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公开(公告)号：CN105264656A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480011105.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 , 刮拉技术有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01M2/345 , H01L2224/48247 , H01M4/0426 , H01M4/139 , H01M4/483 , H01M4/661 , H01M6/40 , H01M10/0436 , H01M10/0463 , H01M10/049 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0585 , H01M10/425 , H01M10/446 , H01M2200/20 , H01M2220/30 , H02S50/00
Abstract: 提供一种搭载二次电池的电路芯片及其制造方法，其中二次电池被直接地装配在电路和二次电池的集成结构的所形成电路的相反的表面。搭载二次电池的电路芯片被配置为这样：二次电池被直接地装配在对应于电路和二次电池的集成结构的电路的区域中。芯片是搭载二次电池的电路芯片，其中二次电池形成与在晶片上所装配的电路区域相对的表面上。通过将具有多层布线的电路的最上部形成到被钝化的电路表面的上部上的二次电池结构中，形成通过制作要被共同使用的表面结构中的电路的多层布线部的最上的布线层所直接堆叠的二次电池，或者将二次电池形成在使其上形成电路的基板的后表面上，从而二次电池和电路形成到集成结构中。
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公开(公告)号：CN105264656B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201480011105.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司 , 刮拉技术有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 提供一种搭载二次电池的电路芯片及其制造方法，其中二次电池被直接地装配在电路和二次电池的集成结构的所形成电路的相反的表面。搭载二次电池的电路芯片被配置为这样：二次电池被直接地装配在对应于电路和二次电池的集成结构的电路的区域中。芯片是搭载二次电池的电路芯片，其中二次电池形成与在晶片上所装配的电路区域相对的表面上。通过将具有多层布线的电路的最上部形成到被钝化的电路表面的上部上的二次电池结构中，形成通过制作要被共同使用的表面结构中的电路的多层布线部的最上的布线层所直接堆叠的二次电池，或者将二次电池形成在使其上形成电路的基板的后表面上，从而二次电池和电路形成到集成结构中。
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公开(公告)号：CN107851610A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680045200.6
申请日：2016-06-20
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06
CPC classification number: H01M10/0431 , H01L21/77 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06
Abstract: 提供一种能够在多个芯片上同时且均匀地制造氧化物半导体二次电池的制造方法。其为在电路上层叠有层叠第一电极(52)、充电功能层(54、56、58)和第二电极(60)而成的氧化物半导体二次电池的芯片的制造方法，具备：层叠工序，其相对于对应于形成于晶片(20)上的多个芯片22的各芯片(22)的区域不是单个地形成氧化物半导体二次电池、而是相对于对应于多个芯片(22)的区域一体地层叠并形成氧化物半导体二次电池；以及，分割工序，其相对于一体地形成的氧化物半导体二次电池，进行保留对应于各芯片(22)的区域、除去不对应于各芯片(22)的其它区域的图案蚀刻，从而分隔为对应于各芯片(22)的单个氧化物半导体二次电池(50-1、50-2)。
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公开(公告)号：CN109643829B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201780052280.2
申请日：2017-07-24
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
Abstract: 二次电池(30)具备：第1导电型的第1氧化物半导体层(14)；第1充电层(16)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上，且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；第2充电层(18)，其配置于第1充电层(16)上；第2导电型的第3氧化物半导体层(24)，其配置于第2充电层(18)上；和，氢氧化物层(22)，其配置于第1充电层(16)与第3氧化物半导体层(24)之间，且具有构成第3氧化物半导体层(24)的金属的氢氧化物。提供能量密度提高、能增大电池特性(蓄电容量)、且可靠性高的二次电池。
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公开(公告)号：CN109643829A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052280.2
申请日：2017-07-24
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
Abstract: 二次电池(30)具备：第1导电型的第1氧化物半导体层(14)；第1充电层(16)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上，且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；第2充电层(18)，其配置于第1充电层(16)上；第2导电型的第3氧化物半导体层(24)，其配置于第2充电层(18)上；和，氢氧化物层(22)，其配置于第1充电层(16)与第3氧化物半导体层(24)之间，且具有构成第3氧化物半导体层(24)的金属的氢氧化物。提供能量密度提高、能增大电池特性(蓄电容量)、且可靠性高的二次电池。
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公开(公告)号：CN113424349A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202080010602.9
申请日：2020-01-30
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
IPC: H01M10/0562 , H01M10/36 , H01M10/0585
Abstract: 一种具有改善的性能的二次电池。根据本实施例，二次电池(100)包括第一电极(21)、第二电极(22)、设置在第一电极(21)上并包括第一n型氧化物半导体的第一层(11)、设置在第一层(11)上并包括第二n型氧化物半导体材料和第一绝缘材料的第二层(12)、设置在第二层(12)上并且是固体电解质层的第三层(13)以及设置在第三层(13)上并包括六方Ni(OH)2微晶的第四层(14)。
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公开(公告)号：CN110392955A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880017572.7
申请日：2018-03-01
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
Abstract: 蓄电设备(30)具备：第1氧化物半导体层(14)，其具有第1导电型的第1氧化物半导体；第1充电层(16)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；和，第3氧化物半导体层(24)，其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体，氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40％以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。
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公开(公告)号：CN110392955B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201880017572.7
申请日：2018-03-01
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
Abstract: 蓄电设备(30)具备：第1氧化物半导体层(14)，其具有第1导电型的第1氧化物半导体；第1充电层(16)，其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成；和，第3氧化物半导体层(24)，其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体，氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40％以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。
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公开(公告)号：CN111712964A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980013431.2
申请日：2019-02-06
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
Abstract: 一种二次电池(30)，其具备：固体电解质层(18)，其具有水(H2O)和羟基(-OH)中的至少一者；正极活性物质层(22)，其配置于固体电解质层的上表面、且含有氢氧化镍作为正极活性物质；第2电极(正极)(26)，其配置于正极活性物质层的上表面；负极活性物质层(16)，其与正极活性物质层相对、配置于固体电解质层的下表面、且含有具有水(H2O)和羟基(-OH)中的至少一者的氧化钛化合物(TiOX)作为负极活性物质；第1电极(负极)(12)，其与第2电极(正极)(26)相对、配置于负极活性物质层的下表面；p型半导体层(24)，其配置于正极活性物质层与第2电极(正极)之间；和n型半导体层(14)，其配置于负极活性物质层与第1电极(负极)之间。提供能量密度增加了的二次电池。
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公开(公告)号：CN109564970B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN201780047913.0
申请日：2017-07-21
Applicant: 日本麦可罗尼克斯股份有限公司
IPC: H01L49/00
Abstract: 本发明的二次电池设置有：第一电极(11)；第二电极(17)；充电层(14)，布置在第一电极(11)和第二电极(17)之间并且含有绝缘材料与第一n型氧化物半导体材料的混合物；n型氧化物半导体层(13)，布置在充电层(14)与第一电极(11)之间并且含有第二n型氧化物半导体材料；p型氧化物半导体层(16)，布置在充电层(14)与第二电极(17)之间并且含有p型氧化物半导体材料；混合物层(15)，布置在充电层(14)与p型氧化物半导体层(16)之间并且含有氧化硅与第三n型氧化物半导体材料的混合物；和导电层(12)，布置在第一电极(11)与n型氧化物半导体层(13)之间并且含有金属材料。
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