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公开(公告)号：CN101144972B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710153319.8
申请日：2007-09-14
Applicant: 豪雅株式会社 , 日产化学工业株式会社
IPC: G03F1/00
Abstract: 本发明提供可控制转印用掩模的转印图案线宽的设计尺寸与在基板上形成的转印图案线宽尺寸之差，且可将线性控制在10nm以下的掩模图案和掩模。本发明提供了一种掩模坯板，其具有在基板上成膜的用于形成掩模图案的薄膜、和在该薄膜的上方成膜的化学放大型的抗蚀剂膜，其特征在于，在上述薄膜和抗蚀剂膜之间具有保护膜，所述保护膜可阻止妨害上述抗蚀剂膜的化学放大机能的物质从抗蚀剂膜的底部向抗蚀剂膜内移动。
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公开(公告)号：CN101622580B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN200880006374.7
申请日：2008-02-19
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/2059
Abstract: 本发明的课题在于提供在使用电子束光刻的器件制作工序中所使用的、对于降低由电子束产生的不良影响、获得良好的抗蚀剂图案有效的电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物，和提供使用该电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段在于：包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其在基板上的形成转印图案的加工对象膜与电子束光刻用抗蚀剂膜之间成膜而使用，用于半导体器件制造。所述高分子化合物至少含有10质量％的卤原子。
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公开(公告)号：CN101144972A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710153319.8
申请日：2007-09-14
Applicant: 豪雅株式会社 , 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供可控制转印用掩模的转印图案线宽的设计尺寸与在基板上形成的转印图案线宽尺寸之差，且可将线性控制在10nm以下的掩模图案和掩模。本发明提供了一种掩模坯板，其具有在基板上成膜的用于形成掩模图案的薄膜、和在该薄膜的上方成膜的化学放大型的抗蚀剂膜，其特征在于，在上述薄膜和抗蚀剂膜之间具有保护膜，所述保护膜可阻止妨害上述抗蚀剂膜的化学放大机能的物质从抗蚀剂膜的底部向抗蚀剂膜内移动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101021684A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710005538.1
申请日：2007-02-12
Applicant: 豪雅株式会社 , 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供在掩模坯板和掩模的制作工艺中使用的形成抗蚀剂下层的膜的组合物，并且提供使用该组合物制作的掩模坯板和掩模。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成抗蚀剂下层的膜的组合物，是在基板上按照形成转印图案的薄膜和化学放大型抗蚀剂膜的顺序形成这些膜而成的掩模坯板中，为了在该形成转印图案的薄膜和该抗蚀剂膜之间形成抗蚀剂下层的膜而使用的，含有具有含卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成抗蚀剂下层的膜的组合物。上述高分子化合物含有至少10质量％的卤原子。
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公开(公告)号：CN101622580A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006374.7
申请日：2008-02-19
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/2059
Abstract: 本发明的课题在于提供在使用电子束光刻的器件制作工序中所使用的、对于降低由电子束产生的不良影响、获得良好的抗蚀剂图案有效的电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物，和提供使用该电子束光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成方法。本发明的解决手段在于：包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其在基板上的形成转印图案的加工对象膜与电子束光刻用抗蚀剂膜之间成膜而使用，用于半导体器件制造。所述高分子化合物至少含有10质量％的卤原子。
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公开(公告)号：CN1431990A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN01810289.1
申请日：2001-05-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C51/363 , C07C63/72 , C07C67/307 , C07C69/80 , C07C51/43 , C07C67/54 , C07C67/08 , C07B61/00
CPC classification number: C07C51/363 , C07C67/307 , C07C63/68 , C07C69/80
Abstract: 本发明涉及在含有三氧化硫的溶剂中，使用溴来溴化通式(1)表示的间苯二甲酸化合物(式中，R1、R2各自独立表示氢原子、或碳原子数为1～6的烷基。)制造溴代间苯二甲酸化合物、特别是5－溴代间苯二甲酸化合物和4，5－二溴代间苯二甲酸化合物的方法。目的在于提供使用工业上价格便宜的溴，高选择地制造溴代间苯二甲酸、特别是5－溴代间苯二甲酸化合物和4，5－二溴代间苯二甲酸化合物的方法。
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公开(公告)号：CN101021684B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200710005538.1
申请日：2007-02-12
Applicant: 豪雅株式会社 , 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供在掩模坯板和掩模的制作工艺中使用的形成抗蚀剂下层的膜的组合物，并且提供使用该组合物制作的掩模坯板和掩模。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成抗蚀剂下层的膜的组合物，是在基板上按照形成转印图案的薄膜和化学放大型抗蚀剂膜的顺序形成这些膜而成的掩模坯板中，为了在该形成转印图案的薄膜和该抗蚀剂膜之间形成抗蚀剂下层的膜而使用的，含有具有含卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成抗蚀剂下层的膜的组合物。上述高分子化合物含有至少10质量％的卤原子。
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公开(公告)号：CN1185199C
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN01810289.1
申请日：2001-05-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C51/363 , C07C63/72 , C07C67/307 , C07C69/80 , C07C51/43 , C07C67/54 , C07C67/08 , C07B61/00
CPC classification number: C07C51/363 , C07C67/307 , C07C63/68 , C07C69/80
Abstract: 本发明涉及在含有三氧化硫的溶剂中，使用溴来溴化通式(1)表示的间苯二甲酸化合物(式中，R1、R2各自独立表示氢原子、或碳原子数为1～6的烷基。)制造溴代间苯二甲酸化合物、特别是5-溴代间苯二甲酸化合物和4，5-二溴代间苯二甲酸化合物的方法。目的在于提供使用工业上价格便宜的溴，高选择地制造溴代间苯二甲酸、特别是5-溴代间苯二甲酸化合物和4，5-二溴代间苯二甲酸化合物的方法。
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