚合物具有来源于该含二环氧基的化合物(A)或该含二羧基的化合物(B)的由下述(1)、(2)和(3)表示的结构。优选包含通过分别具有式(1)和式(2)的结构的2种含二环氧基的化合物(A)与具有式(3)的结构的含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物、或者包含通过具有式(1)的结构的含二环氧基的化合物(A)与分别具有式(2)和式(3)的结构的2种含二羧基的化合物(B)的反应而获得的聚合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.025 seconds)
