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公开(公告)号：CN1636166A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN03804212.6
申请日：2003-02-14
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C09D201/04
CPC classification number: G03F7/091 , Y10S430/108
Abstract: 本发明提供防反射光效果高，不发生与光致抗蚀剂层的内部混合，在使用F2准分子激光器(波长157nm)的照射光的光刻工艺中可以使用的形成防反射膜的组合物和防反射膜，并提供调整该防反射膜的衰减系数的方法。具体的是，含有含卤原子的高分子化合物的半导体器件制造的光刻工艺中可以使用的形成防反射膜的组合物。所述高分子化合物是在主链和/或与主链连接的侧链上引入了卤原子的高分子化合物。另外，通过改变该形成防反射膜的组合物的固体成分中的卤原子含量，可以调整衰减系数。
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公开(公告)号：CN100526983C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN03804212.6
申请日：2003-02-14
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C09D201/04
CPC classification number: G03F7/091 , Y10S430/108
Abstract: 本发明提供防反射光效果高，不发生与光致抗蚀剂层的内部混合，在使用F2准分子激光器(波长157nm)的照射光的光刻工艺中可以使用的形成防反射膜的组合物和防反射膜，并提供调整该防反射膜的衰减系数的方法。具体的是，含有含卤原子的高分子化合物的半导体器件制造的光刻工艺中可以使用的形成防反射膜的组合物。所述高分子化合物是在主链和/或与主链连接的侧链上引入了卤原子的高分子化合物。另外，通过改变该形成防反射膜的组合物的固体成分中的卤原子含量，可以调整衰减系数。
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公开(公告)号：CN1502062A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02807941.8
申请日：2002-04-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C09D201/02 , C09D5/00 , C09D179/04 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0276 , C08G18/791 , C08G73/0655 , C09D179/04 , G03F7/091
Abstract: 本发明涉及一种在制造半导体器件的光刻过程中使用的形成防反射膜的组合物，其以一种树脂为组分，该树脂包含由三聚氰酸、三聚氰酸衍生物或三聚氰酸及三聚氰酸衍生物衍生的结构单元。该结构单元优选用下式(1)表示，可包含在树脂的主链、侧链以及主链和侧链双方上。由本发明的形成防反射膜的组合物得到的光刻用防反射膜，防反射膜效果高，与抗蚀剂层不发生混合，可得到优异的抗蚀剂图案，并具有比抗蚀剂更大的干蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN1440518A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN01812504.2
申请日：2001-07-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08L25/18 , C08L33/04 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/094 , C08L25/18 , C09D125/18 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明提供一种形成填隙材料的组合物，作为在具有孔或沟等凹凸的基板上的平坦化性优良、不会与抗蚀剂层发生混合、与抗蚀剂相比具有较大干式蚀刻速度的平版印刷用填隙材料，用于采用下述方法制造半导体装置，即在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上被覆抗蚀剂，利用平版印刷工艺，在基板上复制图像，所述组合物在被覆抗蚀剂前的该基板上被覆，使基板表面平坦，其中含有由聚合物和溶剂构成的聚合物溶液。
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公开(公告)号：CN1147812A
公开(公告)日：1997-04-16
申请号：CN95193005.2
申请日：1995-05-09
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D251/18 , C07D251/70 , C07D251/16 , C07D251/42 , C07D251/48
CPC classification number: C07D251/70
Abstract: 本发明提供了一种可以高收率地容易地制造取代-1，3，5-三嗪衍生物的方法，该方法是将至少一个环碳原子用具有至少一个氨基的仲氨基取代。本发明方法的特征在于，在周期表第VII族及/或第VIII族的催化剂(铑配位化合物催化剂等)及含有氢气的气体的存在下，使环碳原子上具有至少一个或一个以上的氨基或单取代氨基的1，3，5-三嗪衍生物(蜜胺、蜜胺衍生物及各种二胺基三嗪衍生物等)与醛或酮反应，将该至少一个或一个以上的氨基或单取代氨基烷基化。该衍生物作为各种农药、医药、染料或涂料等精细化学品中间体非常有用，并可广泛用于各种树脂材料及阻燃材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1273870C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02819915.4
申请日：2002-10-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: C08L63/00 , C08G59/1455 , C08G59/18 , C08G59/3254 , C08G2650/56 , C08L33/00 , C08L71/00 , C09D161/06 , G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10T428/31511 , Y10T428/31855 , C08L2666/02 , C08L2666/04
Abstract: 本发明涉及在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成防反射膜的组合物，该组合物含有具有5000或其以下重均分子量的聚合物(A)，和具有20000或其以上的重均分子量的聚合物(B)。该组合物提供在有孔和沟槽的凹凸不平的基板上的段差被覆性优异，防反射光效果高，而且不发生与抗蚀剂层的混和，可以得到优异的抗蚀剂图案，具有比抗蚀剂更大的干蚀刻速度的光刻用防反射膜。
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公开(公告)号：CN1257435C
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN02807941.8
申请日：2002-04-10
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , C09D201/02 , C09D5/00 , C09D179/04 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0276 , C08G18/791 , C08G73/0655 , C09D179/04 , G03F7/091
Abstract: 本发明涉及一种在制造半导体器件的光刻工艺中使用的形成防反射膜的组合物，其三聚氰酸或三聚氰酸衍生物或含有三聚氰酸或三聚氰酸衍生物衍生的结构单元的树脂作为组分。该结构单元优选用下式(1)表示，可包含在树脂的主链、侧链以及主链和侧链双方上。由本发明的形成防反射膜的组合物得到的光刻用防反射膜，防反射膜效果高，与抗蚀剂层不发生混合，可得到优异的抗蚀剂图案，并具有比抗蚀剂更大的干蚀刻选择性。
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公开(公告)号：CN1545645A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN02816299.4
申请日：2002-08-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供防反射效果高，不发生与抗蚀剂层的混合，可得到优异的抗蚀剂图案，与抗蚀剂相比具有大的干蚀刻速度，具有比现有技术更宽的聚焦深度容限和高的分辨率的光刻用防反射膜。具体地，是在制造半导体装置的光刻工艺中使用的含有具有内酯结构的树脂的形成防反射膜的组合物。上述树脂，是在主链或与主链连接的侧链上导入了γ－内酯结构或δ－内酯结构的树脂。
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公开(公告)号：CN100367111C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN01812504.2
申请日：2001-07-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08L25/18 , C08L33/04 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/094 , C08L25/18 , C09D125/18 , Y10S430/106 , Y10S430/111
Abstract: 本发明提供一种形成填隙材料的组合物，作为在具有孔或沟等凹凸的基板上的平坦化性优良、不会与抗蚀剂层发生混合、与抗蚀剂相比具有较大干式蚀刻速度的平版印刷用填隙材料，用于采用下述方法制造半导体装置，即在具有用高度/直径表示的高宽比为1以上的孔的基板上被覆抗蚀剂，利用平版印刷工艺，在基板上复制图像，所述组合物在被覆抗蚀剂前的该基板上被覆，使基板表面平坦，其中含有由聚合物和溶剂构成的聚合物溶液。
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公开(公告)号：CN100362430C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN02816299.4
申请日：2002-08-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明提供防反射效果高，不发生与抗蚀剂层的混合，可得到优异的抗蚀剂图案，与抗蚀剂相比具有大的干蚀刻速度，具有比现有技术更宽的聚焦深度容限和高的分辨率的光刻用防反射膜。具体地，是在制造半导体装置的光刻工艺中使用的含有具有内酯结构的树脂的形成防反射膜的组合物。上述树脂，是在主链或与主链连接的侧链上导入了γ-内酯结构或δ-内酯结构的树脂。
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